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公开(公告)号：CN105220112B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510583996.8
申请日：2015-09-14
Applicant: 北京师范大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/32 , H01L31/18 , H01L31/115 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器，其中，该在多晶CZT上沉积DLC膜的方法包括：采用磁过滤阴极真空弧沉积方法，在多晶CZT的晶体表面沉积第一层DLC膜；在所述第一层DLC膜之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积用于释放内应力的薄膜过渡层；在所述薄膜过渡层之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积第二层DLC膜。通过实施本发明，在多晶CZT上沉积DLC膜能够保护多晶CZT，减小漏电流。
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公开(公告)号：CN104372295B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410494856.9
申请日：2014-09-23
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性基材电路板及金属钉扎层的制备方法和设备，其中，该金属钉扎层的制备方法包括：利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入第一金属元素，对所述基底层进行清洗；利用磁过滤阴极真空弧(FCVA)离子源，在清洗后的基底层表面，磁过滤沉积得到第一金属膜层；利用所述MEVVA离子源，向所述第一金属膜层表面注入第二金属元素，形成金属钉扎层。因此，采用本发明的制备方法和设备制备得到的金属钉扎层和柔性基材电路板具有很高结合力和抗剥离性。
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公开(公告)号：CN107249257A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710638255.4
申请日：2017-07-31
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了新型环保的IC载板制备方法，对基底清洗后在其表面进行离子注入表面金属化，通过两种方法进行用化学镀铜和电镀铜技术在注入层表面镀得铜层；在铜层上涂覆一层正/负性光刻胶，再利用掩模版并经过曝光、显影等处理得到电路图形；最后将芯片等元件装在载板上并封装，再把整个IC载板镶嵌在电路板上。本发明提供的方法中把电镀过程与电解过程组成一个循环，或者仅仅对电路图形部分注入和电镀，因此极大的减少了对环境的污染并提高了金属铜的利用率。同时高精密、小体积、超薄的IC载板的设计不仅优化了电路图形进一步提高了电路板整体性能，也由于陶瓷基板的平整光滑，从而很好的解决了芯片、电阻和电容等元件对基板平整性要求高的问题。
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公开(公告)号：CN107248490A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710368331.4
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京师范大学
IPC: H01J37/08 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/147 , H01J37/3171
Abstract: 本发明公开了一种新型的离子源引出‑加速电极结构，其中，引出电极由圆孔型引出设计为等宽的长条形引出形状，同时加速电极之间的距离不再恒定，设计为连续变化的引出间距，即加速电极之间的距离由5mm变为可变区间3‑7mm。通过实施本发明，离子束斑的形状发生明显的改变，由原来的圆形束斑变成长条形束斑，束斑尺寸可为(100‑200mm)×(300‑800mm)，大大提高了离子束斑的纵向宽度，在处理长条形工件时有着非常明显的优势。同时，通过引出‑加速电极的改变离子束流大大增加，在相同束流强度下能够大大增加阴极靶材的寿命。
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公开(公告)号：CN107142478A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710316678.4
申请日：2017-05-08
Applicant: 北京师范大学
CPC classification number: C23C28/343 , C23C14/16 , C23C14/325 , C23C14/48 , C23C16/278 , C23C28/321
Abstract: 本发明公开了一种机械设备关键部件表面耐腐蚀耐磨损涂层的方法，其中，制备该涂层方法包括：采用霍尔离子源在500℃以上环境下用氮离子进行轰击，产生表面强化效应提高基材致密度，紧接着采用金属真空蒸汽离子源方法(MEVVA)，在基材表面注入一层能提高膜基结合力的金属″钉扎层″；在所述的金属″钉扎层″之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法(FCVA)，在进气口通入100‑250sccm的乙炔，基材表面沉积获得总厚度为1‑10微米的多种纳米晶混合层。通过实施本发明，在关键部件上沉积此类涂层能够很好的保护机械设备关键部件，因其多种纳米晶相互协同作用，能够有效的防止其因环境变化而带来摩擦损失和化学腐蚀损失，从而影响设备的稳定性、精度以及服役寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107130224A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710368145.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种核聚变关键部件抗辐射涂层的方法，其中，制备该抗辐射涂层方法包括：采用考夫曼源对基材进行表面活化处理，随后利用金属真空蒸汽离子源方法(MEVVA)，在基材表面注入一层能提高膜基结合力的金属″钉扎层″；在所述的金属″钉扎层″之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法(FCVA)沉积合金应力释放层，紧接着采用磁过滤阴极真空弧沉积方法(FCVA)以及金属真空蒸汽离子源同时工作，在进气口通入10‑30sccm的氮气和50‑100sccm的乙炔，在基材表面沉积总厚度为1‑50微米的多相镶嵌的合金/氮化物/碳化物碳基涂层。该发明中磁过滤沉积系统、金属真空蒸汽离子源系统所用阴极为一定配比的四元合金靶材。通过实施本发明，在关键部件上沉积多相镶嵌的合金/氮化物/碳化物碳基涂层具有很好的抗辐射能力，防止在聚变堆中其因氦离子轰击引起发泡和脱落带来严重的表面腐蚀，影响服役寿命。
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公开(公告)号：CN107130223A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710316783.8
申请日：2017-05-08
Applicant: 北京师范大学
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/0605 , C23C14/0688 , C23C14/16 , C23C14/325
Abstract: 本发明公开了一种机械设备关键部件表面结合力优越以及超抵摩擦系数、自适应环境的多相混合固体润滑涂层的方法，其中，制备该涂层方法包括：采用金属真空蒸汽离子源方法(MEVVA)，在基材表面注入一层能提高膜基结合力的金属″钉扎层″；在所述″钉扎层″之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法(FCVA)沉积合金应力释放层，紧接着采用FCVA方法以及MEVVA同时工作，在进气口通入100‑250sccm的乙炔以及30‑80sccm的硫化氢气体，在基材表面沉积总厚度为1‑10微米的多相混合固体润滑涂层。通过实施本发明，在关键部件上沉积多相混合固体润滑涂层能够很好的保护机械设备的关键部件，防止其因环境变化而带来摩擦系数急剧变化从而影响设备的稳定性、精度以及服役寿命。
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公开(公告)号：CN106756858A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611032281.4
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京师范大学
IPC: C23C14/48
CPC classification number: C23C14/48
Abstract: 本发明涉及一种圆珠笔笔珠的表面改性方法，包括：对笔珠进行表面初步清洗；在表面清洗后的笔珠表面进行表面深度清洗、抛光，并在清洗、抛光过程中进行超声振荡；对表面深度清洗、抛光后的笔珠进行离子注入，并在离子注入过程中进行超声振荡。本发明提供的方法，主要是利用MEVVA离子注入设备在笔珠表面注入高能金属离子或者非金属离子，实现笔珠表面强化，增强不锈钢“笔珠”的耐磨性，提高圆珠笔的使用寿命。通过离子注入能够明显提高笔珠表面硬度，降低笔珠的滚动摩擦力，能得到比碳化钨更低的摩擦系数。且MEVVA离子注入设备束流直径可达800mm，因此可实现笔珠大批量的处理，成本低，效率高。
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公开(公告)号：CN106011771A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610633332.2
申请日：2016-08-04
Applicant: 北京师范大学
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/16 , C23C14/325 , C23C14/54 , C23C14/56 , C23C16/26 , C23C16/513 , C23C16/52 , C23C28/322 , C23C28/343
Abstract: 本发明公开了一种在活塞环表面快速沉积DLC膜层的设备及方法，该设备包括：离子注入系统，用于纵向均匀注入离子流；真空室，其一端与离子注入系统密封连接，另一端密封连接有宽束磁过滤沉积系统的一端，宽束磁过滤沉积系统的另一端设置有FCVA沉积阴极；工装系统，用于实现活塞环工装圆筒的自转；智能控制装置，用于对离子注入和膜层沉积的过程进行控制，并用于显示测量结果，以及用于进行数据的初步处理。因此，通过实施本发明能够实现大批量、均匀地在活塞环表面镀上具有高硬度和低摩擦系数的DLC膜。
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公开(公告)号：CN105908134A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610227227.9
申请日：2016-04-13
Applicant: 北京师范大学
CPC classification number: C23C14/325 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/14 , C23C14/48 , H05K3/38
Abstract: 本发明公开了一种基于离子束技术在聚四氟乙烯基底表面沉积超高结合强度的金属膜层及电路板的制备方法和设备；沉积超强结合力的金属膜层的制备方法包括：金属“注入+扩散层”和金属膜层；其中，该金属“注入+扩散层”的制备方法包括：利用气体离子源对基底进行大束流清洗，随后利用40KV高能金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源，向基底层注入金属元素形成金属“注入+扩散层”；金属膜层的制备方法包括：利用90度磁过滤阴极真空弧(FCVA)系统沉积1?10微米的金属膜层。因此，采用本发明的制备方法和设备制备得到的金属膜层和聚四氟乙烯基材具有很高结合力和抗剥离性。
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