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公开(公告)号：CN108821273B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201811109110.6
申请日：2018-09-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN108950683B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710372584.9
申请日：2017-05-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜中氮原子以石墨型氮掺杂于石墨烯晶格中；氮原子的掺杂形式为簇状掺杂；至少3个氮原子与碳原子形成簇状结构镶嵌于石墨烯薄膜中。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜的制备方法包括如下步骤：采用还原性气体和含氮碳源气体作为生长气氛，利用化学气相沉积法在生长基底上生长单晶石墨烯岛；在氧化性气氛中对单晶石墨烯岛进行钝化处理；钝化处理结束后，利用化学气相沉积法进行石墨烯再生长即得。本发明氮掺杂大单晶石墨烯薄膜可用于透明导电薄膜、透明电极、高频电子器件、发光器件、光伏器件、光电探测器件、电光调制器件、散热器件或疏水性器件封装中。
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公开(公告)号：CN111470500A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910062667.7
申请日：2019-01-23
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种生物活性配体功能化石墨烯薄膜及其制备方法。所述生物活性配体连接于石墨烯薄膜上，生物活性配体为Ni-氨三乙酸配体；所述生物活性配体功能化石墨烯薄膜的制备方法为：将石墨烯薄膜转移至电镜载网上；采用高锰酸钾和碱性化合物的混合水溶液处理石墨烯薄膜；采用氨三乙酸活化石墨烯薄膜，然后与镍盐反应即得。本发明中石墨烯的功能化修饰可解决石墨烯的疏水性问题，利用化学链接引入高密度的生物活性配体，可以实现支持膜与生物分子的选择特异性结合，准确控制蛋白质分布。本发明生物活性配体功能化石墨烯薄膜可通过在未来优化中直接定位或捕获细胞裂解物中的目标生物分子，将生物分子纯化和冷冻电镜样品制备结合到一个步骤中是可预期的。
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公开(公告)号：CN111151513A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201811319723.2
申请日：2018-11-07
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供了一种带形物品清洗装置及清洗方法，清洗装置包括腔室以及至少一滚轮。腔室包括供带形物品进出的进料口以及出料口；至少一滚轮设置在腔室内，每一滚轮的轴线垂直于进料口和出料口的连线，每一滚轮表面设置有吸附剂；其中，在清洗过程中，带形物品与至少一滚轮表面的吸附剂接触。
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公开(公告)号：CN109437176B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811381142.1
申请日：2018-11-20
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种选择性刻蚀生长基底制备悬空石墨烯支撑膜的方法。该制作方法避免了石墨烯的转移过程，效率高、成本低，一步刻蚀即可得到高质量的石墨烯支撑膜。所得的石墨烯支撑膜无需任何高分子膜及高分子纤维辅助支撑，石墨烯支撑膜层数可控，完整度高(90％‑97％)、悬空面积大(直径10‑50μm)、洁净区域广(＞100nm)，并可实现批量制备。此外，该石墨烯支撑膜可直接用于透射电镜支撑膜，并能实现所纳米颗粒的高分辨成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107539976B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710845495.1
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：将铜基底置于管式炉中，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕后在另一加热温区通入二氧化碳进行处理，处理后即得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，原料易得，可以与卷对卷技术相结合实现大规模生产，可以得到超洁净、高质量的大单晶石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN110629191A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911061281.0
申请日：2019-11-01
IPC: C23C16/26 , C23C16/54 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜卷对卷生产装置及方法，装置包括真空腔、真空泵组件以及工艺气体通入组件，还包括至少一监测组件以及参数控制组件，真空腔包括依次连通的放卷腔、生长腔和收卷腔，其中一个监测组件连接于生长腔，用以获得位于生长腔内的石墨烯薄膜的第一表征参数，并将第一表征参数与一第一设定表征参数比较获得一第一比较结果；参数控制组件连接于至少一监测组件，用以响应第一比较结果，并调控各项工艺气体通入量及比例和/或所述生长腔温度和/或生长基底运动速度和/或所述生长腔内压强，以使第一表征参数等于第一设定表征参数。
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公开(公告)号：CN110607517A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810615694.8
申请日：2018-06-14
IPC: C23C16/56 , C23C16/26 , C01B32/196 , B08B7/00
Abstract: 本发明提供了一种清洁石墨烯的方法，包括通过曲面上设有吸附剂的曲面体对石墨烯表面进行滚压，得到清洁的石墨烯。本发明一实施方式的清洁石墨烯表面的方法，可以实现快速清洁例如CVD生长的金属箔片上的石墨烯以及转移至功能衬底上的石墨烯等，所得到的石墨烯拉曼性质及透光性良好，对于其在电子、光电子器件，以及在选择性透过膜领域都有极高的帮助。
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公开(公告)号：CN110205603A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910618248.7
申请日：2019-07-10
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供多层石墨烯及其制备方法，包括步骤如下：提供一铜箔；将铜箔贴合于基底上；退火处理贴合基底后的铜箔；于退火处理后的铜箔表面进行化学气相沉积生长石墨烯，得多层石墨烯；其中，铜箔与基底之间具有间隔，且间隔小于10μm。该方法通过预先对铜箔进行处理，使铜箔在进行化学气相沉积时，能够在其上下表面构造出不同的气流层，实现对碳源的持续性催化，最终获得高质量的多层石墨烯。此外，本发明的方法还不受尺寸限制，可实现多层石墨烯的放大生产，具有良好的工业化前景。
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公开(公告)号：CN106872501B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710133783.4
申请日：2017-03-08
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种直接刻蚀金属基底制备石墨烯基透射电镜载网支撑膜的方法。所述方法，包括如下步骤：(1)利用化学气相沉积法在金属基底的表面生长石墨烯；(2)去除生长于所述金属基底的背面的所述石墨烯；(3)在所述石墨烯的表面制备高分子纤维网络，形成金属基底/石墨烯/高分子纤维网络结构；(4)利用光刻的方法在所述金属基底的背面制备周期性图案；(5)利用刻蚀的方法去除暴露于所述周期性图案之外的所述金属基底，然后去除所述周期性图案即得。本发明制备方法避免了石墨烯的转移过程，且无需额外的透射载网，一步刻蚀即可同时得到符合透射电镜制样要求的铜网和石墨烯支撑膜，效率高、成本低且可批量制备。
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