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公开(公告)号：CN119956335A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202410382521.1
申请日：2024-03-29
Applicant: 苏州大学 , 北京石墨烯研究院 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种批量化制备大尺寸高质量石墨烯晶圆的装置及方法。该装置包括石英管、加热组件、晶圆载具，加热组件采用中频线圈与石墨筒发热体配合，石墨筒发热体位于石英管内部，中频线圈位于石英管外部，与石墨筒发热体平齐，用于感应加热石墨筒发热体；晶圆载具上设置有若干限位部件，用于限定多片所述晶圆的位置。
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公开(公告)号：CN119764242A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411960289.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶圆的转移封装方法及封装结构。所述转移封装方法包括：在直接生长于基底上的石墨烯晶圆表面沉积氧化铝作为转移封装层，在所述转移封装层上旋涂高分子聚合物粘合胶，再贴合支撑层；将支撑层/转移封装层/石墨烯晶圆与所述基底分离；将支撑层/转移封装层/石墨烯晶圆复合结构贴合至目标衬底；热处理使所述支撑层与所述转移封装层分离。本发明的转移封装方法采用氧化铝作为转移封装层，既避免石墨烯晶圆在转移过程中的掺杂和污染，又可以保护石墨烯晶圆转移后不受环境中水氧掺杂，减小衬底带电杂质等对石墨烯晶圆载流子的散射作用同时氧化铝为石墨烯晶圆提供支撑解决了石墨烯晶圆在表面有悬空结构的不平整衬底上直接转移的问题。
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公开(公告)号：CN119710652A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411950132.0
申请日：2024-12-27
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京石墨烯研究院有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提供一种石墨烯材料的CVD制备装置及方法，涉及石墨烯材料制备技术领域。该石墨烯材料的CVD制备装置包括反应腔、真空组件、进气组件、控压排气组件和加热组件，反应腔用于容纳基材；真空组件设置于所述反应腔并与所述反应腔连通，进气组件与反应腔一端连通，用于向反应腔通入反应气体；控压排气组件与反应腔另一端连通，用于将反应后的气体排出并保持反应腔内气体稳定流动；加热组件设置于反应腔的外壁，加热组件被配置为沿反应腔的轴向方向并相对于反应腔移动，用于加热基材，使基材表面生长石墨烯。加热组件从基材的一端移动至另一端，使加热器沿反应腔的轴向方向完全遍历了基材，实现石墨烯在基材上均匀生长。
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公开(公告)号：CN119430690A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411708593.7
申请日：2024-11-26
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京石墨烯研究院有限公司 , 北京大学
IPC: C03C25/44 , C03C25/002 , C03C25/223
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯复合导电玻璃纤维材料及其制备方法和应用，包括用于导电的复合膜和玻璃纤维材料基底，复合膜共形包覆在玻璃纤维材料基底表面，复合膜由石墨烯和非晶碳材料组成。本发明既提高了包覆玻璃纤维丝束的复合膜的强度，不易脱落，又增加了膜内的致密性，耐水性，剪切强度大幅提升，还能够扩大表面电阻的调整范围。
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公开(公告)号：CN119351993A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411463808.3
申请日：2024-10-18
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 苏州大学 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本公开涉及化学气相沉积制备技术领域，尤其是涉及一种加热装置、CVD设备及方法。加热装置包括线圈组件、石墨盘和导热垫片，线圈组件包括线圈和供电装置，线圈用于设置在CVD设备的腔室的周向外表面，供电装置用于向线圈供电，以使腔室内产生磁场；石墨盘用于安装于腔室内，石墨盘能够产生热量；导热垫片位于石墨盘上，与石墨盘同轴设置，导热垫片的直径小于石墨盘的直径；导热垫片用于承托晶圆，晶圆的直径大于导热垫片的直径，晶圆包括第一区域和第二区域，第一区域能够与导热垫片直接接触，第二区域与石墨盘之间间隙设置。通过热传导和热辐射相结合的加热方式，提高了晶圆温度分布的均匀性，有利于提高二维材料薄膜的均匀性和质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119584355A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411708769.9
申请日：2024-11-26
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京石墨烯研究院有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种梯度电阻分布的导电玻璃纤维材料及其制备方法和应用。所述导电玻璃纤维材料的表面电阻在长度方向上呈梯度变化。所述导电玻璃纤维材料是导电玻璃纤维丝、由导电玻璃纤维丝编织的纤维布或由玻璃纤维编织成的纤维布进行二次加工得到的导电玻璃纤维布，所述导电玻璃纤维材料优选是由玻璃纤维编织成的纤维布进行二次加工得到的导电玻璃纤维布。本申请的导电玻璃纤维材料能够实现织物表面电阻沿长度方向的梯度分布，从而解决因电极长度过长造成的电极电阻逐渐增大使得发热不均匀的情况，从而实现织物区域电加热温度分布均匀或趋于均匀。
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公开(公告)号：CN119572934A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411708807.0
申请日：2024-11-26
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京石墨烯研究院有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提供一种溶解气体存储装置及稳定输出气体的方法，所述装置包括:气流控制单元、溶剂混合单元、溶剂分离单元、温度控制单元。所述方法包括步骤：S1：存入溶解气体：使用上述的装置，向装置中添加溶剂，控制温度，将装置进气管连接至溶解气体气瓶，打开进气调压阀调节压力至第一压力，静置8小时以上；S2：输出溶解气体：将装置出气管连接至待使用的设备，打开出气调压阀调节压力至第二压力，溶解气体气瓶内的气体流经本装置后流入待使用的设备。通过上述装置和方法，可以保证溶解气体安全存储和使用，并且使溶解气体存储装置输出气体中溶解气体比例保持稳定，避免随着气体输出，装置内腔压力减小造成输出气体中溶剂含量增大的问题。
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公开(公告)号：CN120025190A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311556420.3
申请日：2023-11-21
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 中国石油大学(北京) , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/碳化硅吸波材料及其制备方法。以连续碳化硅纤维丝束/连续碳化硅纤维布为生长基底，通过化学气相沉积法在其表面包覆结合紧密、均匀连续且层数可控的石墨烯包覆层，从而实现介电可调，高力学强度、耐高温的石墨烯/碳化硅复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN119730417A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411793487.3
申请日：2024-12-06
IPC: H10F30/28 , H10F77/42 , H10F71/00 , G01J1/42 , G01J1/44 , G01J1/00 , G01J5/12 , G01J5/20 , G01J5/00
Abstract: 本发明公开了基于垂直蝶形耦合天线的双层石墨烯太赫兹探测器及其制备方法。本发明太赫兹探测器包括硅衬底；贴合在硅衬底上表面的二氧化硅支撑层；嵌入二氧化硅支撑层上表层内或贴合在上表面的底栅，包括翅状天线部分和矩形天线部分；平行设置于二氧化硅支撑层上方的顶栅，包括翅状天线部分和矩形天线部分；底栅和顶栅共同形成蝴蝶结结构，底栅和顶栅的矩形天线部分沿宽度方向半错位半重合；石墨烯部件，上下连接底栅和顶栅的矩形天线部分，包括由下至上的包裹层、双层石墨烯层和包裹层；分别连接在石墨烯部件左右两端的源电极和漏电极。本发明太赫兹探测器可在室温下实现太赫兹的探测，有效减小探测器件尺寸。
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公开(公告)号：CN119240682A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411461808.X
申请日：2024-10-18
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的处理方法及该处理方法得到的石墨烯薄膜。所述石墨烯薄膜的处理方法，包括：采用臭氧对石墨烯薄膜进行处理。本发明采用温和的臭氧(O3)处理石墨烯薄膜，不会改变石墨烯晶格结构。同时，由于臭氧氧化性极强，能够有效去除有机杂质和污染物，同时也能改变材料表面的化学性质。首先，通过臭氧处理可以在石墨烯表面引入含氧官能团(如羧基、羟基等)，提升其亲水性，增加与其他材料的结合能力。其次，臭氧处理可以优化石墨烯的电导性，提升其在光电子器件或电子器件中的性能，例如在电池、电容器、场效应晶体管或霍尔元件等中的应用。本发明的方法简便快捷，有良好的工业化前景。
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