公开(公告)号：CN101635262B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910090737.6

申请日：2009-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭岳 ,  安霞 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明公开了一种锗基肖特基晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。该方法包括：首先在锗基衬底上制作MOS晶体管结构；淀积一金属薄膜；然后进行第一次热处理，快速热退火使金属薄膜层与位于其下方的锗层反应形成金属锗化物；去除未反应的金属薄膜层；在反应生成的金属锗化物层中掺入杂质；第二次热处理，退火使得上述掺入的杂质激活驱入；最后形成接触孔、金属连线。本发明通过在第一次退火形成镍锗化物以后，又进行杂质掺杂和激活驱入退火，可有效调控金属半导体接触的势垒高度，同时还可以改善锗化物表面形貌。

公开(公告)号：CN102381718A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010269030.4

申请日：2010-09-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭岳 ,  安霞 ,  王润声 ,  黄如 ,  张兴

IPC: C01C1/16 ,  H01L21/18

CPC classification number: C23C22/34 ,  C23C22/73 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/306 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用氟化铵溶液作为钝化剂对锗基器件进行表面预处理的方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明使用氟化铵水溶液对锗基器件进行表面预处理，可以减小界面态并且能够有效抑制自然氧化层的再次生成和锗基衬底材料的外扩散现象，还可以提高金属锗化物的热稳定性。本发明简单有效地改善了锗基器件的界面特性，有利于提升锗基晶体管的性能，在不增加工艺复杂性的情况下对锗基器件进行表面钝化预处理，非常有利于工艺的集成。

公开(公告)号：CN101789363B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201010128839.5

申请日：2010-03-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  许晓燕 ,  黄如 ,  安霞 ,  郝志华 ,  范春晖 ,  浦双双 ,  王阳元

IPC: H01L21/033

Abstract: 本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面和两个侧面上生长氧化硅，衬底材料由于氮化硅的保护没有被氧化；再淀积一层多晶硅，并以停止层为准化学机械抛光该多晶硅，在氧化硅的保护下依次干法刻蚀多晶硅、氮化硅和衬底材料，然后腐蚀去掉氧化硅硬掩模，制备出衬底材料的细线条。本发明制备出的超细线条的形状可以接近矩形，且线条左右两侧衬底材料分布情况一致。

公开(公告)号：CN102082096A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010506130.4

申请日：2010-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  黄如 ,  郝志华 ,  浦双双 ,  樊捷闻 ,  孙帅 ,  王润声 ,  安霞

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种Ge或SiGe纳米线场效应晶体管的制备方法，首先在衬底上的隔离层上形成多晶硅栅；然后形成高K材料的栅介质层；再在栅介质层上淀积SiGe薄膜；对SiGe薄膜进行源漏掺杂后光刻定义出源漏区图形，并各向异性干法刻蚀SiGe薄膜，在多晶硅栅两侧形成SiGe侧墙，同时在栅长方向上SiGe侧墙的两头分别形成源区和漏区；最后对SiGe侧墙进行氧化，去掉表面形成的氧化层，得到Ge纳米线或高Ge含量的SiGe纳米线。该方法基于侧墙工艺和Ge聚集技术，在不采用先进光刻设备的条件下制备出Ge或SiGe纳米线场效应晶体管，制备成本低，而且与CMOS工艺完全兼容。

公开(公告)号：CN101789363A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010128839.5

申请日：2010-03-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  许晓燕 ,  黄如 ,  安霞 ,  郝志华 ,  范春晖 ,  浦双双 ,  王阳元

IPC: H01L21/033

Abstract: 本发明提供了一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：制备化学机械抛光停止层；淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜；将多晶硅薄膜加工成条状；在条状多晶硅的顶面和两个侧面上生长氧化硅，衬底材料由于氮化硅的保护没有被氧化；再淀积一层多晶硅，并以停止层为准化学机械抛光该多晶硅，在氧化硅的保护下依次干法刻蚀多晶硅、氮化硅和衬底材料，然后腐蚀去掉氧化硅硬掩模，制备出衬底材料的细线条。本发明制备出的超细线条的形状可以接近矩形，且线条左右两侧衬底材料分布情况一致。