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公开(公告)号：CN111463123B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010016949.6
申请日：2020-01-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供蚀刻膜的方法。在一实施方式中，提供蚀刻基片的膜的方法。基片具有膜和形成于该膜上的掩模。方法包括在掩模的上表面之上选择性地形成沉积物的步骤。方法在形成沉积物的步骤后，还包括蚀刻膜的步骤。进行蚀刻的步骤包括在基片上形成处理气体的等离子体中所含的化学种的层的步骤。进行蚀刻的步骤还包括为了使化学种与膜反应，而从非活性气体的等离子体对基片供给离子的步骤。本发明能够抑制膜的蚀刻导致的掩模的膜厚减少。
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公开(公告)号：CN109196624B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201780030915.9
申请日：2017-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种相对于由氮化硅形成的第二区域，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第一区域的方法。该方法包括：第一步骤，在收纳有被处理体的处理容器内生成包含碳氟化合物气体、含氧气体和不活泼气体的处理气体的等离子体，并且在被处理体上形成包含碳氟化合物的堆积物；和第二步骤，使用包含于堆积物中的碳氟化合物的自由基，蚀刻第一区域，反复执行包含第一步骤和第二步骤的流程。
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公开(公告)号：CN110777361B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201910665735.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/30 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。
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公开(公告)号：CN110010464B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201811565044.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: [课题]提供处理基板的方法。[解决方案]一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。
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公开(公告)号：CN116018670A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202280005782.0
申请日：2022-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种提高蚀刻的选择比的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有基底膜和基底膜上的含硅膜的基板提供给腔室内的工序；和(b)使用由含有氟化氢气体的第一处理气体生成的第一等离子体将含硅膜进行蚀刻从而形成凹部的工序，其中，蚀刻进行到基底膜在凹部处露出之前为止或者到基底膜的一部分在凹部处露出为止，和(c)在与(b)的工序不同的条件下，在凹部处将含硅膜进一步进行蚀刻的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112640038A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057338.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 首选网络株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , G06N3/02 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 一种用于提高制造工艺的仿真精度的学习装置。该学习装置包括：取得部，取得对象物的图像数据和关于针对所述对象物的处理的数据；以及学习部，向学习模型输入所述对象物的图像数据和关于所述处理的数据，并且以使所述学习模型的输出接近所述处理后的所述对象物的图像数据的方式，使所述学习模型进行学习。
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公开(公告)号：CN108504996B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810183839.1
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/32 , C23C14/12 , H01L21/312 , H01L21/67
Abstract: 本发明的目的在于提供一种以规定的堆积物填埋被处理体的凹部的成膜方法和等离子体处理装置。所述成膜方法具有：将腔室的内部保持为规定的压力，将被处理体设置于冷却为‑20℃以下的极低温的台上的工序；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体的工序；以及由供给来的、所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体来使由所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于被处理体的凹部中的工序。
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公开(公告)号：CN106067417B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201610247871.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻有机膜的方法，在有机膜的等离子体蚀刻中改善硬质掩模的形状。在一个实施方式的方法中，在收容有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成包含氢气和氮气的处理气体的等离子体。通过处理气体的等离子体的生成，从硬质掩模露出的上述有机膜的一部分区域变化为改性区域。接着，在处理容器内生成稀有气体的等离子体。利用稀有气体的等离子体除去改性区域，并且使从该改性区域释放出的物质堆积在硬质掩模的表面上。该方法交替地反复进行处理气体的等离子体的生成和稀有气体的等离子体的生成。
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公开(公告)号：CN104851794B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510076454.1
申请日：2015-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/311 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/76897
Abstract: 本发明提供一种相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域选择性地进行蚀刻的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法具有工序(a)和工序(b)。在工序(a)中，将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中而在第2区域上形成比形成在第1区域上的保护膜厚的保护膜。在工序(b)中，利用碳氟化合物气体的等离子体来对第1区域进行蚀刻。在工序(a)中，将被处理体的温度设定为60℃～250℃的温度。
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公开(公告)号：CN107026081A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610873459.1
申请日：2016-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种用于在被处理体上的图案形成中实现高精度的最小线宽的控制和稳定的最小线宽的再现性等的对被处理体进行处理的方法。该方法包括：形成工序，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括：第1工序，将第1气体向等离子体处理装置的处理容器内供给；第2工序，对处理容器内的空间进行吹扫；第3工序，在处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；第4工序，对处理容器内的空间进行吹扫；准备工序，其在将被处理体收容于处理容器内之前进行；处理工序，对收容到处理容器内的被处理体进行蚀刻处理，准备工序在处理工序之前进行，形成工序在准备工序中执行，且在处理工序中执行，在第1工序中不生成第1气体的等离子体。
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