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公开(公告)号：CN105244372B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510378428.4
申请日：2015-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/31116 , H01L21/76814 , H01L2221/1063
Abstract: 本发明提供对被处理体进行处理的方法。一实施方式的方法为对被处理体进行处理而形成从氧化区域通过两个隆起区域之间到达基底层的开口的方法。该方法包括：(1)在氧化区域形成使氮化区域的第二部分在两个隆起区域之间露出的开口的工序；和(2)对开口内的氧化硅制的残渣和第二部分进行蚀刻的工序。在对残渣和第二部分进行蚀刻的工序中，通过将被处理体暴露于包含含有氢气体和NF3气体的混合气体的等离子体中使残渣和第二部分变质，而形成变质区域，并将该变质区域除去。
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公开(公告)号：CN109219866A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780031109.3
申请日：2017-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 辻晃弘
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H05H1/46
Abstract: 包括：利用在处理容器内生成的处理气体的等离子体，在多个含硅区域(R1、R2、R3)中的任一个以上的表面形成蚀刻辅助层(ML)的第1步骤；和对蚀刻辅助层(ML)施加能量的第2步骤，能量是能够除去蚀刻辅助层(ML)的能量以上的能量，比位于蚀刻辅助层(ML)的正下方的区域能够被溅射的能量小，反复执行包括第1步骤和第2步骤的流程。
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公开(公告)号：CN105810579A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610018014.5
申请日：2016-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在防止开口被闭塞的同时相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括以下工序：第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，从而在被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有含氧气体和非活性气体的处理气体的等离子体；以及第3工序，在该第3工序中，利用堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。在该蚀刻方法中，重复执行包含第1工序、第2工序、以及第3工序的序列。
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公开(公告)号：CN105914144B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201610098824.6
申请日：2016-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种在对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的技术中抑制由氮化硅构成的第2区域被削去且使处理时间较短的蚀刻方法。在本发明的蚀刻方法中，为了对第1区域进行蚀刻而执行一次以上的序列。一次以上的序列中的各个序列具有如下工序：在被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物的第1工序和利用堆积物所含有的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2工序。在执行一次以上的序列之后，生成含有碳氟化合物气体的第2处理气体的等离子体而对第1区域进一步进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN105810579B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201610018014.5
申请日：2016-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在防止开口被闭塞的同时相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括以下工序：第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，从而在被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有含氧气体和非活性气体的处理气体的等离子体；以及第3工序，在该第3工序中，利用堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。在该蚀刻方法中，重复执行包含第1工序、第2工序、以及第3工序的序列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105810582A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610025668.0
申请日：2016-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；(b)第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内进一步生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；以及(c)第3工序，在该第3工序中，利用通过第1工序和第2工序而形成在被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。第1工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率小于第2工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率。
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公开(公告)号：CN109196624B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201780030915.9
申请日：2017-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种相对于由氮化硅形成的第二区域，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第一区域的方法。该方法包括：第一步骤，在收纳有被处理体的处理容器内生成包含碳氟化合物气体、含氧气体和不活泼气体的处理气体的等离子体，并且在被处理体上形成包含碳氟化合物的堆积物；和第二步骤，使用包含于堆积物中的碳氟化合物的自由基，蚀刻第一区域，反复执行包含第一步骤和第二步骤的流程。
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公开(公告)号：CN105810582B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201610025668.0
申请日：2016-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；(b)第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内进一步生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；以及(c)第3工序，在该第3工序中，利用通过第1工序和第2工序而形成在被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。第1工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率小于第2工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率。
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公开(公告)号：CN105244372A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510378428.4
申请日：2015-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/31116 , H01L21/76814 , H01L2221/1063 , H01L29/66795 , H01L29/401
Abstract: 本发明提供对被处理体进行处理的方法。一实施方式的方法为对被处理体进行处理而形成从氧化区域通过两个隆起区域之间到达基底层的开口的方法。该方法包括：(1)在氧化区域形成使氮化区域的第二部分在两个隆起区域之间露出的开口的工序；和(2)对开口内的氧化硅制的残渣和第二部分进行蚀刻的工序。在对残渣和第二部分进行蚀刻的工序中，通过将被处理体暴露于包含含有氢气体和NF3气体的混合气体的等离子体中使残渣和第二部分变质，而形成变质区域，并将该变质区域除去。
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公开(公告)号：CN109219866B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201780031109.3
申请日：2017-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 辻晃弘
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H05H1/46
Abstract: 包括：利用在处理容器内生成的处理气体的等离子体，在多个含硅区域(R1、R2、R3)中的任一个以上的表面形成蚀刻辅助层(ML)的第1步骤；和对蚀刻辅助层(ML)施加能量的第2步骤，能量是能够除去蚀刻辅助层(ML)的能量以上的能量，比位于蚀刻辅助层(ML)的正下方的区域能够被溅射的能量小，反复执行包括第1步骤和第2步骤的流程。
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