公开(公告)号：CN110957990A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201911127993.8

申请日：2019-11-18

Applicant: 武汉大学

Inventor： 孙成亮 ,  刘婕妤 ,  周杰 ,  童欣 ,  邹杨 ,  徐沁文

IPC: H03H9/17

Abstract: 本发明公开了一种超高频谐振器的调频方法。本发明在超高频谐振器的压电材料上沉积一层材料，沉积的材料直接与压电材料层接触；根据调频的范围设计沉积的材料的厚度；所述的沉积的材料，沉积的厚度与调频的范围有关，需根据滤波器所在频段来定义且沉积的厚度越厚，调频的范围越大。本发明的优点在于仅通过增加一层材料就可以改变谐振器的谐振频率而达到调频的作用。

公开(公告)号：CN110560351A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910752780.8

申请日：2019-08-15

Applicant: 武汉大学

Inventor： 孙成亮 ,  王磊 ,  吴志鹏 ,  朱伟 ,  胡博豪 ,  林炳辉 ,  周禹

IPC: B06B3/00 ,  B06B1/06

Abstract: 本发明涉及一种基于Helmholtz共振腔的可调频声波接收装置，包括Helmholtz共振腔和声学传感器，所述Helmholtz共振腔包括腔体以及与所述腔体连通的通孔，所述Helmholtz共振腔设置在所述声学传感器上且所述腔体与所述声学传感器的表面接触连接。本发明将MEMS声学传感器和Helmholtz共振腔相结合，灵敏度高，能够提高超声换能器的电声能量转换效率。

公开(公告)号：CN108917991B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201810685353.8

申请日：2018-06-28

Applicant: 武汉大学

Inventor： 蔡耀 ,  唐楚滢 ,  周杰 ,  邹杨 ,  胡博豪 ,  孙成亮

IPC: G01L1/16 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法，所述压电MEMS传感器包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。本发明压电MEMS传感器，当压电堆叠结构、基底顶层和基底中间层发生形变时，由于镂空槽的存在，使得压电薄膜的挠曲变形增大，压电薄膜的应变程度得到加强，输出更强的电信号，从而提升压电传感器的灵敏度。

公开(公告)号：CN109541259A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811478990.4

申请日：2018-12-05

Applicant: 武汉大学

Inventor： 徐沁文 ,  张一 ,  蔡耀 ,  谢英 ,  孙成亮

IPC: G01P15/093

CPC classification number: G01P15/093

Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度的光学式加速度传感器及其制备方法，光学式加速度传感器从下往上依次包括衬底、振动顶层、振动块和光学敏感元件，本发明首先在衬底上刻蚀出空腔，然后在空腔内填充牺牲层，之后在衬底上沉积振动顶层，在振动顶层上沉积振动块，然后在振动顶层上刻蚀释放孔，通过释放孔将牺牲层腐蚀掉形成振动空腔。本发明灵敏度高，光在光导中的能量损耗较低，该传感器具有较高的品质因子。本发明的加速度传感器还具有能与CMOS工艺兼容、体积小等优点。

公开(公告)号：CN109489843A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811270252.0

申请日：2018-10-29

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘婕妤 ,  邹杨 ,  高超 ,  周杰 ,  胡博豪 ,  刘炎 ,  孙成亮

IPC: G01K5/28 ,  G01K11/26

Abstract: 本发明提供了一种高灵敏度传感器及其制备方法。本发明提供的高灵敏度传感器，其特征在于，包括：衬底，内部具有密闭的空腔，该空腔内充有惰性气体，且气压小于1atm；和谐振部，形成在衬底上，包括：底电极、压电中间层、和上电极或叉指电极。根据本发明提供的高灵敏度传感器，当环境温度发生变化时，空腔内部的惰性气体的体积会随温度而变化，从而引起谐振部的底电极和压电中间层的应变形变，使谐振部的频率发生改变，通过检测频率的改变可以实现灵敏的传感。通过谐振部可以提升传感器的灵敏度，从而提高传感器性能。

公开(公告)号：CN108964629A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810725684.X

申请日：2018-07-04

Applicant: 武汉大学

Inventor： 邹杨 ,  周杰 ,  蔡耀 ,  唐楚滢 ,  胡博豪 ,  高超 ,  孙成亮

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H9/02015 ,  H03H9/171 ,  H03H2009/02196

Abstract: 本发明属于微电子技术，具体涉及一种可调谐的薄膜体声波谐振器，包括衬底、空腔、底电极层、调谐层和压电震荡堆；压电震荡堆包括中间电极层、压电层和上电极层；直流偏压施加于中间电极层和底电极层上。该薄膜体声波谐振器直流偏压加在所述底电极和中间电极上，调谐层具有压电特性，且和底电极层均采用环状。这样在较小的直流偏压下，FBAR可以产生较大的偏置位移，从而产生较大的特征频率的改变。因此，可以在低压下实现FBAR谐振频率的较大调节，能极大的扩展FBAR的应用范围。

公开(公告)号：CN108917991A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810685353.8

申请日：2018-06-28

Applicant: 武汉大学

Inventor： 蔡耀 ,  唐楚滢 ,  周杰 ,  邹杨 ,  胡博豪 ,  孙成亮

IPC: G01L1/16 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了高灵敏度压电MEMS传感器及其制备方法，所述压电MEMS传感器包括基底和压电堆叠结构；所述基底从下至上依次为基底底层、基底中间层和基底顶层；所述基底底层设有背腔，所述基底顶层设有规律分布的镂空槽；所述压电堆叠结构设有贯通压电堆叠结构、且与镂空槽相通的若干释放孔。本发明压电MEMS传感器，当压电堆叠结构、基底顶层和基底中间层发生形变时，由于镂空槽的存在，使得压电薄膜的挠曲变形增大，压电薄膜的应变程度得到加强，输出更强的电信号，从而提升压电传感器的灵敏度。

公开(公告)号：CN108832704A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810763070.0

申请日：2018-07-12

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘炎 ,  胡博豪 ,  林炳辉 ,  高超 ,  黄佳晟 ,  孙成亮

IPC: H02J7/32

Abstract: 本发明提供了一种带有发电装置的手机，所述手机包括手机本体和电池，所述发电装置设置于所述手机本体的内部，所述发电装置包括：传动机构和发电模块，其中发电模块包括电磁感应模块和转换电路，所述电磁感应模块与所述传动机构连接，所述转换电路的输入端与所述电磁感应模块的连接，所述转换电路的输出端与所述电池连接。本发明实现了在各种情形下都可以方便地充电的技术效果。

公开(公告)号：CN108566174A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810343079.6

申请日：2018-04-17

Applicant: 武汉大学

Inventor： 蔡耀 ,  唐楚滢 ,  周杰 ,  邹杨 ,  孙成亮

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/10 ,  H03H9/17

Abstract: 本发明公开一种预设空腔防护墙型薄膜体声波谐振器及制备方法，所述薄膜体声波谐振器包括带预设空腔的SOI基片衬底和换能器堆叠结构；所述预设空腔由侧壁的防护墙和底部的防护底围成，所述防护墙和所述防护底用来保证SOI基片衬底不被过度腐蚀；所述换能器堆叠结构位于所述SOI基片衬底上、且与所述预设空腔相对；所述换能器堆叠结构上设有贯穿换能器堆叠结构、且与所述预设空腔相通的至少一释放通道。本发明可避免预设空腔腐蚀过程中的腐蚀不够和腐蚀过度，能够精准控制预设空腔的大小和形状，实现薄膜体声波谐振器的有效制备。

公开(公告)号：CN118450310A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410483816.8

申请日：2024-04-22

Applicant: 武汉大学

Inventor： 刘炎 ,  黄潇鸣 ,  孙成亮 ,  国世上 ,  魏民 ,  谷曦宇 ,  曲远航 ,  任玉奇 ,  郑宇鹏

IPC: H04R31/00 ,  H10N30/50

Abstract: 本申请提供了基于复合压电薄膜的音频芯片组件及制备方法，音频芯片组件包括衬底以及依次沉积于所述衬底上的下电极、第一压电层、中电极、第二压电层和上电极，所述第一压电层具有低介电常数和低压电系数，所述第二压电层具有高介电常数和高压电系数。本申请提供的基于复合压电薄膜的音频芯片组件，将具有低介电损耗、较差压电性能的压电层与具有高介电损耗、高压电性能的压电层组合为双晶片或多晶片结构，各压电层优势互补，使压电薄膜整体具有良好的压电性能和介电性能。