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公开(公告)号：CN208433920U
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201821086949.8
申请日：2018-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种阶数可控的CMOS多阶射频整流器，包括1个基本差分整流单元、n-1个使能差分整流单元和n个控制单元。本实用新型通过地端控制的接入，降低整流器的关断功耗，主要解决现有技术关断功耗较大的问题，并且可对本结构进行扩展级联得到的阶数可控n阶整流器，可以实现工作阶数可控功能，实现最大功率工作。本实用新型能够显著降低整流器的关断功耗，为多阶整流器低功耗待机提供一种参考方案。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205647445U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620433337.6
申请日：2016-05-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供一种具有频段切换功能的低噪声放大器，属于集成电路设计领域，采用并联两支路来增加版图中联线的宽度的同时，在两支路之间引入电容，从而实现不同频段之间匹配的切换。在两支路中分别引入开关控制的电容，从而实现工作频率点的切换。现有多频段低噪声放大器每个频段都需要输入匹配和输出匹配各一个，而每个匹配都需要单独的电感和电容，这样在设计上就增加了芯片面积的成本，本方案可以有效的降低芯片面积。本实用新型由于采用切换电容的方法来切换频段，因此在保持较性能的同时大大降低了面积，同时输入输出匹配方法也大大降低了面积。
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公开(公告)号：CN204103896U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420611630.8
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本实用新型公开一种环形振荡器，主要由3个串联的差分延迟单元D1～D3和1个注入单元INJ组成。从第一个延迟单元的输入端到第三个串联延迟单元的输出端实现180度的相移，多个环路反馈减少了延迟时间，进一步提高振荡频率。差分延迟单元具有粗调和细调电路，该粗调电路用于设置最小时延或最大时延，该细调电路用于最小时延和最大时延之间进行调整。注入单元的栅级注入输出信号频率的次谐波信号，改善了振荡器的抖动性能。本实用新型具有宽频率范围的粗细双调谐功能，电压灵敏度低，减少偏置电压波动影响，能实现了低抖动的输出时钟信号，可应、用于无线接收机频率合成器或时钟数据恢复电路中。
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公开(公告)号：CN218240762U
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202222801043.2
申请日：2022-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开一种高精度全CMOS曲率补偿基准电压源，PTAT电流参考电路和CTAT电流参考电路分别产生与温度正相关的参考电流IP和与温度负相关的参考电流IN。温度补偿电路将参考电流IN和IP分别以不同倍数作和，得到温度依赖性低的初始基准电流IREF1。曲率补偿电路将参考电流IN和IP进行不同比例缩放，并根据基尔霍夫电流定律，通过两个相反温度系数电流的比较，得到一个凹型曲线的补偿电流IV。基准电压输出电路将初始基准电流IREF1和补偿电流IV按适当权重相加，得到温度依赖性更小的最终基准电流IREF，最后通过电压产生电路输出低温漂系数的基准电压VREF。本实用新型输出的基准电压温漂低、电源抑制比高、电压调整率低；并具有功耗和生产成本低的特点。
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公开(公告)号：CN213693674U
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202023079781.8
申请日：2020-12-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/12 , H03M1/06 , H03M1/10 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本实用新型公开一种应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，采用单相时钟SP，在采样时通过第一级自举电路和辅助级自举电路将采样MOS管MS的栅极电压置为Vin+2VDD，从而使得采样MOS管MS的栅极‑源极电压差在采样阶段恒定为2VDD，采样管的导通电阻进一步变小，使线性度提高，采样开关电路的精度也有所提高；基于提出的两级自举电路，采用第六NMOS管M6和第七NMOS管M7串联作为采样MOS管MS的衬底开关，当处于采样模式时，采样MOS管MS的栅极电位与衬底电位保持一致，减小采样MOS管MS的衬偏效应，降低谐波失真。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212435678U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021448729.2
申请日：2020-07-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本实用新型公开一种有源‑无源噪声整形逐次逼近ADC，包括DAC电容阵列DAC1和DAC2、有源‑无源噪声整形模块(包括无源积分器PINT1和正反馈有源‑无源积分器APINT2)、六输入比较器COMP、逐次逼近逻辑模块SAR、时钟生成模块CKG、基准电压生成模块BGVG。本实用新型在有源‑无源噪声整形模块中使用最简单的MOS晶体管共源级结构，使低增益有源放大器和正反馈相结合，仅消耗几十微瓦便可获得良好的噪声整形特性，能在传统逐次逼近ADC基础上提升有效位数超过5位。该实用新型可用于低功耗、高精度的模数转换场景，例如生物医学信号采集，高精度仪表设计等领域，具有良好的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210297544U
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201920282203.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路，包括2个多能量升压单元；每个多能量升压单元各由1个高电压钳位电路、1个低电压钳位支路和1个输出电路构成。2个高电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个低电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个输出电路各包括1个PMOS管和1个NMOS管。本实用新型通过对两种形式的能量进行整合，解决现有技术对单一能量要求严苛问题，降低最低启动电压。本实用新型使用范围广，可广泛应用在能量收集系统中，降低自启动所需求的电压值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207742590U
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201820092451.6
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型公开一种三输出低温漂低功耗基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和三输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供三输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。三输出基准电压产生电路，用于产生低温漂的三个基准电压。本实用新型能够解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数较差，以及功耗较大的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206259921U
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201621315892.5
申请日：2016-12-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M1/34
Abstract: 本实用新型公开一种快速响应动态锁存比较器，包括尾开关单元、预放大输入单元、预放大复位单元、锁存输入单元、交叉耦合锁存结构单元、隔离开关单元、锁存复位单元和正反馈单元。隔离开关单元在复位阶段截止，并在锁存输入NMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的PMOS管栅电位为地GND，在锁存复位PMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的NMOS管栅电位为VDD，使得交叉耦合锁存结构在进入比较阶段时迅速建立正反馈，进而提高比较器速度。本实用新型能够在不增加功耗的前提下，改善了传统双尾动态锁存比较器随差分输入电压减小延时急剧增加的不足，降低了比较器延时对差分输入电压的灵敏度，提高了比较器性能。
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公开(公告)号：CN205622605U
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201620243088.4
申请日：2016-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03G3/30
Abstract: 本实用新型公开一种宽增益动态范围的CMOS可变增益放大器，包括至少一个基本可变增益电路、伪指函数发生电路、固定增益放大电路和偏置电路。偏置电路的输出端连接基本可变增益电路、伪指函数发生电路和固定增益放大电路。伪指函数发生电路的输入端接入增益控制电压信号Vc，伪指函数发生电路的输出端接入基本可变增益电路的伪指偏置端。基本可变增益电路的输入端接入输入电压信号，基本可变增益电路的输出端连接固定增益放大电路的输入端，固定增益放大电路的输出端送出输入电压信号。本实用新型能够达到较宽的增益可调范围，同时实现增益dB线性变化。
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