公开(公告)号：CN111778437A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010679019.9

申请日：2020-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 闫二虎 ,  刘威 ,  王豪 ,  陈运灿 ,  王金华 ,  狄翀博 ,  王星粤 ,  孙立贤

IPC: C22C30/00 ,  B01D53/22 ,  B01J23/847 ,  B22D11/06

Abstract: 本发明公开了一种薄带状晶态Nb-Ti-Co氢分离材料，由Nb、Ti、Co为原料，熔炼为母合金后，经熔体旋淬得到非晶态合金，再经退火工艺形成晶态合金，所得材料为薄带状，其合金组织由作为渗氢相，起扩散作用的白色粒状α-Nb相和作为抗氢脆相，起抗氢脆作用的灰色TiCo相组成，两相呈镶嵌分布。其制备方法包括以下步骤：1）母合金的熔炼；2）薄带状非晶态Nb-Ti-Co氢分离材料的制备；3）薄带状晶态Nb-Ti-Co氢分离材料的制备。作为渗氢材料的应用，在673K温度下其氢透率为1-2.5×10−8 molH2m−1s−1Pa−1/2。在纯氢气氛下其氢通量为14-18ccH2cm−2min−1，抗氢脆时间不少于110h。作为氢分离材料的应用，在氢气和二氧化碳或一氧化碳组成的二元混合气体条件下，有效分离氢气，并且抗氢脆时间不少于30 h。

公开(公告)号：CN111644600A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010654545.X

申请日：2020-07-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 闫二虎 ,  王豪 ,  刘威 ,  陈运灿 ,  王金华 ,  狄翀博 ,  孙立贤

IPC: B22D27/04 ,  C22C30/00 ,  C22C19/07 ,  C22C1/03 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  C01B3/00

Abstract: 本发明公开了一种具有连续渗氢相的Nb-Zr-Co氢分离材料，以Nb、Zr、Co为原料，熔炼为母合金后，经定向凝固技术制得；合金微观结构由含锆的铌基固溶体和锆钴金属化合物构成，其构成相为全共晶相，由体心立方结构的初生铌相和锆钴金属间相构成，其中，初生铌相为渗氢相，锆钴金属间相为抗氢脆相；所述渗氢相直径为0.5-3 nm，渗氢相生长方向沿定向凝固抽拉方向规则连续生长，且渗氢相被抗氢脆相包围。其制备方法包括以下步骤：1）母合金的熔炼；2）母合金的定向凝固。作为渗氢材料的应用，在673K时的渗氢率为3.5×10-8-4×10-8 mol H 2m-1 s-1 Pa-1/2；抗氢脆性耐久时间不少于10.3 h。本发明具有渗氢相规则连续生长、渗氢通道短、抗氢脆能力强的优点。

公开(公告)号：CN205647445U

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201620433337.6

申请日：2016-05-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 岳宏卫 ,  王豪 ,  韦保林 ,  徐卫林 ,  段吉海 ,  韦雪明

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/195

Abstract: 本实用新型提供一种具有频段切换功能的低噪声放大器，属于集成电路设计领域，采用并联两支路来增加版图中联线的宽度的同时，在两支路之间引入电容，从而实现不同频段之间匹配的切换。在两支路中分别引入开关控制的电容，从而实现工作频率点的切换。现有多频段低噪声放大器每个频段都需要输入匹配和输出匹配各一个，而每个匹配都需要单独的电感和电容，这样在设计上就增加了芯片面积的成本，本方案可以有效的降低芯片面积。本实用新型由于采用切换电容的方法来切换频段，因此在保持较性能的同时大大降低了面积，同时输入输出匹配方法也大大降低了面积。