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公开(公告)号：CN1242656C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02807326.6
申请日：2002-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32954 , H01J37/3299
Abstract: 通过等离子体处理装置中的导波管(26)向处理室中导入微波，产生等离子体。通过反射监测器(40)和功率监测器(42)监测被在处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率。此外，通过入射监测器(36)和频率监测器(48)监测由磁控管(24)产生的微波的频率。根据监测的反射波功率和频率控制供给到磁控管的功率。通过这种方法来控制等离子体密度使其恒定。
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公开(公告)号：CN1691980A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100226.9
申请日：2003-10-14
CPC classification number: B01J12/007 , B01J21/04 , B01J23/42 , B01J37/0225 , B01J37/0226 , B01J37/08 , C01B5/00
Abstract: 在水分发生用反应炉的反应用空间的内壁面，能够廉价而且简单地形成厚度均匀的对母材附着力强，并且对铂皮膜的保护功能强的隔离皮膜。在不进行高温燃烧而使氢和氧反应产生水分的水分发生用反应炉中，水分发生用反应炉用含铝的合金形成，对该水分发生用反应炉的内壁面，实施铝的选择氧化处理，形成以氧化铝(Al2O3)为主体的隔离皮膜，然后在该隔离皮膜的上面层合附着铂皮膜，形成铂涂层催化层。
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公开(公告)号：CN1225680C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN99801416.8
申请日：1999-08-09
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G05D7/0658 , G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种流体可变式流量控制装置，通过一台流量控制装置可自由地改变最大刻度流量，且能以高精度控制多种流体的流量。具体地，在将节流孔上游侧压力P1保持在下游侧压力P2的约2倍以上、进行流体的流量控制的流量控制装置FCS中，包括：为了依据流体的种类或流量范围而设定适当的节流孔直径而设置成可自由更换的节流孔8；设置在其上游侧的控制阀2；设置在控制阀2与节流孔8之间的压力检测器6；从该压力检测器6的上游侧检测压力P1以流量为Qc＝kP1(k为常数)进行演算的流量演算回路14；将流量设定信号Qe输出的流量设定回路16；为了切换最大刻度流量，将演算流量信号Qc乘以流量变换率k，变换成切换演算流量信号Qf(Qf＝kQc)的流量变换回路18；以该Qf与Qe之差作为控制信号Qy并输出给控制阀2的驱动部4的演算控制回路20，开闭控制阀2，使Qy为零。
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公开(公告)号：CN1679380A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03819972.6
申请日：2003-08-25
CPC classification number: H05K1/024 , H05K3/4676 , H05K3/4688
Abstract: 一种电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法，在具有绝缘体层和埋入该绝缘体层内部的导体(104)的电路衬底(100)中，在所述绝缘体层在介电常数为εr，相对磁导率为μr时，具有满足μr≥εr的关系的第一绝缘体(101)，并利用该第一绝缘体将所述导体实质地包围。
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公开(公告)号：CN1217390C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02800921.5
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/32192
Abstract: 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1630030A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410098703.9
申请日：2002-03-28
Applicant: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/50
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/511 , C30B25/105 , H01J37/32192
Abstract: 本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。
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公开(公告)号：CN1205504C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02142050.5
申请日：2002-08-23
IPC: G02F1/136 , G02B6/12 , C03C15/00 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136213 , H01L29/41733 , H01L29/78633
Abstract: 制造具有埋置式结构的基片的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的玻璃基片；通过湿法蚀刻工艺在玻璃基片的主表面制成凹槽；和在玻璃基片的主表面沉积第1材料，并用其填充凹槽，制成具有与主表面基本齐平的表面的埋置式结构，制成凹槽的步骤包括：使用包含氢氟酸、氟化铵、和盐酸或草酸的蚀刻剂进行湿法蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN1144896C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN00137365.X
申请日：2000-12-07
IPC: C23C16/00 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 本发明的等离子体处理装置具有向处理室12内放射等离子体的电介质板5和支承该电介质板5的电介质支承部件6A～6D。在电介质支承部件6A～6D上设置向处理室内部12供给反应气体的多个气体导入孔6a。该气体导入孔6a的吹出口朝着基板8的表面开口，且被配置在电介质板5的外周区域上。容器盖1及电介质板支承部件6A～6D施加接地电位，基板8上施加偏电位。从而，可以得到使用均匀的等离子体均匀地处理大面积基板，且成本低的等离子体处理装置。
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公开(公告)号：CN1478296A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN02803238.1
申请日：2002-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/66757 , H01L29/78603
Abstract: 一种基片处理装置，它具有：处理空间，设有用于支承被处理基片的支承台；氢催化部件，与所述被处理基片正对着设置在所述处理空间中，用于将氢分子分解成氢基H*；气体供给口，设置在所述处理空间内、相对于所述氢催化部件与所述被处理基片正对的一侧，用于导入至少含有氢气的处理气体；其中，将所述氢催化部件和所述支承台上的被处理基片之间的间隔，设定在所述氢基H*能够到达的距离以内。
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公开(公告)号：CN1402066A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02142050.5
申请日：2002-08-23
IPC: G02F1/136 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136213 , H01L29/41733 , H01L29/78633
Abstract: 制造具有埋置式结构的基片的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的玻璃基片；通过湿法蚀刻工艺在玻璃基片的主表面制成凹槽；和在玻璃基片的主表面沉积第1材料，并用其填充凹槽，制成具有与主表面基本齐平的表面的埋置式结构，制成凹槽的步骤包括：使用包含氢氟酸、氟化铵、和盐酸或草酸的蚀刻剂进行湿法蚀刻工艺。
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