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公开(公告)号：CN113283085A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110585878.6
申请日：2021-05-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: G06F30/20 , G16C10/00 , G16C20/10 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种选通器开关的仿真方法，包括通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型，根据所述二维模型的参数计算银原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率以及银原子扩散概率，根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散，能够直观地观察选通器在选通开关过程中银导电细丝在阻变层中的生长演化过程，从各个方面揭示了选通器开关的微观阻变过程，保证了选通器开关仿真的准确性。本发明还提供了一种选通器开关的系统。
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公开(公告)号：CN110416287B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910618158.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/36 , H01L21/336 , H01L27/108
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种外延TFET沟道的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明的半浮栅晶体管包括：衬底，具有第一掺杂类型，并有第二掺杂类型的重掺杂区；第一栅氧化层，部分覆盖重掺杂区；轻掺杂硅层，在重掺杂区表面上并延伸覆盖部分第一栅氧化层；第一多晶硅层，具有第一掺杂类型，在第一栅氧化层上，并覆盖部分所述轻掺杂硅层；第二栅氧化层，在第一多晶硅层和轻掺杂硅层上；第二多晶硅层，具有第二掺杂类型，在第二栅氧化层上；栅极侧墙；源区和漏区，在衬底中、栅极侧墙两侧。本发明提高了沟道和漏端电场随位置变化的斜率，使得TFET的隧穿从点隧穿变为面隧穿，从而大大提高半浮栅晶体管的隧穿几率，提高器件的速度。
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公开(公告)号：CN110788840A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911241810.5
申请日：2019-12-06
Abstract: 本发明提供一种柔性可离合外骨骼关节致动器，安装于与人体下肢的平行并联的矫形器外骨骼的大腿和小腿之间，用于提供关节非使能状态时的被动顺应性和单边出线的结构，包括：内部安装有电机定子的电机底座、设置于电机定子内部的电机转子、依次连接的输出部和减速器以及贯穿电机定子、减速器和输出部的旋转部，其中，输出部包括：输出盘、外圈转角反馈板、第一磁环、多个磁编码线性传感、小腿锁紧连接盘、碟簧以及关节绝对转角反馈杆，减速器包括：小腿连接盘、减速器刚轮、减速器柔轮以及减速器波发生器，旋转部包括：转子连接件、轴承组、中空定心轴以及关节绝对运动反馈轴。本发明降低了结构的复杂性和重量，提高了整体安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN110416086A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910618213.3
申请日：2019-07-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种FD-SOI结构的半浮栅晶体管及其制备方法。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底内具有第一类型掺杂区和第二类型的轻掺杂区，两区相互邻接；第一栅极叠层，包括第一栅氧化层和第一多晶硅层，第一栅氧化层覆盖第一类型掺杂区，并部分覆盖轻掺杂区，第一多晶硅层具有第一掺杂类型，覆盖第一栅氧化层，并延伸至轻掺杂区，与之相接触；第二栅极叠层，包括第二栅氧化层和第二多晶硅层，形成在第一多晶硅层上；栅极侧墙，形成在第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；源区和漏区，形成在半导体衬底中、第一、第二栅极叠层两侧。本发明的寄生电容更小，漏电流更低，器件的运行速度更快；此外还消除了闩锁效应。
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公开(公告)号：CN119996139A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510141438.X
申请日：2025-02-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光生毫米波通信技术领域，具体涉及一种光生毫米波通信系统及其信道响应估计方法，可以实现在光生毫米波通信系统中直接估计信道响应，该方法先利用滤波器均衡方式补偿采样频率偏移，再利用滤波器均衡方式人为添加特定数值的采样频率偏移，最后对收发信号做互相关同步并提取同步峰，其中任何一个同步峰组即为估计出的信道响应。与现有技术相比，本发明具有实现简单、复杂度低、灵活性强等优点，且由于是在数字信号处理中实现，可极大地提升系统的灵活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114256075B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202111437261.6
申请日：2021-11-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种高速低漏电的分栅型半浮栅晶体管及其制备方法。该高速低漏电的分栅型半浮栅晶体管的衬底中形成有U形沟槽，半浮栅和控制栅均嵌入在该U形沟槽中，分离栅形成在半浮栅和控制栅上方，并且控制栅和分离栅均采用金属。能够有效提高器件集成密度，提升器件的开关速度，减小器件的漏电，降低器件工作功耗，有利于器件的后续电路设计及芯片集成。
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公开(公告)号：CN114224445B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202111543572.0
申请日：2021-12-16
Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院
IPC: A61B17/34
Abstract: 本发明涉及一种直视下建立血管隧道装置，所述的直视下建立血管隧道装置包括皮下隧道器、充气装置和电子显微镜；所述的皮下隧道器本体为圆柱形结构，前端为直径渐渐收缩结构；所述的皮下隧道器内部分别设有中空结构的气体通道和显微镜通道；所述的充气装置包括充气囊和充气管；所述的充气管直径小于气体通道的直径；所述的电子纤维镜包括显示屏和纤维管道；所述的纤维管道末端与显示屏连接，且所述纤维管道前端内部照明灯和摄像头；所述的纤维管道的直径小于显微镜管道的直径。其优点表现在：在皮下建立血管通道时，可直接血管隧道器在皮下推进的过程，避免血管、神经及肌肉损伤，同时便于调整推进方向，精确对准血管吻合口，避免临床并发症。
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公开(公告)号：CN113889436B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202111070720.1
申请日：2021-09-13
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种环栅结构源漏的外延制备方法以及环栅结构，其中的方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成多个鳍片，沿沟道方向，相邻的两个鳍片之间具有凹槽；在所述衬底上淀积非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火，以使所述非晶硅层结晶形成单晶硅层；以所述单晶硅层的表面为起始表面，外延生长锗硅材料，形成锗硅体层；在所述锗硅体层形成环栅结构的源/漏区；通过在凹槽淀积非晶硅层，然后将非晶硅层经过退火处理结晶成单晶硅层，以单晶硅层为起始表面生长锗硅体层的方法，能够制备出无位错高质量的硅锗体层，为沟道提供足够的应力，提升环栅器件的空穴迁移率，进而提高环栅器件的开启电流。
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公开(公告)号：CN116666220A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310543733.9
申请日：2023-05-15
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种内侧墙沟槽的制备方法，包括：提供一待刻蚀对象；待刻蚀对象包括：衬底以及形成于衬底上的沿远离衬底方向上间隔堆叠的若干沟道层与若干牺牲层；对待刻蚀对象沿第一方向进行刻蚀，直至衬底的表层，以形成源漏空腔；同时对待刻蚀对象中的牺牲层沿第二方向进行刻蚀，以形成内侧墙空腔；其中，第一方向表征了若干沟道层与若干牺牲层堆叠的方向；第二方向垂直于第一方向；其中，对牺牲层沿第二方向进行刻蚀时，刻蚀速率为：0.05nm/s‑0.3nm/s。本发明提供的技术方案，解决了沟道层过久暴露在刻蚀环境中造成刻蚀损伤的问题，进而实现了器件电学性能的提升，同时避免了后续的源漏SiGe外延工艺可能产生的不利影响。
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公开(公告)号：CN116246956A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310219238.2
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的钝化层的制备方法，包括：将待钝化的样品传至经预处理的反应腔中，并对反应腔进行第一处理；在反应腔中通入前驱体气体，使其吸附在样品表面；在反应腔中通入惰性气体进行吹扫；在反应腔中通入氮氢混合气体，并形成氮氢等离子体，使其与吸附在样品表面的前驱体气体发生反应生成第一钝化层；在反应腔中通入惰性气体，对多余的氮氢等离子体和反应副产物进行吹扫；在反应腔中通入惰性气体，形成第二等离子体，对第一钝化层进行处理，增加其致密度；在反应腔中通入惰性气体，对多余的第二离子体进行吹扫；重复上述步骤，以获得目标厚度的第一钝化层。
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