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公开(公告)号：CN119397751A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411417369.2
申请日：2024-10-11
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/20 , G06F30/367 , G06F119/08
Abstract: 一种器件自热计算、电路仿真方法及计算机程序产品，应用于电路仿真技术领域，其中一种器件自热计算方法包括：获取待仿真电子器件的热模型和热模型参数；获取当前的温度和当前的器件仿真功率，并基于当前的温度、当前的器件仿真功率、热模型和热模型参数获取待仿真电子器件的自热解析模型；确定待仿真电子器件当前的自热初始温度和当前的仿真时长，并根据自热解析模型得到待仿真电子器件在热模型参数、当前的器件仿真功率和当前的自热初始温度的情况下，经过当前的仿真时长后由当前的温度所达到的当前的自热仿真温度。由于根据自热解析模型计算待仿真电子器件的自热，相当于基于时间的演进计算自热仿真，使得减少仿真计算量。
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公开(公告)号：CN119342892A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411306425.5
申请日：2024-09-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成堆叠结构，堆叠结构包括：第一有源结构和第二有源结构；在半导体衬底上形成覆盖堆叠结构的氧化层；形成覆盖氧化层的伪栅结构；伪栅结构包括第一伪栅结构和第二伪栅结构；基于覆盖有氧化层的第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除半导体衬底；基于覆盖有氧化层的第二有源结构，形成第二晶体管；对第一伪栅结构的第一部分进行氧化处理，以在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成第一栅极隔离结构；和/或，对第二伪栅结构的第一部分进行氧化处理，以在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成第二栅极隔离结构。
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公开(公告)号：CN119342883A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411306997.3
申请日：2024-09-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的栅极互连方法、晶体管、器件及设备。其中，栅极互连方法包括：在衬底上形成包括第一有源结构和第二有源结构的有源结构；基于第一有源结构，形成包括第一栅极结构的第一晶体管；倒片并暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成包括第二栅极结构的第二晶体管；在形成第二晶体管之前，基于第一栅极结构，形成第一绝缘层，并通过材料的选择性刻蚀第一绝缘层和第一栅极结构，形成互连结构；和/或，在形成第二栅极结构之后，基于第二栅极结构，形成第二绝缘层，并通过材料的选择性刻蚀第二绝缘层和第二栅极结构，形成互连结构，互连结构用于连接第一栅极结构与第二栅极结构。本申请可以降低栅极互连对光刻的要求。
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公开(公告)号：CN119153405A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411137599.3
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L23/528
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底上形成第一鳍状结构、中间叠层和第二鳍状结构；形成第一电源轨结构；在第一正面源漏区域进行鳍切处理，以形成第一间隙；基于第一间隙，形成第一中间隔离层；刻蚀位于第一正面源漏区域中的第一中间隔离层，以形成第二间隙；基于第二间隙，形成正面金属电连层；形成第一半导体结构；倒片并去除衬底；形成第二电源轨结构；在第一背面源漏区域和第二背面源漏区域进行鳍切处理，以形成第三间隙；基于第三间隙，形成第二中间隔离层；刻蚀位于第二背面源漏区域中的第二中间隔离层，以形成第四间隙；基于第四间隙，形成背面金属电连层；形成第二半导体结构。
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公开(公告)号：CN118965957A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410943292.6
申请日：2024-07-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/27 , G06F119/14 , G06F119/04
Abstract: 本申请提出一种半导体器件老化效应的建模方法，包括：确定能反映半导体器件老化效应的BSIM‑CMG模型特征参数；建立基于BSIM‑CMG模型特征参数的含时、含偏压依赖性的老化效应的可靠性模型；由实验获得半导体器件受老化效应影响，在多种应力下，长时间域内的IV测试数据曲线；以及采用优化算法，搭建可靠性模型参数提取框架，由受老化效应影响的半导体器件时变IV数据，直接提取参数得到基于BSIM‑CMG模型搭建的半导体器件老化效应的可靠性模型的参数，从而建立适用于对应制程下半导体器件老化效应的可靠性模型。本申请还提出一种半导体器件老化效应的仿真预测方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118943083A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410760678.3
申请日：2024-06-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管，第一晶体管包括第一源漏结构和第一源漏金属；倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管，第二晶体管包括第二源漏结构和第二源漏金属；其中，在形成第一源漏金属之前，形成第一绝缘层，第一绝缘层位于第一晶体管的第一栅极结构上，第一绝缘层用于隔离第一栅极结构与第一源漏金属；在形成第二源漏金属之前，形成第二绝缘层，第二绝缘层位于第二晶体管的第二栅极结构上，第二绝缘层用于隔离第二栅极结构与第二源漏金属。
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公开(公告)号：CN118899260A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410980601.7
申请日：2024-07-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的接口引出方法、晶体管、器件及设备。该方法包括：基于一倒装堆叠晶体管，形成第一金属互连层和第二金属互连层，倒装堆叠晶体管包括自对准的第一晶体管和第二晶体管，第二金属互连层、第二晶体管、第一晶体管以及第一金属互连层沿第一方向依次堆叠；形成再布线RDL层以及形成于RDL层上的第一载片层，第一金属互连层通过RDL层与第一载片层连接；在第二金属互连层上形成第二载片层，第二载片层与第二金属互连层连接。本申请可以实现倒装堆叠晶体管双面输入输出接口的引出。
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公开(公告)号：CN118863055A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410826116.4
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种混合专家模型推理方法，属于深度学习(machine learning)领域。本发明通过自适应和基于敏感度的专家门控机制，动态调整不同输入和每一层所需激活的专家数量，具有基于敏感度分析的自适应专家选取、自适应专家预取与自适应专家缓存三个核心机制，可以优化混合专家模型推理性能。本发明在保持精度不下降的前提下，平均减少了25％的专家激活数量，显著提高了MoE推理的效率，特别适用于边缘设备等内存受限的环境，具有重要的应用价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118606267A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410820032.X
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种模数混合自刷新存内计算簇及模拟辅助数字存内计算电路，属于集成电路设计(integrated circuit design)领域。本发明将数字计算与模拟计算与刷新功能嵌入到了同一存内计算簇中，通过低精度的模拟预计算，可以大幅降低所需要的高精度数字计算操作数，从而提高数字存内计算的能量效率与面积效率。且模拟计算与数字计算间数据可复用，不需要额外数据搬运，因此能量效率与面积效率被进一步提升。
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公开(公告)号：CN118299331A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410248616.4
申请日：2024-03-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L27/085
Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：在衬底上形成有源结构；有源结构包括正面有源结构和背面有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管；正面晶体管和背面晶体管自对准；其中，堆叠叉板晶体管的介质叉板结构贯穿正面有源结构和背面有源结构，介质叉板结构将正面有源结构分为对称设置的两部分，介质叉板结构将背面有源结构分为对称设置的两部分，介质叉板结构为采用非均匀沉积形成的，介质叉板结构内部具有空气间隙。通过本申请，可以有效降低电容。
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