一种基于悬空氮化硅薄膜增强二硫化钼荧光的方法

    公开(公告)号:CN113528136A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110811932.4

    申请日:2021-07-19

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于悬空氮化硅薄膜增强二硫化钼荧光的方法,用二硫化钼作为发光材料,悬空氮化硅薄膜作为衬底,在氮化硅薄膜背面镀银并刻蚀纳米阵列。通过银纳米阵列激发表面等离子激元产生双共振,增加二硫化钼光的吸收效率和量子产生效率,使二硫化钼荧光增强;悬空氮化硅薄膜的应用减少了衬底对二硫化钼的影响,进一步增强了荧光。本发明增强荧光的方法所使用的结构简单且易于加工,增强荧光的效果显著。本发明中设计的结构可应用于发光器件,通过增加电极,调节背栅电压,实现二硫化钼荧光强度的调控。

    一种基于光开关的收发可切换波束形成芯片

    公开(公告)号:CN113382322A

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202110632300.1

    申请日:2021-06-07

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于光开关的收发可切换波束形成芯片。所述芯片包括N个光输入端口,N个光电探测器,N个光开关,N‑1个可调光延时线,分束/合束器。本发明利用2×2光开关的路径选择性,当光载微波信号从芯片左侧第一光输入端口输入时,通过第一、第二、第三、第四、至第N光开关选择对应路径可以实现波束的发射功能;当光载微波信号从芯片右侧第二、第三、第四、至第N光输入端口输入时,通过第一、第二、第三、第四、至第N光开关选择对应路径可以实现波束的接收功能。该芯片可实现具有大带宽、避免波束斜视效应、抗电磁干扰的微波光子波束发射与波束接收。

    一种具有氮极性面n型电子阻挡层的发光二极管

    公开(公告)号:CN113257968A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202110509350.0

    申请日:2021-05-11

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有氮极性面n型电子阻挡层的发光二极管,由下至上依次包括衬底、氮极性氮化物层、极性反转氮化物层、n型氮化物欧姆接触层、n型氮极性面电子阻挡层、非掺杂超晶格结构层、多量子阱有源层、p型氮化物欧姆接触层。在n型氮化物欧姆接触层和p型氮化物欧姆接触层上分别设置n型电极和p型电极。本发明所提供的具有氮极性面的n型电子阻挡层,能够从空间上限制电子进入有源区的数量,并且由于移除了传统的p型掺杂电子阻挡层,所以能够增加了空穴的注入率,使空穴与电子注入有源区的数量保持在均衡的水平,可提高有源区电子与空穴辐射复合发光的概率,从而提高发光二极管的性能。

    一种频率可调谐倍频三角波、方波的产生装置及方法

    公开(公告)号:CN111010172A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201911070392.8

    申请日:2019-11-05

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公布了一种频率可调谐倍频三角波、方波的产生装置及方法,所述装置包括激光器,第一偏振控制器,第一强度调制器(MZM1),微波源,微波功分器,第一电压源,第二偏振控制器,偏振分束器,第二强度调制器(MZM2),微波放大器,第二电压源,偏振合束器,光电探测器,90°移相器。所述方法如下:激光经MZM1调制产生±1阶光边带,此信号经偏振分束器分成两束偏振态相互垂直的光,一路进入MZM2调制后产生±3阶光边带。两路光信号经偏振合束器后送入光电探测器,分别拍频得二次、六次谐波,通过调节二者幅度比,即可产生倍频三角波、方波。本发明不需要滤波器、倍频器等复杂器件,具有系统复杂度低、成本低、可调性好、可调谐范围大、易于实现等优点。

    一种基于微波光子下变频的光器件光谱响应测试装置及方法

    公开(公告)号:CN110601754A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910824654.9

    申请日:2019-09-02

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公布了一种基于微波光子下变频的光器件光谱响应测试装置及方法,所述装置包括激光器,相位调制器,光学带通滤波器,待测器件,强度调制器,低速光电探测器,电压源,第一射频源,第二射频源,频谱仪。所述方法如下:激光进入相位调制器,由第一射频源输出的微波信号调制后,经带通滤波器产生光学单边带信号,通过待测器件后进入强度调制器,同时第二射频源输出与第一射频源频率相近的微波信号进入强度调制器,进一步调制后经低速光电探测器拍频产生两个同幅同相的低频信号,叠加后由频谱仪探测。本方法可通过检测固定低频处的响应来测试待测器件在一个频率范围内的器件响应;本发明具有测试系统复杂度低,损耗小,无需考虑信号干涉等优点。

    一种控制聚合物分散液晶随机激光器的激光强度的方法

    公开(公告)号:CN106785867B

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201611222470.8

    申请日:2016-12-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种聚合物分散液晶随机激光器及其制备方法和控制方法,随机激光器包括玻璃基板、麦拉片、染料向列相液晶微滴和聚合物;激光染料和向列相液晶超声混合,形成染料向列相液晶混合溶液;将染料向列相液晶混合溶液和光聚合性单体按照一定的质量比混合,加热并搅拌均匀,制成均相溶液;将均相溶液灌入基盒容器中,进行固化,形成随机激光器;用泵浦光垂直入射到激光器表面,在激光器侧向可观测到随机激光;沿着随机激光器长边方向,通过机械平台对称均匀剪切激光器;然后保持泵浦光强度不变,控制剪切距离,随机激光强度随着剪切距离而变化,当剪切距离达到某个阈值时,随机激光被关断。本发明具有成本低,结构简单,实现方便等特点。

    一种基于嵌套型微环谐振器的液体折射率传感器

    公开(公告)号:CN109813681A

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201910018409.9

    申请日:2019-01-09

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于嵌套型微环谐振器的液体折射率传感器,该液体折射率传感器包括直波导和嵌套型微环谐振器,嵌套型微环谐振器由外圈第一环型波导(3)和内圈第二环型波导(4)嵌套组成,外圈第一环型波导(3)和内圈第二环型波导(4)之间通过波导对波导且带有间距的连接形成耦合区(5-2);直波导位于外圈第一环型波导(3)的外侧,与外圈第一环型波导(3)构成带有间隔的耦合区。本发明有效减小了现有液体折射率传感器的体积,可提供高灵敏度,高品质因子,低误差的液体折射率检测,可以在光子集成设备中获得应用。

    一种基于SOI材料制备的跑道型微环2×4热光开关

    公开(公告)号:CN109709644A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910113184.5

    申请日:2019-02-13

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料制备的跑道型微环2×4热光开关,包括基于SOI材料制备的直波导和跑道型微环波导,以及顶层的热电极;其中跑道型微环波导由弯曲波导和短直波导构成闭合跑道,所述跑道型微环波导与直波导间构成耦合区,直波导间交叉部分采用多模波导交叉结构。所述顶部热电极加载的数字电信号作用下实现光通道的快速切换。本发明可以实现多输入多输出光信号的同时切换,可应用于光开关阵列、光路由、光逻辑门设计、集成光路中单元器件工作状态检测。

    一种基于强耦合效应增强单层石墨烯宽带吸收的方法

    公开(公告)号:CN109254337A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201811450280.0

    申请日:2018-11-30

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于强耦合效应增强单层石墨烯宽带吸收的方法,该方法选用石墨烯纳米条带阵列作为吸收层,以金属槽阵列作为衬底,并在金属槽内设置相应填充介质,通过石墨烯纳米条带阵列激发石墨烯表面等离激元共振,通过金属槽支持磁共振模式的激发,使两个模式之间强耦合所产生的杂化场集中分布在石墨烯处,最终实现增强石墨烯的宽带吸收效应;其中,使用的石墨烯纳米条带阵列仅与金属梯形槽阵列的一边缘接触,满足了激发强耦合效应要求较高品质因子石墨烯等离激元模的共振条件。本发明增强的吸收带宽覆盖在中红外波段,具有高带通、低波动、高速率等特性,可以在集成全光网络中获得应用。

    一种基于SOI的Si-PLZT异质结结构的混合型电光环形调制器

    公开(公告)号:CN105954892B

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201610490158.0

    申请日:2016-06-28

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于SOI的Si‑PLZT异质结结构的混合型电光环形调制器,包括硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导,硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导相耦合,硅矩形平板直波导作为该混合型电光环形调制器的直通端,硅矩形平板环形波导作为该混合型电光环形调制器的谐振环;硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导通过一个PLZT矩形通道完全包覆住,形成Si‑PLZT混合型结构;在环形波导部分的内外两侧设置有一对半包裹型的弯曲共面行波电极对,通过弯曲共面行波电极对该混合型电光环形调制器进行加电调制,使PLZT矩形通道的折射率发生变化。本发明具有调制灵敏度高、器件尺寸小、可靠性好以及调制带宽大等特性。

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