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公开(公告)号：CN113257968A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110509350.0
申请日：2021-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有氮极性面n型电子阻挡层的发光二极管，由下至上依次包括衬底、氮极性氮化物层、极性反转氮化物层、n型氮化物欧姆接触层、n型氮极性面电子阻挡层、非掺杂超晶格结构层、多量子阱有源层、p型氮化物欧姆接触层。在n型氮化物欧姆接触层和p型氮化物欧姆接触层上分别设置n型电极和p型电极。本发明所提供的具有氮极性面的n型电子阻挡层，能够从空间上限制电子进入有源区的数量，并且由于移除了传统的p型掺杂电子阻挡层，所以能够增加了空穴的注入率，使空穴与电子注入有源区的数量保持在均衡的水平，可提高有源区电子与空穴辐射复合发光的概率，从而提高发光二极管的性能。
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公开(公告)号：CN113257968B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110509350.0
申请日：2021-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有氮极性面n型电子阻挡层的发光二极管，由下至上依次包括衬底、氮极性氮化物层、极性反转氮化物层、n型氮化物欧姆接触层、n型氮极性面电子阻挡层、非掺杂超晶格结构层、多量子阱有源层、p型氮化物欧姆接触层。在n型氮化物欧姆接触层和p型氮化物欧姆接触层上分别设置n型电极和p型电极。本发明所提供的具有氮极性面的n型电子阻挡层，能够从空间上限制电子进入有源区的数量，并且由于移除了传统的p型掺杂电子阻挡层，所以能够增加了空穴的注入率，使空穴与电子注入有源区的数量保持在均衡的水平，可提高有源区电子与空穴辐射复合发光的概率，从而提高发光二极管的性能。
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