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公开(公告)号：CN111624687B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010305577.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 东南大学
IPC: G02B5/00 , H01L31/028 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开了基于金属介质椭圆腔增强石墨烯吸收结构及其制备方法；该方法以二氧化硅作为衬底，金属作为椭圆腔体外壳，二氧化硅作为椭圆腔体内的填充物，石墨烯条带作为光吸收层。通过金属介质椭圆腔结构激发腔体模式，通过石墨烯条带阵列激发石墨烯表面等离子体模式，利用二者之间的强耦合效应来实现单层石墨烯在中红外波段中的宽谱光吸收。本发明实现的石墨烯条带的吸收具有宽谱、强吸收等特性，可以应用在中红外波段中的高性能石墨烯光电器件中。
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公开(公告)号：CN109254337A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811450280.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 东南大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于强耦合效应增强单层石墨烯宽带吸收的方法，该方法选用石墨烯纳米条带阵列作为吸收层，以金属槽阵列作为衬底，并在金属槽内设置相应填充介质，通过石墨烯纳米条带阵列激发石墨烯表面等离激元共振，通过金属槽支持磁共振模式的激发，使两个模式之间强耦合所产生的杂化场集中分布在石墨烯处，最终实现增强石墨烯的宽带吸收效应；其中，使用的石墨烯纳米条带阵列仅与金属梯形槽阵列的一边缘接触，满足了激发强耦合效应要求较高品质因子石墨烯等离激元模的共振条件。本发明增强的吸收带宽覆盖在中红外波段，具有高带通、低波动、高速率等特性，可以在集成全光网络中获得应用。
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公开(公告)号：CN109254337B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201811450280.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 东南大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于强耦合效应增强单层石墨烯宽带吸收的方法，该方法选用石墨烯纳米条带阵列作为吸收层，以金属槽阵列作为衬底，并在金属槽内设置相应填充介质，通过石墨烯纳米条带阵列激发石墨烯表面等离激元共振，通过金属槽支持磁共振模式的激发，使两个模式之间强耦合所产生的杂化场集中分布在石墨烯处，最终实现增强石墨烯的宽带吸收效应；其中，使用的石墨烯纳米条带阵列仅与金属梯形槽阵列的一边缘接触，满足了激发强耦合效应要求较高品质因子石墨烯等离激元模的共振条件。本发明增强的吸收带宽覆盖在中红外波段，具有高带通、低波动、高速率等特性，可以在集成全光网络中获得应用。
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公开(公告)号：CN111624687A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010305577.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 东南大学
IPC: G02B5/00 , H01L31/028 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开了基于金属介质椭圆腔增强石墨烯吸收结构及其制备方法；该方法以二氧化硅作为衬底，金属作为椭圆腔体外壳，二氧化硅作为椭圆腔体内的填充物，石墨烯条带作为光吸收层。通过金属介质椭圆腔结构激发腔体模式，通过石墨烯条带阵列激发石墨烯表面等离子体模式，利用二者之间的强耦合效应来实现单层石墨烯在中红外波段中的宽谱光吸收。本发明实现的石墨烯条带的吸收具有宽谱、强吸收等特性，可以应用在中红外波段中的高性能石墨烯光电器件中。
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