公开(公告)号：CN101935526B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201010268898.2

申请日：2007-11-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 增田昌嗣 ,  寺岛贤二

IPC: C09K11/64 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7728 ,  B82Y30/00 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0821 ,  C01B21/0826 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/60 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62807 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/766 ,  C04B2235/767 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  F21K9/64 ,  G02F1/1336 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明提供荧光体以及制备这种荧光体的方法，所述荧光体是基本上由通式(A)：EuaSibAlcOdNe表示的二价铕-活化的氧氮化物荧光体、基本上由通式(B)：MIfEugSihAlkOmNn表示的二价铕-活化的氧氮化物荧光体或基本上由通式(C)：(MII1-pEup)MIIISiN3表示的二价铕-活化的氮化物荧光体，并且光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95％以上；提供氮化物荧光体和氧氮化物荧光体和制备这样的荧光体的方法，使用这样的荧光体的发光装置，通过来自半导体发光器件的波长在430至480nm的光，它们有效率并且稳定地发光；以及，提供具有稳定特性并且实现高效率的发光装置。

公开(公告)号：CN101960051B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200980108053.2

申请日：2009-03-03

Applicant: 山高刀具公司

Inventor： 马茨·约翰松 ,  乔恩·安德森 ,  阿克塞尔·弗林克 ,  拉尔斯·胡尔特曼

IPC: C23C30/00 ,  B32B27/14 ,  C04B41/87 ,  C04B41/89 ,  C23C14/06

CPC classification number: C04B41/5068 ,  C04B35/58014 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/87 ,  C04B41/89 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/762 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/0641 ,  C23C30/005 ,  Y10T409/303808 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/5066 ,  C04B41/5063 ,  C04B41/524 ,  C04B35/00 ,  C04B35/5831

Abstract: 本发明涉及一种切削刀具刀片，所述切削刀具刀片包括：基体，所述基体由硬质合金、金属陶瓷、陶瓷、立方氮化硼基材料或高速钢制成；以及硬且耐磨的涂层，所述涂层包括至少一个金属氮化物层。所述涂层包括至少一层热稳定的立方结构(Ti1-(x+z)SixMez)N相，其中0.04＜x＜0.20且0＜z＜0.10，且在整个层上具有恒定的元素成分，其中Me是金属元素Y、Hf、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe和Zn中的一种或多种，所述层的厚度为0.5μm至10μm。使用阴极电弧蒸发来沉积所述层，且所述层对于加工不锈钢和超合金特别有用。

公开(公告)号：CN101454487B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200780018103.9

申请日：2007-03-30

Applicant: 晶体公司

Inventor： K·E·摩根 ,  L·J·斯库瓦特 ,  G·A·斯莱克

IPC: C30B29/40 ,  C30B23/00 ,  C30B33/00

CPC classification number: C04B35/581 ,  C01B21/0722 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/79 ,  C30B23/00 ,  C30B29/403 ,  C30B33/02

Abstract: 通过例如使Al丸粒与氮气反应制备高纯度的掺杂和未掺杂的化学计量比的多晶AlN陶瓷。这样的多晶AlN陶瓷可用于制备高纯度AlN单晶，可对该AlN单晶进行退火以提高其电导率。

公开(公告)号：CN102174324B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201110066517.7

申请日：2004-11-25

Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 广崎尚登 ,  上田恭太 ,  山元明

IPC: C09K11/80 ,  C01B21/082

CPC classification number: C09K11/7792 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C04B35/447 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/643 ,  C09K11/646 ,  C09K11/7703 ,  C09K11/7706 ,  C09K11/7718 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7728 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7746 ,  C09K11/7749 ,  C09K11/7761 ,  C09K11/7764 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7783 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无机荧光体，其具有发射与用稀土元素活化的常规塞隆荧光体的情况相比具有更长波长的橙色或红色光的荧光性能。本发明涉及白色发光二极管的设计，该白色发光二极管通过采用固溶体结晶相荧光体而富含红色成分和具有良好显色性，所述荧光体使用具有与CaSiAlN3结晶相相同晶体结构的无机化合物作为基质晶体以及向其中添加M元素(其中M元素是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的一种或两种或多种元素)作为发光中心。

公开(公告)号：CN101528635B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200780038765.2

申请日：2007-10-18

Applicant: 黑崎播磨株式会社

Inventor： 北沢浩

IPC: C21B7/12 ,  C04B35/66

CPC classification number: C04B35/584 ,  B82Y30/00 ,  C04B33/04 ,  C04B35/18 ,  C04B35/528 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/6316 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  C21B7/125 ,  C21C5/4653

Abstract: 提供在不使材料产生过量和不足的情况下，可生成SiC键且易开孔性良好的炮泥材料。粒径75μm以下的微粒区由氮化硅质原料、碳质原料、以及蜡石这三者组成，或者由上述三者和选自铝质原料、碳化硅质原料、稀土类元素的氧化物质原料、粘土、SiO2含量为80质量％以上的高纯度硅质原料、相对于上述氮化硅质原料100质量％低于0.3质量％的量的硼化合物质原料、以及相对于上述碳质原料100质量％低于10质量％的量的金属粉中的一种以上组成。此外，微粒区中的上述三者的总量100质量％，用氮化硅质原料51～74质量％、碳质原料15～35质量％、以及蜡石10～30质量％组成。

公开(公告)号：CN102471682A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080036665.8

申请日：2010-08-11

Applicant: 欧司朗股份有限公司 ,  欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 弗兰克·鲍曼 ,  诺贝特·伯尼施 ,  蒂姆·菲德勒 ,  弗兰克·耶尔曼 ,  斯特凡·朗格 ,  赖纳·温迪施

IPC: C09K11/08 ,  C09K11/77

CPC classification number: H01L33/504 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/446 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7728 ,  C09K11/7774 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 具有高显色性的转换LED具有发光材料混合物，该发光材料混合物具有LuAGaG类型的第一发光材料和煅烧产物类型的第二发光材料。因此实现了用于暖白色色温的极其高的显色性。

公开(公告)号：CN102300955A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005711.8

申请日：2010-01-26

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 江本秀幸 ,  川越美满 ,  野见山智宏

IPC: C09K11/64 ,  C04B35/599 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50

CPC classification number: C04B35/597 ,  C01B21/0821 ,  C01B21/0826 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/766 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734

Abstract: 一种α型赛隆荧光体，其特征在于，该α型赛隆荧光体用通式：(M)x(Eu)y(Si，Al)12(O，N)16表示，其中M是选自由Li、Mg、Ca、Y和除La与Ce以外的镧系元素组成的组中的、至少包括Ca的一种以上的元素，氧含量为1.2质量％以下，构成α型赛隆的初级颗粒是柱状化的，该α型赛隆荧光体在以具有250～500nm的波长的紫外线或可见光作为激发源时，显示在595～630nm范围的波长区具有峰的荧光特性。

公开(公告)号：CN102161888A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201010299395.1

申请日：2010-09-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福田由美 ,  冈田葵 ,  松田直寿

IPC: C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7731 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H05B33/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及荧光材料和采用该荧光材料的发光器件。实施例提供了一种制造具有Sr3Al3Si13O2N21晶体结构的发射绿光的氧氮化物荧光材料的方法，还提供了通过该方法制成的荧光材料。在该方法中采用金属卤化物作为初始材料金属化合物之一。作为所述金属卤化物，可优选采用Ca或Na化合物以及Sr化合物。

公开(公告)号：CN102143925A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134430.X

申请日：2009-09-02

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 真木一 ,  铃木敬一郎 ,  岩崎健太郎

IPC: C04B35/46

CPC classification number: C04B35/62655 ,  C04B35/478 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/62823 ,  C04B35/632 ,  C04B38/0645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3218 ,  C04B2235/322 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3237 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/448 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9615 ,  C04B38/0054

Abstract: 本发明以提供制造钛酸铝、钛酸铝镁等的钛酸铝系陶瓷的成形体时，可降低钛酸铝系陶瓷的成形体相对于原材料混合物的成形体的收缩率，降低所得的钛酸铝系陶瓷的成形体的热膨胀系数的方法为目的。本发明是将含钛源物质及铝源物质的原材料混合物进行烧成以制造钛酸铝系陶瓷的方法，其中前述铝源物质的BET比表面积为0.1m²/g以上5m²/g以下。

公开(公告)号：CN102057073A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121455.6

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  伊斯卡有限公司

Inventor： 山本兼司 ,  A·A·莱尤斯

IPC: C23C14/06 ,  B23B27/14 ,  B23C5/16

CPC classification number: C23C14/0635 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B2235/3817 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  C23C28/044 ,  C23C28/42

Abstract: 提供在晶体质中不具有裂纹且兼具高硬度和优异的耐磨性的硬质被膜层及其形成方法。覆盖基材(2)的晶体质的硬质被膜层(3)是利用PVD法形成的，并且，该硬质被膜层以Si和C为必要成分，以元素M[选自3A族元素、4A族元素、5A族元素、6A族元素、B、Al及Ru中的1种以上的元素]和N为选择成分，具有SixC1-x-y-zNyMz(0.4≤x≤0.6、0≤y≤0.1、0≤z≤0.2)的组成。