公开(公告)号：CN117015571A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280010828.8

申请日：2022-01-28

Applicant: 晶体公司-PMC

Inventor： J·海斯

IPC: C08L91/06

Abstract: 本发明涉及水包油乳液形式的组合物，该组合物优选包含水相、天然蜡、至少两种表面活性剂和中和剂。

公开(公告)号：CN108140695B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201680053313.0

申请日：2016-09-16

Applicant: 晶体公司

Inventor： 克雷格·莫 ,  J·R·格兰达斯基 ,  S·R·吉布 ,  L·J·斯高沃特 ,  佐藤恒輔 ,  森下朋浩

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/26 ,  H01L33/58

Abstract: 在各种实施例中，发光器件包括分级层，在分级层的一个或两个端点处具有组分偏移，以促进二维载流子气体的形成和极化掺杂，从而增强器件性能。

公开(公告)号：CN107059116B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201611001362.8

申请日：2008-01-17

Applicant: 晶体公司

Inventor： R·T·邦德科夫 ,  K·E·摩根 ,  L·J·肖沃尔特 ,  G·A·斯莱克

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本申请涉及引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少。提供了面缺陷面密度≤100cm‑2的氮化铝(AlN)块体单晶。用于生长单晶氮化铝的方法包括使铝箔熔融以便用铝层均匀地湿润基底，对于有待由于AlN生长的AlN籽晶，该基底形成AlN籽晶保持器的一部分。该保持器可基本上由基本不可渗透的背衬板构成。

公开(公告)号：CN106796977B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580039877.4

申请日：2015-07-23

Applicant: 晶体公司

Inventor： 北村健 ,  户板真人 ,  石井宏典 ,  王玉亭 ,  L·J·斯高沃特 ,  陈贱峰 ,  J·R·格兰达斯基

IPC: H01L33/52

Abstract: 在各个实施例中，有机密封剂层被提供在紫外(UV)发光半导体芯片的表面上方，密封剂的至少一部分被暴露于UV光以将密封剂的所述部分中的至少一些转化成非化学计量比二氧化硅材料。所述非化学计量比二氧化硅材料包括硅、氧和碳，所述非化学计量比二氧化硅材料的碳含量大于1ppm且小于40原子百分比。

公开(公告)号：CN101415864B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN200680044355.4

申请日：2006-11-28

Applicant: 晶体公司

Inventor： R·T·邦多考弗 ,  K·摩根 ,  G·A·斯莱克 ,  L·J·斯库瓦特

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B33/02 ,  B28D5/00 ,  C23C16/34 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/30625 ,  Y10T428/21

Abstract: 减少AlN中的微孔(MV)密度可以缓解与晶体生长过程中的开裂、抛光过程中的蚀坑产生、AlN晶片中的光学透明度降低以及AlN和/或AlN镓外延生长过程中可能的生长凹坑形成相关的很多问题。这有利于实际的晶体生产策略和形成具有低缺陷密度的大的块状AlN晶体，所述低缺陷密度是例如低于104cm-3的位错密度和低于104cm-3的夹杂物密度和/或低于104cm-3的微孔密度。

公开(公告)号：CN105473513B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201480046740.7

申请日：2014-08-29

Applicant: 晶体公司 ,  克雷格·莫

Inventor： 克雷格·莫 ,  陈贱峰 ,  R·V·兰迪伊夫

IPC: C02F1/32

Abstract: 在各个实施例中，通过使流体流动通过流通室来处理流体，所述流通室具有(i)流体入口、(ii)流体出口、(iii)布置在流体入口和流体出口之间的处理区域，以及(iv)使紫外(UV)光发生反射的内表面，该内表面使得一个或多个UV光源发射的UV光发生漫反射以大致均匀地照射处理区域，从而处理流体。

公开(公告)号：CN108511567A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810282466.3

申请日：2014-03-13

Applicant: 晶体公司

Inventor： J·R·格兰达斯基 ,  L·J·斯高沃特 ,  M·贾米勒 ,  M·C·门德里科 ,  S·R·吉布

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

Abstract: 在多个实施例中，发光器件包含光滑的接触层和极化掺杂(即，大体没有掺杂杂质的底层)，并且呈现了高光子提取效率。

公开(公告)号：CN107059116A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611001362.8

申请日：2008-01-17

Applicant: 晶体公司

Inventor： R·T·邦德科夫 ,  K·E·摩根 ,  L·J·肖沃尔特 ,  G·A·斯莱克

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本申请涉及引晶的氮化铝晶体生长中的缺陷减少。提供了面缺陷面密度≤100cm‑2的氮化铝(AlN)块体单晶。用于生长单晶氮化铝的方法包括使铝箔熔融以便用铝层均匀地湿润基底，对于有待由于AlN生长的AlN籽晶，该基底形成AlN籽晶保持器的一部分。该保持器可基本上由基本不可渗透的背衬板构成。

公开(公告)号：CN101652832A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880003002.9

申请日：2008-01-25

Applicant: 晶体公司

Inventor： L·J·肖沃尔特 ,  J·A·斯马特 ,  J·R·格兰达斯基 ,  刘仕文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12

Abstract: 将半导体结构制备成包括超过其预期临界厚度的应变外延层。

公开(公告)号：CN101415864A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200680044355.4

申请日：2006-11-28

Applicant: 晶体公司

Inventor： R·T·邦多考弗 ,  K·摩根 ,  G·A·斯莱克 ,  L·J·斯库瓦特

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B33/02 ,  B28D5/00 ,  C23C16/34 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/30625 ,  Y10T428/21

Abstract: 减少AlN中的微孔(MV)密度可以缓解与晶体生长过程中的开裂、抛光过程中的蚀坑产生、AlN晶片中的光学透明度降低以及AlN和/或AlN镓外延生长过程中可能的生长凹坑形成相关的很多问题。这有利于实际的晶体生产策略和形成具有低缺陷密度的大的块状AlN晶体，所述低缺陷密度是例如低于104cm－3的位错密度和低于104cm－3的夹杂物密度和/或低于104cm－3的微孔密度。