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公开(公告)号：CN102471682A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036665.8
申请日：2010-08-11
Applicant: 欧司朗股份有限公司 , 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L33/504 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B2235/3224 , C04B2235/3281 , C04B2235/3852 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/446 , C09K11/0883 , C09K11/7728 , C09K11/7774 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 具有高显色性的转换LED具有发光材料混合物，该发光材料混合物具有LuAGaG类型的第一发光材料和煅烧产物类型的第二发光材料。因此实现了用于暖白色色温的极其高的显色性。
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公开(公告)号：CN102471683A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036666.2
申请日：2010-08-11
Applicant: 欧司朗股份有限公司 , 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/7728 , C09K11/7774 , H01L33/504 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于产生白色的转换LED，该转换LED具有发光材料混合物，其具有LuAGaG类型的第一发光材料和含氮硅酸盐类型的第二发光材料。由此得到非常高的效率。
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公开(公告)号：CN102471683B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080036666.2
申请日：2010-08-11
Applicant: 欧司朗股份有限公司 , 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/7728 , C09K11/7774 , H01L33/504 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于产生白色的转换LED，该转换LED具有发光材料混合物，其具有LuAGaG类型的第一发光材料和含氮硅酸盐类型的第二发光材料。由此得到非常高的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103238224A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180058228.0
申请日：2011-11-23
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，其中将第一波长转换层（8）施加到半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方，其中施加方法选自：沉降、电泳。此外，在半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方施加第二波长转换层（4），其中第二波长转换层（4）在单独的方法步骤中制造且随后施加或者施加方法选自：沉降、电泳、印刷。此外，提出一种发射辐射的半导体芯片以及一种发射辐射的器件。
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公开(公告)号：CN103238224B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201180058228.0
申请日：2011-11-23
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，其中将第一波长转换层（8）施加到半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方，其中施加方法选自：沉降、电泳。此外，在半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方施加第二波长转换层（4），其中第二波长转换层（4）在单独的方法步骤中制造且随后施加或者施加方法选自：沉降、电泳、印刷。此外，提出一种发射辐射的半导体芯片以及一种发射辐射的器件。
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公开(公告)号：CN102177594A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980139944.4
申请日：2009-08-11
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/08 , H01L33/50 , H01L2224/32225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在发光装置(1)的至少一个实施形式中，发光装置(1)包括至少一个光电子半导体器件(2)，其在工作中以至少一个第一波长(L1)和至少一个第二波长(L2)发射电磁辐射，其中第一波长(L1)与第二波长(L2)彼此不同并且都在500nm以下、尤其在200nm和500nm之间。此外，发光装置(1)包括至少一个转换装置(3)，其将第一波长(L1)至少部分地转换为其他频率的辐射。发光装置(1)在工作中所发射的辐射光谱与黑体光谱是条件等色的。通过这样的发光装置可以将第一波长和第二波长选择为使得可同时实现发光装置的高的显色质量和高的效率。
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公开(公告)号：CN107068837A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610817559.2
申请日：2010-08-11
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/50 , C04B35/581 , C04B35/584 , C09K11/08 , C09K11/77
Abstract: 具有高显色性的转换LED具有发光材料混合物，该发光材料混合物具有LuAGaG类型的第一发光材料和煅烧产物类型的第二发光材料。因此实现了用于暖白色色温的极其高的显色性。
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公开(公告)号：CN102177594B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN200980139944.4
申请日：2009-08-11
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/08 , H01L33/50 , H01L2224/32225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在发光装置(1)的至少一个实施形式中，发光装置(1)包括至少一个光电子半导体器件(2)，其在工作中以至少一个第一波长(L1)和至少一个第二波长(L2)发射电磁辐射，其中第一波长(L1)与第二波长(L2)彼此不同并且都在500nm以下、尤其在200nm和500nm之间。此外，发光装置(1)包括至少一个转换装置(3)，其将第一波长(L1)至少部分地转换为其他频率的辐射。发光装置(1)在工作中所发射的辐射光谱与黑体光谱是条件等色的。通过这样的发光装置可以将第一波长和第二波长选择为使得可同时实现发光装置的高的显色质量和高的效率。
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