-
公开(公告)号：CN105586640A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610137496.6
申请日：2016-03-11
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碲镓银单晶体的制备方法，用于解决现有碲镓银晶体的方法实用性差的技术问题。技术方案是首先将高纯原料碲镓银加热到银的熔点，使碲镓银三种原料充分熔化反应，转动炉体使反应充分进行，之后以一定的速率降温到凝固点，断开炉体开关，以炉冷速率降温到室温。然后将合成的多晶料放入布里奇曼法生长炉中，以一定的加热，并过热保温一段时间后，在温场为10-15℃/cm，结晶温度为712℃处开始生长，生长完成后在670-680℃停留一段时间，进行原位退火，之后以5℃/h的冷却速率降到室温。由于采用加热到银的熔点温度来实现多晶料的合成，生长单晶时采用10-15℃/cm的温场，成分过冷促进了碲镓银单晶的生长。
-
公开(公告)号：CN104528664B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410819701.8
申请日：2014-12-25
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明公开了一种二维碲化镓材料的制备方法，用于解决现有制备方法制备的碲化镓材料面积小的技术问题。技术方案是以现有的微机械剥离法为基础，在转移过程中，引进温度和压力等参数，提高了二维GaTe材料的尺寸。在原有微机械剥离法剥离-转移步骤的基础上，设计了剥离-转移-再剥离三步微机械剥离法。转移时，在105pa的外加压力和90-110℃条件下进行退火处理。最后使用思高胶带进行再剥离操作，实现GaTe薄片的进一步减薄。由于在转移阶段引入了外加压力下的退火工艺过程以及后续的再剥离减薄过程，稳定得到了大面积的二维GaTe材料。二维GaTe材料尺寸由背景技术的5-60μm提高到200-600μm。
-
公开(公告)号：CN104153001A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410394799.7
申请日：2014-08-12
Applicant: 西北工业大学 , 陕西迪泰克新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在GaAs单晶衬底上制备CdZnTe外延膜的方法，用于解决现有制备CdZnTe外延膜的方法制备的CdZnTe外延膜质量差的技术问题。技术方案是在生长之前，对GaAs衬底进行化学腐蚀、预加热处理。再将准备好的CdZnTe生长源与GaAs衬底放入生长腔室，调整好源与衬底之间的距离，抽真空，并充入Ar至目标压强，开启加热系统升温，待沉积完成后停止加热。通过在生长结束后的降温过程中引入挡板来抑制源向衬底的继续传质，有利于提高薄膜的致密度，降低粗糙度。采用叠层生长方式生长更厚的CdZnTe膜。通过在GaAs上沉积ZnTe作为缓冲层来减小晶格失配度，提高了外延膜的质量。
-
公开(公告)号：CN103915460A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410123591.1
申请日：2014-03-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器的封装方法，用于解决现有探测器的封装方法实用性差的技术问题。技术方案是采用具有很好连接性能并保证不破坏CZT晶片的聚合物导电银胶进行连接。导电银胶选用微米级片状银粉作为导电填料，环氧树脂和固化剂作为基体树脂制备而成，具有一定的拉伸性能并能很好分散，同时用银填料具有很好的导电性能，在一定温度下固化或干燥后既能有效地粘接CZT晶片和基板，又能具有良好导电性能。同时针对像素阵列CZT探测器电极密度大，一次准确连接的要求，采用丝网印刷的方法在PCB板像素电极上涂刷导电银胶，再将晶片倒扣进行准确贴合，来实现单个像素的精准连接，同时不会对较脆的CZT晶片造成破坏，实用性强。
-
公开(公告)号：CN102169076B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201010598620.1
申请日：2010-12-16
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场，以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的技术问题。技术方案是通过改变变焦镜筒的放大倍数实现了视场可调，同时高精度四坐标三维自动平移台的运用实现对富Te相的体密度观察。本发明利用这种检测装置检测半导体晶体中富Te相的方法，通过调整厚度方向的位置，实现分层域聚焦成像，从而观察富Te相在晶体内的形态，采用基于Labview的图像收集以及处理系统，首先将收集到的每个单独图片拼接成一整张大图，然后对拼好的图像不同灰度区域进行统计，进而分析晶体中富Te相在晶体内的分布。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102677176A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210129406.0
申请日：2008-09-01
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明是一种用于硒化锌单晶体生长的安瓿。以锌和硒为原料，以碘作为气相反应促进剂，在安瓿中一步完成硒化锌单晶生长。依次包括安瓿综合清洗、装料并抽真空密封、密封安瓿生长区热清洗、晶体生长与冷却等步骤。所用安瓿的基本结构是原料区易于Zn和Se单质混和，生长区是由通过安瓿中轴的截面上的两段弧相切构成的锥状体构成，不同于传统的由安瓿壁直接构成的锐角椎状体结构。本发明采用的技术方案能够生长直径为12～20mm的硒化锌单晶体的，所生长的硒化锌单晶体结构完整、均匀性好、应力小，具有成本低、工艺简单的特点，还能应用于其它II-VI族化合物半导体单晶的制备。
-
公开(公告)号：CN102168313B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110067191.X
申请日：2011-03-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法，技术特征在于：采用两步气相退火，第一步是用非金属Te作为气相退火介质，通过退火提高晶体的电阻率和探测器的能量分辨率。第二步是用Cd/Zn金属合金作为气相退火介质，通过退火消除晶片中的夹杂相，提高载流子的传输特性。本发明的有益效果：通过两步法气相退火来提高晶体的电阻率和载流子的传输特性，完全消除Te夹杂相，将载流子迁移率和寿命乘积值(μτ)从5.08～7.87×10-4cm2/V提高到1.21～1.58×10-3cm2/V，从而明显改善晶体质量和辐射探测器的性能。
-
公开(公告)号：CN102390856A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110359634.2
申请日：2011-11-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种低温制备高稳定性γ相纳米硫化镧粉体的方法，通过氯化镧的饱和溶液、N，N-二甲基二硫代氨基甲酸钠的饱和溶液和2，2′-联吡啶溶液制备固态化合物[La(S2CNMe2)3(2，2′-bipy)]，在封闭微波溶剂热反应釜中制备无定形La2S3粉体，最后在气氛管式炉中制备高稳定性纯γ相La2S3粉体。本发明降低了实验温度，缩短了保温时间，消除了对无水无氧环境的严格要求。由于γ相La2S3在温度高于1300℃时属于稳定相，因此本发明制备的硫化镧粉体为在全温度范围内可以稳定保持为γ相结构的硫化镧粉体。同时，它工艺简单，成本低，适合于大规模制备稳定性高的高纯γ相硫化镧粉体。
-
公开(公告)号：CN101503774B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910021445.7
申请日：2009-03-09
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种铸造镁合金材料的制备方法，其特点是由4.5～6.5wt％的Zn、1.0～3.0wt％的Gd、0.4～0.7wt％的Zr、杂质≤0.25wt％(其中，Cu≤0.1％，Ni≤0.01％)和余量Mg制备而成，通过添加Zn、Mg-Gd中间合金和Mg-Zr中间合金，固溶处理和时效处理。所制备的铸造镁合金的室温抗拉强度σb由现有技术的235MPa提高到270MPa，屈服强度σ0.2由现有技术的140MPa提高到175MPa，延伸率δ由现有技术的5％提高到6％。同时，合金的高温力学性能也显著提高。
-
公开(公告)号：CN101220502B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710018783.6
申请日：2007-09-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直布里奇曼生长炉，炉外壳中从下到上依次是隔热板、两组I型加热模块、散热片、一组II型加热模块、两组I型加热模块和炉膛盖，隔热板中心孔是耐火陶瓷棉，五段加热模块中心位置是两段衬管，两段衬管用散热片隔开，衬管对接处外有衬套，每组加热模块的中心孔周围分布有各自独立温度控制系统的电热丝，在垂直于每组模块的外壁中部径向放置一根的Pt/PtRh10热电偶，热电偶的测温触点靠近衬管5的外壁。本发明还公开了这种垂直布里奇曼生长炉炉内温度场优化方法，由于本发明垂直布里奇曼生长炉采用五段式模块化设计，可以通过更换不同模块获得生长不同晶体的合适温度场，有效地解决了因轴向温度梯度小产生的组分过冷现象。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
146
records
(took 0.088 seconds)
