一种垂直沟道的n型有机电化学晶体管

    公开(公告)号:CN116634779A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310576382.1

    申请日:2023-05-22

    Abstract: 本发明提供了一种垂直沟道的n型有机电化学晶体管,包括基底以及位于基底上的漏电极、沟道、源电极、电解质层和栅电极;沟道位于上下堆叠的源电极和漏电极之间,形成三明治结构;电解质层与沟道接触,形成双电层;栅电极位于电解质层的上方或侧方,保持接触;其中,沟道材料为n型有机半导体;电解质层为晶体管的正常运行提供充足阳离子;晶体管在栅电极电压驱动下实现电解质层中阳离子向沟道电化学掺杂和去掺杂,从而调节晶体管的性能,可解决目前水平沟道n型OECTs响应频率较低、n型vOECTs缺失的问题,有望满足未来高性能逻辑运算、可穿戴柔性电子器件和神经形态计算的分布式应用需求。

    一种基于整数-分数阶正交多项式的三维图像特征设计方法

    公开(公告)号:CN113888721B

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202111178998.0

    申请日:2021-10-08

    Inventor: 杨波 史晓娟

    Abstract: 本发明公开了一种基于整数‑分数阶正交多项式的三维图像特征设计方法,在考虑不同正交多项式优势的基础上,同时考虑整数阶、分数阶两类不同类型正交矩在分析、处理数字图像具有不同的优势的情况下,采用混合整数阶和分数阶正交多项式作为基函数设计新型的三维正交矩,并采用该正交矩构建目标图像的特征。这种特征具有图像表示能力强、融合整数、分数阶正交矩优势以及数值稳定性好的优势。

    条形阵列碲锌镉探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN103560167A

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN201310489066.7

    申请日:2013-10-17

    Abstract: 本发明公开了一种条形阵列碲锌镉探测器的制备方法,用于解决现有方法制备条形阵列碲锌镉探测器时光刻图像边缘缺损的技术问题。技术方案是在长宽比较小的大尺寸碲锌镉单晶片上一次光刻出多个条形阵列图案,然后通过光刻胶保护条形阵列电极并采用划片机沿着光刻图案的外围轮廓划开,形成独立的条形阵列碲锌镉探测器。克服了晶片抛光时由于长宽比较大导致的塌边和光刻电极图案不完整等现象,同时解决了像素电极的倒装连接时由于晶片厚度不均匀导致的短路问题。由于采用光刻胶保护条形阵列电极进行划片切割,实现了对光刻电极的保护,避免了切割导致的晶片边缘崩裂。且一次能制备4~8个1×8~1×32的像素阵列条形探测器,降低了制备成本。

    一种基于聚噻吩的电池型电化学突触晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN113410383B

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202110682099.8

    申请日:2021-06-19

    Abstract: 本发明涉及一种基于聚噻吩的电池型电化学突触晶体管及其制备方法,属于有机半导体材料及器件技术领域。所述电池型电化学晶体管是以电化学晶体管及其双电层效应为基础,结合双离子电池的可逆氧化还原机理,以神经生物学中经典的Hodgkin‑Huxley模型为指导,在传统P型电化学晶体管基础上引入了N型聚合物半导体层,从而极大地稳定了P型聚合物中阴离子的掺杂浓度,同时也成功解决了由于载流子复合带来的导电态不稳定等诸多问题。该电池型器件在实现了稳定的阴/阳离子存储界面构筑的同时,阳离子存储层/电解质层/阴离子存储层分别对生物突触的三部分——突触前神经元/突触间隙/突触后神经元实现了深度模拟。

    一种图像处理方法、装置和电子设备

    公开(公告)号:CN113989517A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111280748.8

    申请日:2021-11-01

    Inventor: 杨波 史晓娟

    Abstract: 本公开涉及一种图像处理方法、装置和电子设备,该方法包括:对图像进行归一化处理,获取所述图像的图像函数;计算所述图像的混合连续、离散正交矩;其中,所述混合连续、离散正交矩是以多个正规化后的多项式为基函数的混合正交矩,用于所述图像的特征提取;使用所述混合连续、离散正交矩对所述图像进行特征提取。

    条形阵列碲锌镉探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN103560167B

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201310489066.7

    申请日:2013-10-17

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种条形阵列碲锌镉探测器的制备方法,用于解决现有方法制备条形阵列碲锌镉探测器时光刻图像边缘缺损的技术问题。技术方案是在长宽比较小的大尺寸碲锌镉单晶片上一次光刻出多个条形阵列图案,然后通过光刻胶保护条形阵列电极并采用划片机沿着光刻图案的外围轮廓划开,形成独立的条形阵列碲锌镉探测器。克服了晶片抛光时由于长宽比较大导致的塌边和光刻电极图案不完整等现象,同时解决了像素电极的倒装连接时由于晶片厚度不均匀导致的短路问题。由于采用光刻胶保护条形阵列电极进行划片切割,实现了对光刻电极的保护,避免了切割导致的晶片边缘崩裂。且一次能制备4~8个1×8~1×32的像素阵列条形探测器,降低了制备成本。

    一种图像处理方法、装置和电子设备

    公开(公告)号:CN113989517B

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202111280748.8

    申请日:2021-11-01

    Inventor: 杨波 史晓娟

    Abstract: 本公开涉及一种图像处理方法、装置和电子设备,该方法包括:对图像进行归一化处理,获取所述图像的图像函数;计算所述图像的混合连续、离散正交矩;其中,所述混合连续、离散正交矩是以多个正规化后的多项式为基函数的混合正交矩,用于所述图像的特征提取;使用所述混合连续、离散正交矩对所述图像进行特征提取。

    一种三维图像特征设计方法、装置和电子设备

    公开(公告)号:CN113989437B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202111281117.8

    申请日:2021-11-01

    Inventor: 杨波 史晓娟

    Abstract: 本公开涉及一种三维图像特征提取方法、装置和电子设备,该方法包括:对原始三维图像进行归一化处理,获取所述三维图像的图像函数;计算所述三维图像的混合连续HLCMs正交矩;其中,所述混合连续HLCMs正交矩是以多个正规化后的多项式为基函数混合后的混合正交矩,用于所述三维图像的特征提取;使用所述混合连续HLCMs正交矩对所述三维图像进行特征提取。

    基于Gegenbauer正交多项式的图像复制-旋转-移动伪造检测方法

    公开(公告)号:CN115393262A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202210590606.X

    申请日:2022-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于Gegenbauer正交多项式的图像复制‑旋转‑移动伪造检测方法,根据Gegenbauer多项式的奇偶性设计两组新的正交多项式,对其正则化并加入复数傅里叶因子,得到一种新型正交矩;接着,利用极坐标系下正交矩的相移性质,设计旋转不变矩,将图像分块并映射到特征空间,采用多维树算法对特征建立K近邻索引结构,得到图像的潜在伪造区域,然后,剔除图像分块过程中空间临近和特征随机导致偶然相似的区域,最终得到图像中的伪造区域。本发明对“复制‑移动”和“复制‑旋转‑移动”具有有效的检测和定位功能。

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