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公开(公告)号：CN107342762B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710399969.4
申请日：2017-05-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/003 , H03K5/15
Abstract: 一种抗单粒子瞬态时钟树结构，包括根节点时钟驱动单元、子节点时钟驱动单元以及叶节点时钟驱动单元，根节点时钟驱动单元和子节点时钟驱动单元均为时钟反相器或者缓冲器，而叶节点时钟驱动单元为双路滤波器，双路滤波器可以消除发生于输入信号上的脉冲宽度小于滤波器内部设定的延迟时间的单粒子瞬态脉冲，且同一输入信号输出两路互不干扰的输出信号。每个双路滤波器驱动一定数量的双时钟抗单粒子时序单元。本发明显著提高时钟树网络抗单粒子瞬态的能力，有效降低时钟树网络受到辐射粒子轰击时，任意时钟节点以及多个时钟树节点上产生单粒子瞬态脉冲的概率，且相对于时序单元单粒子瞬态加固方式实现的集成电路，具有功耗低、速度快、面积小的特点。
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公开(公告)号：CN107068674B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201611244566.4
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种面积高效的抗单粒子闩锁加固版图结构，通过优化版图结构的设计，基于这种单元形成的集成电路，能够使用较小的面积开销解决单粒子效应引起的闩锁问题。N型MOS晶体管和P型MOS晶体管间形成叉指交错的阱、衬底结构，并通过阱上形成的阱接触、衬底上形成的衬底接触进行电荷收集，使得N型MOS晶体管和P型MOS晶体管间寄生的PNPN结构不被高能粒子撞击所触发形成正反馈通路。以较小的面积开销解决了单粒子效应引起的闩锁问题。
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公开(公告)号：CN107783581A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710892671.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种抗单粒子瞬态效应的低压降线性稳压器电路。该电路主要由基准源电路、误差放大器电路、电阻分压电路、RC滤波电路、功率管网络和限幅电路构成。所述功率管网络由多个小尺寸功率管组成，功率管之间通过传输门相连，形成一定的传播延迟，功率管网络能够降低因误差放大器输出信号突变造成的LDO输出信号的变化幅度；所述限幅电路由多个二极管串联构成，连接在LDO的输出端，对LDO的输出进行限幅。本发明能够降低或避免辐射环境中单粒子瞬态效应的影响，确保LDO输出电压的稳定，提高系统的可靠性，具有结构简单、实现方便、仅需在常见电路中添加少量电路等优点。
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公开(公告)号：CN114582861B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210221675.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN118731641A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410754517.3
申请日：2024-06-12
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种倒装焊电路的单粒子有效数据获取方法，包括：试验样品衬底减薄；试验用重离子选择；试验电路温度监控；数据有效性判断；减薄厚度测量及有效数据计算。相比与传统试验方法，利用本发明中的单粒子试验评估方法，可以有效提高倒装焊工艺电路单粒子试验效率。通过温度控制、多重验证及误差校准等方式，提供了单粒子试验倒装焊工艺电路试验数据的准确性和有效性，有效填补宇航用倒装焊电路单粒子评估方法的空白，为倒装焊工艺宇航集成电路抗辐照加固提供有力支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118538777A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410723610.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅结势垒肖特基二极管结构，属于功率半导体技术领域；包括底部的阴极金属层、N+衬底层、N型缓冲层、第一N‑外延层、内置P型区、内置多晶硅、N+注入区、隔离介质层、第二N‑外延层、P+区、肖特基接触层、欧姆接触层以及顶部的阳极金属层；第一N‑外延层位于第二N‑外延层下方，在两者的交界处设置N+注入区和隔离介质层；U型分布的内置P型区位于隔离介质层下方，内部设置与阳极金属层相连的内置多晶硅。本发明二极管结构在截止状态具有更小的泄漏电流，同时有效降低了由于高能粒子辐射导致的泄漏电流增大，改善了肖特基结处的强电场分布，大幅提升了碳化硅结势垒肖特基二极管的抗单粒子烧毁能力。
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公开(公告)号：CN118506829A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410613964.7
申请日：2024-05-17
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于互补存储单元的RRAM灵敏放大器电路，属于非易失性存储器电路设计技术领域，包括正向放大电路、反向放大电路、比较器、数据存储单元和互补存储单元。正向放大电路向数据存储单元提供稳定的读电压，并放大位线电流，转换为电压信号；反向放大电路向互补存储单元提供稳定的读电压，并放大位线电流，转换为电压信号；比较器用于比较两个互补的电压信号；数据存储单元与互补存储单元共同存储逻辑相反的一组数据；本发明设计的RRAM灵敏放大器电路具有更高的读取裕度、更低的读错误率，抗工艺波动能力强，设计复杂度低，电路容易实现。
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公开(公告)号：CN118282357A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410357059.X
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于冗余结构的抗多位翻转锁存器电路，其中抗翻转模块包括抗翻转电路、两个传输门电路和互锁环；抗翻转电路包括两个二输入C单元、两个三输入C单元、时钟控制C单元和四输入C单元，两个二输入C单元和第一三输入C单元的不同输入端从抗翻转的不同输入端获取信号，第二三输入C单元分别从两个二输入C单元和第一三输入C单元获取信号，时钟控制C单元从第二三输入C单元获取信号，四输入C单元分别从两个二输入C单元、时钟控制C单元和互锁环获取信号，两个传输门从第二三输入C单元获取信号，抗翻转从时钟控制C单元冗余模块、两个传输门和互锁环获取信号，信号输出模块从四输入C单元获取信号，能够有效抵抗多点意外翻转。
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公开(公告)号：CN118249967A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410463229.2
申请日：2024-04-17
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H04L1/20 , H04L43/0823
Abstract: 本发明涉及一种高速串行总线的多组态单粒子误码率预计方法，属于高速串行总线电路的单粒子效应测试领域。该方法对高速串行总线中发生的单粒子码错进行识别、分类和统计，根据统计结果，计算单粒子翻转截面CS_SEU和单粒子功能中断截面CS_SEFI；根据单粒子翻转截面CS_SEU，计算单粒子翻转误码率ER_SEU；根据单粒子功能中断截面CS_SEFI，计算单粒子功能中断误码率ER_SEFI；利用单粒子翻转误码率ER_SEU和单粒子功能中断误码率ER_SEFI计算高速串行总线单粒子总误码率ER。本发明实现了高速串行总线单粒子误码率的准确计算，有效保障高速串行总线单粒子效应评估的准确性和全面性。
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公开(公告)号：CN117554718A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311414466.1
申请日：2023-10-27
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 一种基于最小二乘法的单粒子威布尔曲线生成方法，包括：进行重离子试验，获取电路入射离子信息与单粒子翻转截面信息；通过单粒子翻转截面信息，预估幅值参数A的值；根据入射离子信息及单粒子翻转截面，通过规划求解计算阈值参数Xc的值；利用最小二乘法计算单粒子威布尔曲线参数中的形状参数d以及比例参数k；对单粒子威布尔曲线进行拟合，如果曲线不收敛，则返回修调幅值参数A，直至曲线收敛。本发明从多种层面上最大程度地提高了拟合效果，提高了单粒子威布尔拟合曲线的准确性。
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