公开(公告)号：CN118282357A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410357059.X

申请日：2024-03-27

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 刘智超 ,  朱永钦 ,  李同德 ,  王丹 ,  苑靖爽 ,  王亮

IPC: H03K3/013 ,  H03K3/356

Abstract: 本发明公开了一种基于冗余结构的抗多位翻转锁存器电路，其中抗翻转模块包括抗翻转电路、两个传输门电路和互锁环；抗翻转电路包括两个二输入C单元、两个三输入C单元、时钟控制C单元和四输入C单元，两个二输入C单元和第一三输入C单元的不同输入端从抗翻转的不同输入端获取信号，第二三输入C单元分别从两个二输入C单元和第一三输入C单元获取信号，时钟控制C单元从第二三输入C单元获取信号，四输入C单元分别从两个二输入C单元、时钟控制C单元和互锁环获取信号，两个传输门从第二三输入C单元获取信号，抗翻转从时钟控制C单元冗余模块、两个传输门和互锁环获取信号，信号输出模块从四输入C单元获取信号，能够有效抵抗多点意外翻转。

公开(公告)号：CN116885011A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310798197.7

申请日：2023-06-30

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 方星宇 ,  舒磊 ,  王亚坤 ,  李同德 ,  王亮 ,  张彦龙 ,  朱永钦 ,  杜芊 ,  鲍一豪 ,  刘智超

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明一种抗单粒子烧毁的高压沟槽型SiC JFET器件结构和制备方法，所述新型抗单粒子烧毁的沟槽型SiC JFET结构的元胞包括：漏极金属电极、N+衬底区、N‑漂移区、栅极金属电极、栅极沟槽底部和侧壁离子注入形成的P型掺杂区、电流扩展层、N+源区以及与源区相连的源极金属电极。其中，P型掺杂区整体与栅极相连，其内部由不同掺杂浓度的P型区域构成，重掺杂区域位于栅极沟槽拐角处。该结构改善了器件内部的电场分布，可有效缓解重离子入射引发的器件内部局部高温情况，具有较强的抗单粒子烧毁能力。同时，该结构可于漂移区额外添加缓冲层，进一步提高器件的抗单粒子烧毁能力。