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公开(公告)号：CN111724699A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010536411.8
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种NLED像素设置及修复方法。每个发光像素单元包括n个NLED芯片，每个像素单元包括至少m个NLED发光体；所述NLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和备用区域，通过Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连的复合方式将所述NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素电极的互连区域相连后，采用实时监测电极区域进行检测，在相应不良区域通过原位非Au-In连接方式将NLED芯片电极备用区域连接到驱动背板电极的对应备用区域上以进行修复，不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。本发明有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本，并且大大提高了LED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN108281456B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810052340.7
申请日：2018-01-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及Micro‑LED器件结构及制作方法，其中器件结构包括：多个Micro‑LED芯片构成的显示阵列；Micro‑LED芯片上设置有多个刻蚀面，刻蚀面上衬底与生长在刻蚀面上的外延层晶格常数匹配，刻蚀面之外的衬底与生长在刻蚀面外的外延层晶格失配；刻蚀面构成一个或多个倒锥形的凹部；每个凹部中填充或不填充量子点，构成一个像素点；显示阵列上的每个像素点由驱动电路单独驱动。利用外延层生长的晶格匹配能自动形成Micro‑LED像素，节省传统像素形成方法利用多次光刻和刻蚀的过程，制作工艺简单，成本低。倒锥形像素结构在像素间距一定的情况下，不仅可以增加像素面积，还可以提高观看视角；同时利用倒锥形结构可以增加量子点色彩转换层的厚度，增加光的传输路径和光学转换效率。
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公开(公告)号：CN109768027B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910085493.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/498 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L21/48 , H01L21/603 , G09F9/33
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED显示屏结构和制造方法，涉及显示器技术领域，包括设置于显示屏正面并由Micro‑LED芯片构成的显示阵列，所述显示阵列中每一行每一列的Micro‑LED芯片分别经金属线连接，且显示阵列的表面以及行和列的金属线之间分别设置有一层绝缘层；所述显示屏的背面设置有驱动芯片、金属焊盘以及若干条一端与驱动芯片相连接的背面金属走线，每条背面金属走线在功能上与正面的金属线一一对应；所述显示屏正面的的金属线和背面一一对应的背面金属走线经过孔方式连接并形成通路。有效克服Micro‑LED显示屏设计制造过程的转移和键合难题。
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公开(公告)号：CN109256456B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201811093873.6
申请日：2018-09-19
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/48 , H01L33/46 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种实现Micro‑LED显示出光效率提升和窜扰降低的微结构及其制造方法，包括衬底、透明基板、LED芯片阵列、微透镜阵列、倒梯形微结构阵列、以及封框体；其中倒梯形微结构与LED芯片一一对准并封装在一起；倒梯形微结构的顶部为分布式布拉格反射层，外周侧为反射层，内部填充有量子点发光层；微透镜与倒梯形微结构一一对应，并与微结构粘在一起成为一个整体。本发明不仅可利用蓝色LED芯片激发红色/绿色量子点层而转换为红光/绿光，实现Micro‑LED显示的色彩转换；同时，利用微结构中的分布式布拉格反射层，提高Micro‑LED显示的出光效率，还可利用微结构中的反射层和微透镜阵列提高垂直方向的出光效率，防止相邻像素的出光干扰，实现光效提取和窜扰降低的Micro‑LED显示。
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公开(公告)号：CN110690328A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910982153.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件。包括μLED晶粒，波长下转换发光层，上、下驱动电极，绝缘体，光学微结构以及控制模块，所述上、下驱动电极和所述μLED晶粒无直接的电学接触，所述控制模块分别与所述上、下驱动电极电学连接，为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号形成驱动电场，所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源，经所述波长下转换发光层而转化为第二光源。本发明提出的一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件中的驱动电极与μLED晶粒中p型半导体层和n型半导体层没有电学接触，能避免μLED发光器件中的芯片复杂制作工艺、以及μLED芯片与驱动芯片的键合和巨量转移工艺，有效降低μLED器件制作周期和成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676250A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910982161.8
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件。包括设置于下透明基板表面的下驱动电极，设置于上透明基板上、下表面的光学微结构和上驱动电极，连接所述上、下透明基板的障壁微结构，设置障壁微结构内的μLED晶粒、波长下转换发光层和绝缘层以及控制模块；障壁微结构沿上驱动电极的方向依次构成红光显示的R单元，绿光显示的G单元及蓝光显示的B单元。本发明上、下驱动电极与μLED晶粒没有电学接触，通过控制模块提供交变驱动信号和电学耦合实现对μLED晶粒点亮，激发波长下转换发光层而实现全彩化显示，可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺，及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺，缩短μLED显示制作周期，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN109085716A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201811104012.3
申请日：2018-09-21
Applicant: 福州大学
IPC: G02F1/1335
Abstract: 本发明涉及一种基于微流控和量子点技术的彩色滤光膜制备方法。所述制备方法包括设计微流控模板模板，制备进液孔和出液孔，配制具有不同发光波长的量子点墨水，采用微流控方法将量子点墨水注入PDMS沟道，并进行固化，在彩色滤光膜表面制备具有布拉格反射镜（DBR）结构的水氧阻隔膜。本发明制作方法工艺简单、操作简便、速度快、成本低，且能实现高色纯度、高显色指数、广色域，效果显著。
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公开(公告)号：CN106435483A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611137869.6
申请日：2016-12-12
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/042 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种高精度OLED器件的制备装置及制备方法。包括蒸发源阵列、基板、传动装置以及配合蒸发源阵列的掩膜板；所述蒸发源阵列由若干个蒸发源排列而成，蒸发源中的材料垂直向上蒸发至基板上，通过传动装置带动基板或蒸发源阵列的移动，完成基板的蒸镀，进而形成OLED器件。本发明加大了基板与掩膜板的距离，减小掩膜板对蒸镀的影响；减小蒸发源与基板的距离，使得蒸发材料更少地扩散在蒸发环境里，节约了蒸发材料；另外，还减小蒸发源间距，减小掩膜板孔隙间距，实现点对点的蒸发，增加单位面积内子像素的个数，实现了高精度OLED器件的制备。
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公开(公告)号：CN118867086A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411333248.X
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED键合、全彩化方法及系统，其中键合方法包括以下步骤：对Micro‑LED芯片的电极交替沉积顺磁性金属薄膜和铁磁性金属薄膜；对TFT基板的电极沉积单层铁磁性金属薄膜；并在TFT基板的表面对应像素点设置金属凸点阵列；对沉积好金属薄膜的Micro‑LED芯片和TFT基板进行磁化处理；将磁化处理后的Micro‑LED芯片和TFT基板放入去离子水中，进行流体磁性动态自组装；将完成流体磁性动态自组装的Micro‑LED芯片和TFT基板放入化学镀液中，使Micro‑LED芯片和TFT基板上的金属凸点自生长及互联，直至实现欧姆接触。避免Micro‑LED芯片在流体磁性动态自组装的过程中互相吸附，并通过图案化光刻胶和金属凸点实现芯片的有选择性自键合。
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公开(公告)号：CN118841360A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411334446.8
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种备多层复合结构的平面转移印章及制备方法，平面转移印章包括基板和设置在基板上的吸附层，吸附层可吸附LED芯片，基板和吸附层之间设置有形变层，形变层在受力时可发生形变；基板和形变层之间还设置有粘附层，粘附层可粘附基板和形变层；形变层由硅油和高分子材料A组成，高分子材料A由聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、硅橡胶和环氧树脂中的一种或多种组成。本发明平面转移印章在受力时发生形变，保证印章与目标基板贴合。通过加热可以改变盖印章与芯片的黏性，避免粘力过小无法拾取芯片，粘力过大，无法将芯片留在目标基板上。
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