-
公开(公告)号：CN117435159A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311386531.4
申请日：2023-10-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种补偿存算一体装置中计算结果偏移的方法及存算一体装置。该方法包括：在存算一体装置上映射运算权重和补偿权重；获取包括偏移补偿元素的输入向量；使用该存算一体装置对该输入向量进行运算。该方法利用存算一体装置中现有的存储阵列和外围电路，通过使用少数存储阵列来映射额外的权重，并在输入向量中增加偏移补偿元素，实现在模拟域减小存算一体装置中计算结果的偏移。通过本公开的实施例提供的方法，可以以更小的功耗和延迟实现对存算一体装置的计算结果偏移的补偿。
-
公开(公告)号：CN117008748A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310770328.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种基于非易失性存储器的智能屏幕系统及控制方法，其中，包括：双层ITO导电层，用于检测高频扫描电流的电流改变量，确定用户触摸输入位置，并获取用户的输入信息，以基于用户触摸输入位置发送电压脉冲；屏蔽层，用于为双层ITO导电层屏蔽干扰电信号；非易失性存储器层，用于接收电压脉冲，并根据电压脉冲确定非易失性存储器的当前功能模式，以对输入信息进行存储或计算操作。由此，解决了传统屏幕技术中，触摸技术只提供了用户的输入信息，无法在屏幕端对信息进行处理，信息处理效率和智能化程度较低等问题。
-
公开(公告)号：CN116935090A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211465838.9
申请日：2022-11-22
Applicant: 中国移动通信有限公司研究院 , 清华大学 , 中国移动通信集团有限公司
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/77 , G06V10/80
Abstract: 本发明提供基于存算一体阵列的目标检测方法、装置及电子设备，涉及人工智能技术领域，其中，方法，包括：获取待检测图像，并将待检测图像输入至存算一体阵列中，存算一体阵列包括第一阵列单元、第二阵列单元和第三阵列单元；基于第一阵列单元，对待检测图像进行特征提取，得到待检测图像对应的N个初始特征信息，N为大于1的整数；基于第二阵列单元，对N个初始特征信息分别进行特征融合，得到N个融合后的特征信息；基于第三阵列单元，对N个融合后的特征信息对应的目标检测结果进行去重，得到待检测图像的目标检测结果。这样可以在存算一体阵列中来完成目标检测过程，由于不存在数据搬运带来的时延，使得目标检测的效率有所提高。
-
公开(公告)号：CN116883713A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310603292.7
申请日：2023-05-25
Applicant: 清华大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V40/20 , G06N3/08
Abstract: 本申请涉及人工智能技术领域，特别涉及一种基于全光电忆阻器的储备池系统的动作分类方法，该方法包括：获取目标人体至少一个部位的变化信号，将每个部位的变化信号转换为对应的光脉冲序列输入到处于动态光电模式的全光电忆阻器，得到至少一个高维信号，将至少一个高维信号通过全光电忆阻器的非易失性的线性输出层进行权重训练，得到不同输出节点对应的权重值，根据不同输出节点对应的权重值进行分类，得到目标人体的当前动作。由此，解决了储备池计算中需要配置两种不同硬件带来的架构与集成复杂度较高等问题，设计了一种具有多功能多模态的光电器件，不仅在同一硬件上实现储备池“感存算一体”任务，而且可以实现对视频动作的高精度分类。
-
公开(公告)号：CN116779588A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210226722.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/535 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 一种中介层及其制作方法和集成电路。该中介层包括衬底基板、第一钝化层和后端器件。衬底基板设置有贯穿衬底基板的多个基板通孔；第一钝化层位于衬底基板上；后端器件位于第一钝化层远离衬底基板的一侧。后端器件包括有源层，有源层与衬底基板不同。由此，后端器件可以通过后端工艺在第一钝化层上堆叠，同时又不影响衬底基板的基板通孔的互连密度，进而可以通过增加后端器件为整体系统的设计提供更加丰富的功能，并能降低生产制造成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116761501A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210202535.1
申请日：2022-03-03
Applicant: 清华大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 一种忆阻器及其制备方法，该忆阻器包括第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的阻变层，其中，该阻变层包括金属氧化物，且配置为在第一电极和第二电极上施加的电压信号的控制下形成连接第一电极和第二电极的金属氧化物通道，该金属氧化物通道可以至少部分被相变以在第一导电态和第二导电态之间转变，该金属氧化物掺杂有掺杂元素，该掺杂元素与金属氧化物中的部分氧原子通过化学键键合。该忆阻器可具有形态、位置等更稳定的金属氧化物通道，且具有更稳定的第一导电态和第二导电态之间转变所处的阈值电压和保持电压。
-
公开(公告)号：CN116744775A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310603538.0
申请日：2023-05-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种多功能光电忆阻器件及光电忆阻器件阵列的制备方法。多功能光电忆阻器件包括：由预设的涂层材料制成的底电极；设置于底电极上方的阻变层，用于形成导电细丝；设置于阻变层上方的过渡层，用于构建阻变层与过渡层之间的表面缺陷态，并提供满足预设计量条件的氧离子；设置于过渡层上方的上电极，对阻变层、过渡层和底电极进行保护。由此，通过将多功能光电忆阻器件制备到CMOS晶体管的源端，晶体管通过外围电路以及底部译码电路和互连线将128×8个光电忆阻器进行集成，解决了现阶段人工视觉系统所研究的光电器件层面功能单一，缺少大规模集成的问题，实现器件多功能多模态的融合，为感存算一体的实现提供硬件基础。
-
公开(公告)号：CN112071345B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010811131.3
申请日：2020-08-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出两种非电易失性组合存储器件及其操作方法，其中，器件主要包括：阻变存储器、晶体管和存储电容；当阻变存储器和存储电容串联时，存储电容另一端与晶体管源端相连，阻变存储器与源线相连，存储电容与阻变存储器中间引出第二字线，晶体管栅极与第一字线相连、晶体管漏极与位线相连；当阻变存储器和存储电容并联时，存储电容与阻变存储器并联的公共端与晶体管源端相连，存储电容接地，阻变存储器与源线相连，晶体管栅极与字线相连、晶体管漏极与位线相连。另外，其存储电容均可采用堆叠式或沟槽式制造。由此，本申请的两种结构除了具备非电易失性、高速和低功耗的特征之外，还具备工艺制造灵活性，容易实现低成本制造的特点。
-
公开(公告)号：CN115553789A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211103792.6
申请日：2022-09-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种信号采集处理装置及方法、电子设备。该信号采集处理装置包括信号采集模块和信号处理模块，信号采集模块包括：信号采集电极，配置为采集第一电信号；第一滤波电路，配置为接收第一电信号，使用第一忆阻器对第一电信号进行滤波，得到第二电信号；信号处理模块包括：第二滤波电路，配置为接收第二电信号，使用多个第二忆阻器对第二电信号在多个频带内进行滤波，得到多个特征信号；信号特征求取电路，配置为基于多个特征信号得到多个特征值；以及特征应用电路，配置为根据多个特征值得到输出结果。该信号采集处理装置结构简单，具有更小的电路面积和功耗，利用忆阻器的电导可调特性，便捷地调节滤波电路的截止频率，使得信号处理的自由度更高。
-
公开(公告)号：CN115458005A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211160786.4
申请日：2022-09-22
Applicant: 清华大学
IPC: G11C11/4074 , G11C11/408 , G11C11/4094 , G11C11/4072 , G06N3/08 , G06N3/02
Abstract: 一种数据处理方法和存算一体装置、电子设备。所述存算一体装置包括忆阻器阵列、用于忆阻器阵列的外围电路以及至少一个补偿单元，其中，忆阻器阵列包括多个行列布置的忆阻器单元、多条源线和多条位线；至少一个补偿单元配置为对提供至存算一体系统的原始输入数据、忆阻器阵列经外围电路输出的直接输出数据中至少之一进行压降补偿操作，并且，至少一个补偿单元所进行的压降补偿操作基于忆阻器阵列中的线阻和外围电路中的寄生电阻确定。该存算一体装置能够通过补偿单元解决由于忆阻器阵列中的线阻和外围电路中的寄生电阻的存在而导致的IR压降问题，从而有效提高计算的准确性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
369
records
(took 0.068 seconds)
