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公开(公告)号：CN108987388A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810791940.5
申请日：2018-07-18
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有低压低电容触发特性的瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。主要包括：P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区，多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层、第三N+注入区和金属线。通过在SCR结构中嵌入MOS、二极管及特殊的金属布线设计，形成二极管辅助触发SCR的电流路径，以及MOS辅助触发SCR的电流路径，以降低器件的触发电压，提高器件电过应力鲁棒性。可在减小器件面积的同时，降低器件的寄生电容，增强器件的ESD、浪涌防护效能。
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公开(公告)号：CN108899317A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810746126.1
申请日：2018-07-09
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种二极管串辅助触发SCR的双向瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域，可用于提高片上IC和电路系统的静电放电防护或抗浪涌能力。该双向瞬态电压抑制器主要由P衬底、深N阱、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区、第三N+注入区和金属线构成。该器件通过结合二极管串触发电压低和BJT或SCR结构过电应力的鲁棒性强等优势，使器件在正、反向电学应力作用下，可实现无回滞且鲁棒性强的双向ESD或瞬态浪涌防护。
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公开(公告)号：CN105428353B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510953507.3
申请日：2015-12-17
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二鳍式多晶硅栅、第三N+注入区、LDMOS多晶硅栅、第二P+注入区、第三鳍式多晶硅栅、第三P+注入区、第四鳍式多晶硅栅、第四P+注入区、第四N+注入区、第二场氧隔离区和第三场氧隔离区构成。该器件在ESD脉冲作用下，器件内部可形成LDMOS‑SCR结构的ESD电流泄放路径、鳍式栅控反偏二极管结构的电流泄放路径、栅接电源PMOS与栅接地NMOS串联结构的电流泄放路径，可降低器件的触发电压、提高维持电压，增强器件的电压箝制能力和ESD鲁棒性，此外，鳍式栅控反偏二极管的设计可提高器件的开启速度。
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公开(公告)号：CN105489603B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610008442.X
申请日：2016-01-06
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种PMOS触发LDMOS‑SCR结构的高维持电压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该LDMOS‑SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、第二多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层、N阱、第四P+注入区构成的PMOS泄放路径，提高器件的维持电压、降低器件的触发电压；另一方面由所述第四P+注入区、所述N阱、所述P阱、所述第二P+注入区构成一条PNPN结构的ESD电流泄放路径，以提高器件的二次失效电流、增强器件的ESD鲁棒性。
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公开(公告)号：CN105390491B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510951868.4
申请日：2015-12-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L23/60
Abstract: 一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS‑SCR器件，可用于提高片上IC的ESD保护可靠性。主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区、第五N+注入区、若干多晶硅栅、若干薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该器件一方面由第二P+注入区、第三多晶硅栅、第五N+注入区、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区形成寄生的LDMOS‑SCR电流路径，可增强器件的ESD鲁棒性；另一方面由第一N+注入区、第一多晶硅栅、第一薄栅氧化层、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第二多晶硅栅、第二薄栅氧化层和第四N+注入区构成的叉指NMOS和寄生电阻，可形成阻容耦合效应，提高维持电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241277B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410521878.X
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件，可用于高压片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第一P+注入区、N阱、第二N+注入区、P阱、第三N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第一P+注入区、多晶硅栅、薄栅氧化层与第二P+注入区形成的PMOS管，通过栅极接高电位形成GDPMOS管，以抑制SCR器件发生强回滞，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN104576639B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410765827.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有小回滞窗口的高压ESD保护器件，可用于片上高压IC的ESD保护电路。主要由P型衬底、N型埋层、N阱、P阱、若干个P+注入区、若干个N+注入区、多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成。该保护器件可在高压ESD脉冲作用下，形成两条由LDMOS与SCR构成的ESD电流泄放路径。该电流泄放路径均以寄生的PNP管和N阱电阻为公共支路，以降低器件的电子发射率，提高维持电压和ESD鲁棒性。另一方面，通过在器件内部设计一齐纳二极管，以降低触发电压，实现具有小回滞窗口的高压ESD保护。
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公开(公告)号：CN103715233B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410011734.X
申请日：2014-01-10
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、高压N阱、N阱、P阱、P下沉掺杂、P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该LDMOS结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由P下沉掺杂、N阱、高压N阱、P阱、第一N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第二N+注入区与P下沉掺杂之间形成的反偏PN结，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN105633075A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610137957.X
申请日：2016-03-11
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/02
Abstract: 一种具有强电压钳制和ESD鲁棒性的嵌入式高压LDMOS-SCR器件，可用于高压IC的片上ESD防护。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第二场氧隔离区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二鳍式多晶硅栅、第三N+注入区、第三鳍式多晶硅栅、多晶硅栅、第四鳍式多晶硅栅、第二P+注入区、第五鳍式多晶硅栅、第三P+注入区、第六鳍式多晶硅栅、第四P+注入区、第三场氧隔离区、第四N+注入区和第四场氧隔离区构成。该器件在ESD脉冲作用下，可形成源端内嵌NMOS叉指结构和漏端内嵌PMOS叉指结构的阻容耦合电流路径和LDMOS-SCR结构的ESD电流泄放路径，以增强器件的ESD鲁棒性，提高电压钳制能力。
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公开(公告)号：CN103948329B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410210887.7
申请日：2014-05-19
Applicant: 江南大学
IPC: A47J39/02
Abstract: 本发明涉及一种便携式加热保温控湿套件，其包括保温腔体、加热腔体、控湿腔体、传感模块、中央控制单元、调节模块、信号处理电路和显示电路；所述传感模块置于所述保温腔体内部，包括用于检测所述保温腔体内部空气的温度传感器和湿度传感器；所述加热腔体内设有加热器；所述控湿腔体内设有干燥剂放置槽、排水口和半导体制冷片；所述加热腔体与所述控湿腔体之间通过换气扇加速气体交换；所述传感模块、所述加热腔体、所述控湿腔体的物理信号由所述中央控制单元、所述信息处理电路和所述调节模块进行控制、调节；所述显示电路具有数字显示等功能。本发明结构简单紧凑，使用方便，适应性好，节能环保，干净卫生，安全可靠。
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