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公开(公告)号:CN103952676B
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201410191839.8
申请日:2014-05-07
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种在电极材料上沉积b轴取向的BaTi2O5薄膜的制备技术。将BaTi2O5陶瓷采用激光脉冲沉积或磁控溅射的方式沉积在镀有Pt电极的基片上,得到非晶态的BaTi2O5薄膜;然后将沉积有薄膜的基片放在900-1000℃炉中退火,退火时将样品放在直流电场中,场强为200-3000V/cm,退火1-2小时即可得到高度b轴取向BaTi2O5薄膜。本发明可在Pt电极上制备出BaTi2O5薄膜,制备出的薄膜具有高度b轴取向;且本发明工艺简单,成本低廉,并可应用于制备其它取向薄膜,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN103964843B
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201410190163.0
申请日:2014-05-07
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种二钛酸钡陶瓷靶材的制备方法。BaTiO3粉末和TiO2粉末按摩尔比1:1混合烘干后用压片机压片;将压片放入电弧熔炼设备进行熔炼得到块体;然后破碎得到粒径10微米以下的二钛酸钡粉体;将粉体放入石墨模具然后移入FCT电场活化烧结炉中,施加40-60MPa的轴向压力并以95-105℃/min的升温速率升至1100℃,然后以8-12℃/min升温至1150℃,保温20-30min,降温、卸除压力并随炉冷却,最终得到物相为BaTi2O5、致密度为90%-95%的二钛酸钡陶瓷靶材。与现有BaTi2O5靶材制备方法相比烧结时间短、尺寸大、致密度高。
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公开(公告)号:CN102925727B
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201210454292.7
申请日:2012-11-14
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种Zn@W-Cu热用复合材料的制备方法,其特征是采用磁控溅射的方法,以Zn块为靶材或者采用真空热镀工艺,以纯度为99.9%的Zn粉在W粉表面包覆一层高纯Zn膜,得到Zn@W粉,再将Zn@W粉、Cu粉按照体积百分比为W=70.0%~90.0%,Cu=10.0%~30.0%进行球磨混合均匀,然后将混合均匀粉末在100-400MPa下进行冷等静压获得坯体,最后将坯体放入氢气炉中进行气氛烧结,得到Zn@W-Cu热用复合材料。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高、W-Cu之间结合力强、导热、导电性好的W-Cu复合材料,具有W-Cu复合材料结构可控,Zn的添加量极少且实现定向包覆等优点。
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公开(公告)号:CN103964843A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201410190163.0
申请日:2014-05-07
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种二钛酸钡陶瓷靶材的制备方法。BaTiO3粉末和TiO2粉末按摩尔比1:1混合烘干后用压片机压片;将压片放入电弧熔炼设备进行熔炼得到块体;然后破碎得到粒径10微米以下的二钛酸钡粉体;将粉体放入石墨模具然后移入FCT电场活化烧结炉中,施加40-60MPa的轴向压力并以95-105℃/min的升温速率升至1100℃,然后以8-12℃/min升温至1150℃,保温20-30min,降温、卸除压力并随炉冷却,最终得到物相为BaTi2O5、致密度为90%-95%的二钛酸钡陶瓷靶材。与现有BaTi2O5靶材制备方法相比烧结时间短、尺寸大、致密度高。
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公开(公告)号:CN103382534A
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN201310241546.1
申请日:2013-06-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种新型的具有高致密结构的W-Cu-SiC三元热控复合材料及其制备方法,W-Cu-SiC三元复合材料是由W粉、SiC粉和Cu粉按比例混合后,经热压烧结而成。所述复合材料中含体积分数30~50vol%的Cu,50~70vol%的W与SiC,其中SiC的体积分数范围为20~80%,相对应W粉的体积分数范围为80~20%,在不同配比下W-Cu-SiC复合材料的致密度均高达98%以上,在40~300°C温度范围内,该复合材料的热膨胀系数均稳定在5.7×10-6—9.74×10-6/K。本发明是一种成型方便、成本低廉和高性能的新型的复合材料,在电子封装、半导体散热片等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN101979317B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN201010501066.0
申请日:2010-10-09
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及一种高纯、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉的低温球磨制备方法,即:以市售高纯硅粉(纯度:>99.9,粒度:50~500目)作为初始原料,采用液氮或者液氩作为球磨介质,不锈钢球作为研磨介质,通过低温球磨,精确控制球磨时间为1~48小时,球磨转速为100~1000转/分钟,球料质量比为10:1~100:1,即可得到一种物相单一、高纯、晶粒尺寸范围为10~100nm、表面钝化的纳米晶硅粉。本发明工艺简单,成本低廉,可重复性好,而且所制备的纳米晶硅粉具有纯度高、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化等优异性能,可广泛应用于光电子信息和纳米技术领域。
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公开(公告)号:CN101700985B
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN200910272706.2
申请日:2009-11-10
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基封孔涂层的制备方法,该方法是:先将氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉体,与聚乙烯醇、三聚磷酸钠和水按照配比进行充分球磨混合,制得氮化硅基料浆,该料浆利用常温喷涂的方法在氮化硅基多孔陶瓷基体表面进行涂覆,得到生坯;生坯在常温干燥12~24小时后,于200~400℃进行排胶并保温5~24小时;排胶后的生坯在1400~1700℃氮气保护气氛下常压烧结并保温1~5小时,即得到致密的氮化硅基封孔涂层。本发明工艺简单、原料和工艺成本低、可重复性好,所制备的氮化硅基封孔涂层厚度均匀可控,结构致密,无微观裂纹,与氮化硅基多孔陶瓷基体结合良好。
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公开(公告)号:CN102267814A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201010189177.2
申请日:2010-06-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/584 , C04B38/00 , C04B35/622
Abstract: 本发明是一种添加造孔剂的磷酸盐结合氮化硅多孔陶瓷的制备方法,具体是:先将10~50vol.%造孔剂直接与α-氮化硅粉、氧化物粉以乙醇为球磨介质混合均匀,然后烘干得到混合粉;将磷酸按照与氧化物粉形成磷酸盐的化学计量配比加入到混合粉中,得到混合料;将混合料采用模压成型和冷等静压处理,得到成型样品;将成型样品在500~700℃进行热处理并保温2~5小时,然后在800~1200℃氮气气氛保护下常压烧结,即得到所述的氮化硅多孔陶瓷。本发明工艺简单、可重复性好、成本低,而且所制备的氮化硅多孔陶瓷材料具有孔隙分布均匀、孔径尺度小、孔隙率高和力学强度较高等优异性能。
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公开(公告)号:CN101456963B
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200910060403.4
申请日:2009-01-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于泡沫材料领域。一种微球复合泡沫材料的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)混料、排泡和成型步骤:按:空心微球为环氧树脂重量的0.1~6wt%,固化剂为环氧树脂重量的10~15wt%;增塑剂为环氧树脂重量0~20wt%,稀释剂为环氧树脂重量的0~20wt%,选取;搅拌混合,得混合物料;然后通过辊压机对混合物料进行辊压排泡处理,得混合均匀的树脂浆体;将树脂浆体倒入模具成型;2)前期低温固化步骤:将装有树脂浆体的模具放入低温真空条件的容器中,固化5~10h,得到高粘度树脂体;3)后期固化步骤:先在固化温度为20~50℃条件下,固化12~24h,然后升温至100~120℃,固化2~4h;得微球复合泡沫材料。该方法制备过程简单,填充的微球分布均匀。
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公开(公告)号:CN102031411A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010566861.8
申请日:2010-12-01
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种致密W-Cu复合材料的低温制备方法,该方法是;采用Zn粉作为添加剂,将W粉、Cu粉按照体积分数比为W=10.0%~75.0%,Cu=25.0%~90.0%,Zn占W-Cu总质量分的0.5%~2.0%进行三维混料,然后放入真空热压炉中,按指定真空热压烧结工艺进行真空热压烧结得到致密的W-Cu复合材料,所述真空热压烧结工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,烧结温度为700℃~900℃,保温时间为1~4h,施加压力大小为80~200MPa。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高的W-Cu复合材料,具有明显的工艺简单、成本低、成分调控范围广且精确等优点。
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