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公开(公告)号：CN102328919A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110187436.2
申请日：2011-07-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B21/068 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及高纯、尺度均匀可控的氮化硅纳米线短波长发光材料的制备方法，即：以市售纯度>99.999%和晶粒尺寸10～100nm的纳米硅粉作为初始原料，将其在液氮中处理1～100小时，得到表面氮钝化的纳米硅粉；经过后续氮化工艺处理，控制氮化温度为1000℃～1500℃，氮化气体为氮气与氨气的混合气体，气氛流量为100～1000ml/min，氮化保温1～24小时，得到物相单一、高纯、直径10～160nm、长度5～80μm的氮化硅纳米线。本发明工艺简单，成本低廉，可重复性好，而且所制备的氮化硅纳米线具有纯度高、物相单一、尺度均匀可控、短波长发光等优异性能，可广泛应用于光电子信息和纳米技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101979317A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010501066.0
申请日：2010-10-09
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及一种高纯、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉的低温球磨制备方法，即：以市售高纯硅粉（纯度：>99.9，粒度：50～500目）作为初始原料，采用液氮或者液氩作为球磨介质，不锈钢球作为研磨介质，通过低温球磨，精确控制球磨时间为1～48小时，球磨转速为100～1000转/分钟，球料质量比为10:1～100:1，即可得到一种物相单一、高纯、晶粒尺寸范围为10～100nm、表面钝化的纳米晶硅粉。本发明工艺简单，成本低廉，可重复性好，而且所制备的纳米晶硅粉具有纯度高、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化等优异性能，可广泛应用于光电子信息和纳米技术领域。
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公开(公告)号：CN109779352B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201910145806.2
申请日：2019-02-27
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于汽车自动力驱动的双层停车装置，整个装置由整体框架、两个平台升降模块、汽车固定结构、动力传输机构和液压升降模块组成。该装置是无电驱动的纯机构设备，通过汽车自动力驱动设备运作来完成汽车在有限空间内的高效停放的目的。本停车装置实用性强，能改善或解决老旧小区由于的公共停车位稀缺，且小区对停车位的利用率不高造成小区内停车位被滥用或被闲置的问题。本停车装置采用汽车自动力来驱动，不需要提供额外的动力，安装方便，空间利用率高。该停车装置利用汽车自身的动力，通过动力传输机构和液压控制系统将动力进行传动并放大，为摇杆滑块机构提供动力，实现停车平台的升降。
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公开(公告)号：CN109779352A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910145806.2
申请日：2019-02-27
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于汽车自动力驱动的双层停车装置，整个装置由整体框架、两个平台升降模块、汽车固定结构、动力传输机构和液压升降模块组成。该装置是无电驱动的纯机构设备，通过汽车自动力驱动设备运作来完成汽车在有限空间内的高效停放的目的。本停车装置实用性强，能改善或解决老旧小区由于的公共停车位稀缺，且小区对停车位的利用率不高造成小区内停车位被滥用或被闲置的问题。本停车装置采用汽车自动力来驱动，不需要提供额外的动力，安装方便，空间利用率高。该停车装置利用汽车自身的动力，通过动力传输机构和液压控制系统将动力进行传动并放大，为摇杆滑块机构提供动力，实现停车平台的升降。
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公开(公告)号：CN103553003A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310551546.1
申请日：2013-11-07
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B21/068 , C09K11/79 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明是一种镧/钇掺杂氮化硅纳米线的制备方法，具体是：以高纯Si粉和高纯金属镧（La）粉或金属钇（Y）粉作为初始原料，采用液氮低温球磨制备掺杂可控的纳米晶硅粉；经过后续氮化工艺处理，得到高纯、掺杂可控的α相氮化硅纳米线。本发明的氮化硅纳米线发射光谱波长范围为350～500nm。本发明的工艺简单，成本低廉，可重复性好，而且制得的氮化硅纳米线具有纯度高、掺杂可控、短波发光、单色性好、发光强度高等优越性能，可广泛应用于光电子信息和纳米技术领域。
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公开(公告)号：CN101979317B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010501066.0
申请日：2010-10-09
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及一种高纯、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉的低温球磨制备方法，即：以市售高纯硅粉（纯度：>99.9，粒度：50～500目）作为初始原料，采用液氮或者液氩作为球磨介质，不锈钢球作为研磨介质，通过低温球磨，精确控制球磨时间为1～48小时，球磨转速为100～1000转/分钟，球料质量比为10:1～100:1，即可得到一种物相单一、高纯、晶粒尺寸范围为10～100nm、表面钝化的纳米晶硅粉。本发明工艺简单，成本低廉，可重复性好，而且所制备的纳米晶硅粉具有纯度高、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化等优异性能，可广泛应用于光电子信息和纳米技术领域。
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