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公开(公告)号：CN115146529B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210661377.6
申请日：2022-06-13
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/17 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06F119/14
Abstract: 本发明提出了一种汽车悬架弹簧冷抛丸强化残余应力预测方法。将多组训练样本依次输入至基于ABAQUS的冷抛丸仿真模型，运行仿真，提取得到每组训练样本对应的真实标签；构建BP神经网络训练模型，代入上述实验得到的训练样本及其对应真实标签，迭代训练得到训练后BP神经网络训练模型；将待预测的弹丸直径、抛丸速度、覆盖率输入至该神经网络模型，预测该输入参数下抛丸后实际材料残余应力和粗糙度。本发明的技术效果是：发挥了BP神经网络误差反向传播、调整网络模型不断接近最准确的数据特征的技术优越性，实现了冷抛丸强化工艺对残余应力的量化把握，大大提高了冷抛丸强化工艺的残余应力和粗糙度预测的准确度和效率，具有十分重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN115146529A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210661377.6
申请日：2022-06-13
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/17 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提出了一种汽车悬架弹簧冷抛丸强化残余应力预测方法。将多组训练样本依次输入至基于ABAQUS的冷抛丸仿真模型，运行仿真，提取得到每组训练样本对应的真实标签；构建BP神经网络训练模型，代入上述实验得到的训练样本及其对应真实标签，迭代训练得到训练后BP神经网络训练模型；将待预测的弹丸直径、抛丸速度、覆盖率输入至该神经网络模型，预测该输入参数下抛丸后实际材料残余应力和粗糙度。本发明的技术效果是：发挥了BP神经网络误差反向传播、调整网络模型不断接近最准确的数据特征的技术优越性，实现了冷抛丸强化工艺对残余应力的量化把握，大大提高了冷抛丸强化工艺的残余应力和粗糙度预测的准确度和效率，具有十分重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN111649962A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010449940.4
申请日：2020-05-25
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G01M17/04
Abstract: 本发明公开了一种车用减震器筒疲劳试验的固定装置，其中悬挂机构包括悬挂板和竖向伸缩杆，竖向伸缩杆的下部固定、上部伸缩且伸缩端可旋转的设有转轴，转轴能通过连接组件从两侧将悬挂板可拆卸的固定；对夹机构包括位于两侧的横向伸缩杆，横向伸缩杆背对的一端固定、正对的一端伸缩且伸缩端设有夹持块，夹持块上正对侧的弧形面通过分布的弹簧连接有弧形块、两端设有卡扣组件，两侧的夹持块合拢且通过卡扣组件固定时弧形块能从两侧夹紧减震器筒；支撑机构包括支撑杆和固定的支撑架，工作时支撑杆可拆卸的支撑固定在两侧支撑架上且中部将减震器筒支撑。该装置操作简单，便于观察减震器筒上的裂纹情况，能够固定多种型号的减震器筒，固定效果好。
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公开(公告)号：CN115146555A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210628226.0
申请日：2022-06-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G06F30/28 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高压水射流喷丸的模拟方法，包括：构建高压水射流喷丸的流体域和固体域；将流体域导入网格划分软件中并对流体域进行网格划分，将固体域导入静态结构分析；设置材料属性，并选择流体力学模型；设置其它关键参数；计算获得高压水射流喷丸作用下的流场信息；读取流场信息，输出靶体所受冲击最大时刻的压力文件；读入压力文件，将压力加载于靶体受冲击的表面；设置靶体材料，进行网格划分，设置相关参数进行求解；根据求解结果得到靶体受到高压水射流喷丸作用下，材料表面性能的变化。本发明能完整模拟高压水射流从入口冲击到靶向材料的全过程模型，可以实时监测流场中各个位置的物理信息。
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公开(公告)号：CN102584335B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210009541.1
申请日：2012-01-13
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 本发明涉及BaTi2O5薄膜择优取向生长的制备方法，包括有以下步骤：1)制得钡源溶液；2)将稀释，搅拌，冷却至室温，得到钡源溶液的稀释液；3)加到液态有机钛源中，搅拌、混合，得到含钡钛的混合溶液；4)将溶液中Ba2+浓度定为0.05～0.15mol/L，搅拌，陈化，得到前驱体溶胶；5)将前驱体溶胶滴到单晶基板上，在匀胶机上对前驱体溶胶进行匀胶，得到湿膜，热解，得到非晶单层薄膜；6)置于快速退火炉中，晶化，得到晶化单层薄膜；7)重复步骤5)和步骤6)多次，即可。本发明的有益效果是：本发明提供的方法实施方便，对实验设备要求不高，成本低，表面平整致密、组分均匀、颗粒分布均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101049970A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710051774.7
申请日：2007-04-02
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备V2O5－WO3复合前驱体稳定溶胶的方法。该方法以熔融淬冷法制备的V2O5溶胶为研究出发点，通过加入离子交换法所制备的WO3溶胶，在聚四氟乙烯衬底的不锈钢反应釜中180±2℃水热反应24±0.5小时，制备出了均匀稳定的混合溶胶及电致变色薄膜，且所得薄膜具有较高的电容量及光调制范围。
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公开(公告)号：CN102584335A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210009541.1
申请日：2012-01-13
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 本发明涉及BaTi2O5薄膜择优取向生长的制备方法，包括有以下步骤：1)制得钡源溶液；2)将稀释，搅拌，冷却至室温，得到钡源溶液的稀释液；3)加到液态有机钛源中，搅拌、混合，得到含钡钛的混合溶液；4)将溶液中Ba2+浓度定为0.05～0.15mol/L，搅拌，陈化，得到前驱体溶胶；5)将前驱体溶胶滴到单晶基板上，在匀胶机上对前驱体溶胶进行匀胶，得到湿膜，热解，得到非晶单层薄膜；6)置于快速退火炉中，晶化，得到晶化单层薄膜；7)重复步骤5)和步骤6)多次，即可。本发明的有益效果是：本发明提供的方法实施方便，对实验设备要求不高，成本低，表面平整致密、组分均匀、颗粒分布均匀。
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公开(公告)号：CN101700985B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910272706.2
申请日：2009-11-10
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基封孔涂层的制备方法，该方法是：先将氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉体，与聚乙烯醇、三聚磷酸钠和水按照配比进行充分球磨混合，制得氮化硅基料浆，该料浆利用常温喷涂的方法在氮化硅基多孔陶瓷基体表面进行涂覆，得到生坯；生坯在常温干燥12～24小时后，于200～400℃进行排胶并保温5～24小时；排胶后的生坯在1400～1700℃氮气保护气氛下常压烧结并保温1～5小时，即得到致密的氮化硅基封孔涂层。本发明工艺简单、原料和工艺成本低、可重复性好，所制备的氮化硅基封孔涂层厚度均匀可控，结构致密，无微观裂纹，与氮化硅基多孔陶瓷基体结合良好。
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公开(公告)号：CN115146555B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210628226.0
申请日：2022-06-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G06F30/28 , G06F111/10 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种高压水射流喷丸的模拟方法，包括：构建高压水射流喷丸的流体域和固体域；将流体域导入网格划分软件中并对流体域进行网格划分，将固体域导入静态结构分析；设置材料属性，并选择流体力学模型；设置其它关键参数；计算获得高压水射流喷丸作用下的流场信息；读取流场信息，输出靶体所受冲击最大时刻的压力文件；读入压力文件，将压力加载于靶体受冲击的表面；设置靶体材料，进行网格划分，设置相关参数进行求解；根据求解结果得到靶体受到高压水射流喷丸作用下，材料表面性能的变化。本发明能完整模拟高压水射流从入口冲击到靶向材料的全过程模型，可以实时监测流场中各个位置的物理信息。
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公开(公告)号：CN101700985A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910272706.2
申请日：2009-11-10
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基封孔涂层的制备方法，该方法是：先将氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉体，与聚乙烯醇、三聚磷酸钠和水按照配比进行充分球磨混合，制得氮化硅基料浆，该料浆利用常温喷涂的方法在氮化硅基多孔陶瓷基体表面进行涂覆，得到生坯；生坯在常温干燥12～24小时后，于200～400℃进行排胶并保温5～24小时；排胶后的生坯在1400～1700℃氮气保护气氛下常压烧结并保温1～5小时，即得到致密的氮化硅基封孔涂层。本发明工艺简单、原料和工艺成本低、可重复性好，所制备的氮化硅基封孔涂层厚度均匀可控，结构致密，无微观裂纹，与氮化硅基多孔陶瓷基体结合良好。
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