公开(公告)号：CN101771050A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910200625.1

申请日：2009-12-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  孙清清 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种源极为窄禁带宽度的互补隧穿晶体管(CTFET)结构及其制备方法。该互补隧穿晶体管由源极为窄禁带宽度的U形N型隧穿晶体管(NTFET)和U形P型隧穿晶体管(PTFET)组成。对于N型隧穿晶体管，使用SiGe、Ge等材料，对于P型隧穿晶体管，使用AsGa、InAsGa等材料。由于该CTFET采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流得到提升，同时，由于该CTFET采用了U形沟道结构，其漏电流也得到了抑制。本发明提出的CTFET具有低漏电流、高驱动电流、低功耗、集成度高等优点。

公开(公告)号：CN101764087A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN201010023060.7

申请日：2010-01-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  孙清清 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种铜与低介电常数材料集成的方法，该方法包括：采用湿法刻蚀并用光照射促进电化学刻蚀的技术将铜刻蚀，然后在铜上填充低介电常数介质，形成铜与low-k介质的互连。由于光的各向异性特性，本发明可以实现铜和其它多种金属的各向异性刻蚀，同时由于是在刻蚀铜后再进行low-k介质的填充，这也就解决了集成电路铜互连中的low-k材料的刻蚀问题和介质中的孔洞带来的问题。

公开(公告)号：CN101764085A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910200623.2

申请日：2009-12-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种刻蚀铜的方法。该方法包括：采用湿法刻蚀并用光照射促进电化学刻蚀的技术将铜刻蚀，然后在铜上填充low-k介质。由于光的各向异性特性，本发明提出的湿法刻蚀也具有各向异性的特性，这样可以实现铜和其它多种金属的各向异性刻蚀，同时这也解决了集成电路铜互连中的low-k刻蚀、孔洞等问题。

公开(公告)号：CN101699617A

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200910197859.5

申请日：2009-10-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  王鹏飞 ,  仇志军 ,  张卫

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种隧穿场效应晶体管(TFET)的制备方法。本发明使用自对准工艺形成隧穿场效应晶体管。这种隧穿场效应晶体管的制备方法工艺简单，形成这种隧穿场效应晶体管的工艺拥有自对准特性，而且其源极和漏极的形成过程可以被分离，从而可以很容易地形成拥有和衬底材料不同的源极结构。

公开(公告)号：CN115089592B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202210613303.5

申请日：2022-05-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  赵晓宇 ,  乔芮

IPC: A61K31/5377 ,  A61P31/14 ,  C12N5/077 ,  C12N5/09

Abstract: 本发明提供了一种多重酪氨酸激酶抑制剂SU14813）在制备抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒（EV‑A71）药物中的应用。本发明还包括相应的SU14813药物组合、使用方法、SU14813试剂盒等。本发明的研究表明，SU14813能够有效的抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒的活性，SU14813治疗后RD细胞的病毒减少，并且SU14813对RD细胞中EV‑A71抑制作用呈现剂量依赖性。本发明从已上市药品中筛选具有抗EV‑A71病毒活性的药物，将节约药物筛选过程中有关药物代谢、药物安全和毒理等方面的研究费用，降低药物研发的风险，为EV‑A71感染疾病的对症治疗和新药开发提供新的思路和途径。

公开(公告)号：CN117088970A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310607960.3

申请日：2023-05-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  曹志伟 ,  赵晓宇 ,  裘天颐 ,  乔芮 ,  李嘉言

IPC: C07K16/10 ,  C12N15/13 ,  C12N5/10 ,  G01N33/569 ,  A61K47/68 ,  A61K39/42 ,  A61K45/06 ,  A61P31/14

Abstract: 本发明提供了广谱的抗冠状病毒的单克隆抗体的制备和应用，具体地，本发明公开了3株针对新冠病毒SARS‑CoV和/或SARS‑CoV‑2的受体结合域(RBD)蛋白的单克隆抗体、编码抗体和抗体片段的核酸序列及其制备方法。体外实验证实本发明的抗体对各种测试的SARS‑CoV、SARS‑CoV‑2及其突变株假病毒都显示很强的中和作用，证实其具备广谱中和能力。

公开(公告)号：CN103490007B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310449102.7

申请日：2013-09-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  王鲁浩 ,  王鹏飞 ,  张卫 ,  周鹏

IPC: H01L43/12 ,  G11C11/16 ,  C01B31/04 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/16 ,  G11C2213/35

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于石墨烯纳米带的自旋阀及其制备方法。本发明采用石墨烯作为沟道材料，采用氢等离子体刻蚀，控制石墨烯宽度方向减小形成石墨烯纳米带，并氢化边缘碳原子；采用氧等离子体刻蚀，控制石墨烯宽度方向减小形成石墨烯纳米带，并氧化边缘碳原子，从而得到石墨烯纳米带的功能器件。理论计算表明制备的器件具有自旋阀的效果，可以应用于自旋存储器中。

公开(公告)号：CN103219369B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310098550.7

申请日：2013-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  张卫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制造高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻，增强了高电子迁移率器件的电学性能。

公开(公告)号：CN102709177B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201210195407.5

申请日：2012-06-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  沈于兰 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/316

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上高k介质原子层沉积方法。本发明方法在石墨烯表面覆盖罗丹明缓冲层，通过原子层沉积实现高k介质在石墨烯表面的均匀淀积。利用罗丹明缓冲层是一种新颖的在石墨烯表面生长高k介质的方法，它可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中。另外，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。

公开(公告)号：CN104183594A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410404475.7

申请日：2014-08-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  黄泓帆 ,  张卫

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件。该氮化镓功率器件包括一个常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管和一个常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管，其中常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一源极和第一控制栅分别与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二漏极和第二控制栅连接；且常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一浮栅通过一个第一二极管与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二源极连接。本发明的氮化镓功率器件可以在同一个氮化镓基底上形成，结构简单、易于封装、适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。