公开(公告)号：CN115768252A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211489475.2

申请日：2022-11-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孟佳琳 ,  王天宇 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H10N79/00 ,  H10N70/20 ,  H01L21/50 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法。该异质集成的人工视网膜忆阻器件由两片包含人工视网膜忆阻器的硅片背部相互贴合，实现硅‑硅键合，互连与集成为异质集成的人工视网膜忆阻器件，上层人工视网膜忆阻器作为光电传感单元，下层人工视网膜忆阻器作为存储单元与处理单元，并且上层器件和下层器件均为环形结构，可独立完成光信号采集、处理与存储任务。相比于传统的光学信号感知、处理与存储单元，本发明的器件无需考虑传感单元、存储单元与计算单元间复杂的信号转换与集成困难，极大程度提高了后摩尔时代芯片的工作效率与集成密度。

公开(公告)号：CN112331773B

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202011155925.5

申请日：2020-10-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  何振宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H10K10/50 ,  H10K77/10 ,  H10K10/82 ,  H10K71/40

Abstract: 本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件，包括：柔性衬底；底层电极，形成在柔性衬底上；经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，形成在底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在PEDOT:PSS有机功能层上。本发明解决了有机材料器件易受到水的影响而使得器件性能衰减或失效的问题，为有机忆阻器件的防水应用场景提供了可能。

公开(公告)号：CN115411184A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211112665.2

申请日：2022-09-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孟佳琳 ,  王天宇 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开一种低功耗人工视网膜仿生器件及其制备方法。该器件包括：硅基衬底；底电极，形成在所述硅基衬底上；多重由p型有机薄膜/n型氧化物半导体薄膜/顶层电极构成的叠层结构，其中，p型有机薄膜，形成在制备有所述底电极的硅基衬底上；n型氧化物半导体薄膜，形成在所述p型有机薄膜上；顶层电极，形成在所述n型氧化物半导体薄膜上；以紫外光源作为光激励信号，利用有机无机混合pn结的本征光响应实现光学信号的采集，同时利用pn结忆阻器的神经形态调控特性实现存算一体功能。

公开(公告)号：CN115410902A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211112656.3

申请日：2022-09-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  李振海 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开一种改善铁电MOS电容性能的方法。该方法包括以下步骤：在Si衬底形成TiN底电极；在室温下采用氨等离子体对所述TiN底电极进行处理，使TiN底电极富N；在经处理后的所述TiN底电极上形成铪基铁电介质层；在所述铪基铁电介质层上形成TiN顶电极；在氮气氛围下进行快速热退火处理。

公开(公告)号：CN115295720A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210609947.7

申请日：2022-05-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孟佳琳 ,  王天宇 ,  何振宇 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L45/00 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开一种太赫兹铁电神经突触器件及其制备方法。该太赫兹铁电神经突触器件包括：衬底；铪基铁电功能层，形成在所述衬底上，呈长条状；电极，形成在所述长条状铪基铁电功能层的两侧，所述电极包括测试区和接触区，所述接触区与所述铁电功能层相接触，所述接触区呈T型状，且其平顶部的延伸方向与所述铁电功能层的延伸方向垂直，在一侧电极施加太赫兹激励，实现高速电畴极化翻转，获得可控的电导调制状态，用于神经形态计算。

公开(公告)号：CN115274457A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210917408.X

申请日：2022-08-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  钱柏帆 ,  王天宇 ,  孟佳琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种阈值电压可调的超薄氧化铟锡薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：在具有二氧化硅层的硅衬底上形成源极和漏极；在上述结构上，采用原子层沉积依次生长超薄氧化铟锡薄膜和高K介质层；在所述高K介质层上形成金属栅；采用金属栅自对准工艺刻蚀高k介质层和超薄氧化铟锡薄膜，将除沟道区域以外的高K介质层和超薄氧化铟锡薄膜去除；进行快速热退火处理，通过在纳米级别精准调控沟道层超薄氧化铟锡薄膜的厚度，从而直接调控晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN115241369A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210902929.8

申请日：2022-07-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  房雨晴 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开一种柔性阻变存储器及其制备方法。该柔性阻变存储器包括：具有ITO导电层的柔性衬底，其中ITO导电层作为底电极；介质层，其为相变材料，形成在所述底电极上；顶电极，其为ITO材料，形成在所述介质层上，所述顶电极的厚度与所述底电极的厚度不同，以使得上下两个电极具有不同的提供铟导电细丝的能力，从而控制阻变过程，实现不同的阻值。

公开(公告)号：CN115172407A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210930734.4

申请日：2022-08-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  胡雪萌 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明公开一种柔性NAND闪存存储器及其制备方法。该柔性NAND闪存存储器包括：柔性衬底；字线，形成在所述柔性衬底上；PMMA阻挡层，覆盖上述结构；俘获层，其为高k介质材料，形成在所述PMMA阻挡层上；隧穿层，形成在所述俘获层上；C8‑BTBT有机半导体层，形成在所述隧穿层上；共有源极线、位线，形成在所述C8‑BTBT有机半导体层。

公开(公告)号：CN115117091A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210930733.X

申请日：2022-08-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王天宇 ,  孟佳琳 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/1159 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开一种三栅型六位存储器件及其制备方法。该三栅型六位存储器件包括：衬底；三个栅电极，彼此间隔分布在所述衬底上；铁电栅介质层，其为有机铁电聚合物薄膜，覆盖上述结构；沟道层，其二维铁电半导体材料，形成在所述铁电栅介质层上；源电极和漏电极，形成在所述沟道层两侧，分别先后对三个栅电极施加正向电压，使有机铁电聚合物薄膜和二维铁电半导体材料发生不同程度的极化翻转，从而获得六个不同的极化翻转组合状态，实现器件的六位存储功能。

公开(公告)号：CN115084381A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210609174.2

申请日：2022-05-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  G06N3/067

Abstract: 本发明公开一种有机无机杂化光电神经突触器件及其制备方法。该有机无机杂化光电神经突触器件包括：高掺杂硅衬底，作为底电极；有机钙钛矿薄膜，形成在所述底电极上；无机钙钛矿薄膜，形成在所述有机钙钛矿薄膜上；顶电极，形成在所述无机钙钛矿薄膜上，以光源激励和电压激励作为刺激信号，利用有机钙钛矿薄膜和无机钙钛矿薄膜的光电响应耦合，实现高稳定性的光电神经突触特性模拟。