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公开(公告)号：CN112951915B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110108176.9
申请日：2021-01-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法，在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构；在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极；所述颈区的下方设有集成晶体管；在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层。采用本发明的技术方案，可以大大降低半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离、减少因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量；同时使器件内的电流密度大幅降低，从而降低因电流热效应而产生的热量，使器件的SEB安全工作电压得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN110246403B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910670988.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G09B23/22
Abstract: 本发明公开了一种电镜像散及消像散的演示装置及方法。电镜像散及消像散的演示装置的第一弧矢面杆的两个端点与第二弧矢面杆的两个端点均位于第一平面，第一子午面杆的两个端点与第二子午面杆的两个端点均位于第二平面，第一平面和第二平面相互垂直；顶部弹性圈、中间弹性圈和底部弹性圈分别设置在四个杆的顶部、中部和底部；底板上设置有相互垂直交叉的第一刻度凹槽和第二刻度凹槽；第一弧矢面杆和第二弧矢面杆可滑动的设置在第一刻度凹槽上，第一子午面杆和第二子午面杆可滑动的设置在第二刻度凹槽上。采用本发明的电镜像散及消像散的演示装置及方法，能够直观方便的模拟像散和消像散原理。
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公开(公告)号：CN101391901A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810137483.4
申请日：2008-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: Al2O3陶瓷与金属材料的钎焊方法，它涉及Al2O3陶瓷与金属材料的连接方法。本发明解决了现有连接Al2O3陶瓷与金属材料的方法连接后的接头强度低和连接件的气密性低的问题。本发明Al2O3陶瓷与金属材料的钎焊方法是按照以下步骤进行的：1.陶瓷清洗、箔片去膜；2.制得活性金属化的陶瓷；3.金属清洗；4.钎焊；即得到陶瓷与金属材料的焊接件。本发明另一种方法是按照以下步骤进行的：1.陶瓷清洗、配制活性金属化粉末膏；2.制得活性金属化的陶瓷；3.金属清洗；4.钎焊；即得到陶瓷与金属材料的焊接件。本发明的方法焊接的焊接件接头连接强度高可达到50～100MPa，接头漏气率＜1.0×10－8Pa·m3/s。
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公开(公告)号：CN113828165A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110988600.3
申请日：2021-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及一种聚乙烯醇超薄选择层复合纳滤膜的制备方法，包括：将聚乙烯醇粉末溶解在去离子水中得到聚乙烯醇溶液；将六氟二酐粉末溶解在无水乙醇中得到交联剂；将十二烷基硫酸钠颗粒溶解在去离子水中得到表面活性剂；先利用十二烷基硫酸钠溶液浸润基膜表面进行亲水性预处理；接着将交联剂六氟二酐溶液和聚乙烯醇溶液先后引入膜表面，发生梯度交联反应得到六氟二酐聚乙烯醇超薄选择层纳滤膜。本发明能够减小纳滤膜选择层的厚度，有效控制纳滤膜的渗透通量和分离性能之间相互制约效应。
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公开(公告)号：CN113691307A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110927019.0
申请日：2021-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 鞍山睿科光电技术有限公司 , 哈尔滨理工大学 , 国家电网公司信息通信分公司 , 国网湖北省电力有限公司检修公司
IPC: H04B10/071
Abstract: 本发明提供了一种基于BOTDR和OTDR的OPGW光缆故障定位与预警方法，该方法包括：选取OPGW光缆的多个空余纤芯，利用OTDR和BOTDR分别测试多个空余纤芯的损耗和布里渊频移数据；基于多个空余纤芯的布里渊频移数据，确定熔接点；将所确定的熔接点与杆塔信息中的熔接杆塔位置进行对应，以定位熔接杆塔和应变异常区域；基于测试所得的多个空余纤芯的损耗以及熔接点与熔接杆塔位置的对应关系，识别非熔接点处大于第一阈值的损耗点，作为候选故障点；若候选故障点位于应变异常区域内，则进行故障点预警且预警的类型为第一类型。本发明的上述方法，能够为OPGW光缆运行提供更为精确的预警手段，准确定位应变和衰减异常的区域，具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112951915A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110108176.9
申请日：2021-01-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法，在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构；在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极；所述颈区的下方设有集成晶体管；在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层。采用本发明的技术方案，可以大大降低半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离、减少因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量；同时使器件内的电流密度大幅降低，从而降低因电流热效应而产生的热量，使器件的SEB安全工作电压得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN103846640B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201210524753.3
申请日：2012-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: B23P17/02
Abstract: 本发明涉及一种微小孔的等离子体放电加工装置及加工方法，属于机械制造技术领域。本发明为解决现有微小孔加工方法难以完全避免表层/亚表层损伤，以及现有等离子体无损加工装置不适用于微小孔的超精密高效加工等问题。通过导向器将小直径线状电极固定于待加工孔中心，在电极与孔壁间的间隙内形成等离子体放电空间，射频电源通过阻抗匹配器与电极连接，工作气体通过对应的质量流量控制器控制流量后通入气室，接地夹套设置于工作台内并接地。方法：工件安放并接地，定位电极；通入气体，并调节流量；输入并调节功率；控制运动轨迹和驻留时间；关闭电源和气体；取出工件。本发明适用于微小孔的等离子体放电加工。
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公开(公告)号：CN101391901B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810137483.4
申请日：2008-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: Al2O3陶瓷与金属材料的钎焊方法，它涉及Al2O3陶瓷与金属材料的连接方法。本发明解决了现有连接Al2O3陶瓷与金属材料的方法连接后的接头强度低和连接件的气密性低的问题。本发明Al2O3陶瓷与金属材料的钎焊方法是按照以下步骤进行的：一、陶瓷清洗、箔片去膜；二、制得活性金属化的陶瓷；三、金属清洗；四、钎焊；即得到陶瓷与金属材料的焊接件。本发明另一种方法是按照以下步骤进行的：一、陶瓷清洗、配制活性金属化粉末膏；二、制得活性金属化的陶瓷；三、金属清洗；四、钎焊；即得到陶瓷与金属材料的焊接件。本发明的方法焊接的焊接件接头连接强度高可达到50～100MPa，接头漏气率
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公开(公告)号：CN205484413U
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201620054539.X
申请日：2016-01-20
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本实用新型涉及电子显微镜背散射电子衍射测试技术领域，尤其涉及一种用于扫描电子显微镜EBSD测试的样品台。本实用新型提供一种用于扫描电子显微镜EBSD测试的样品台，该样品台为一体式结构，包括斜台和阶梯式底座，斜台与阶梯式底座连接的斜台切面与阶梯型底座成70°夹角，该斜台切面与阶梯型底座的交线同进样方向呈夹角，以保证样品测试面面向EBSD探头。本实用新型简单可靠，一体结构牢固耐用，简化电镜放样流程，可测量大样品或一次测量多个样品，可显著提高EBSD测样的效率。
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公开(公告)号：CN205879705U
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201620643268.1
申请日：2016-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G01N3/303
Abstract: 本实用新型提出了一种小型低温冲击试验装置，包括支撑结构、释放结构、冲击装置、缓冲结构和冷却装置；其中，支撑结构由底座、垂直固定在底座上的支撑杆、固定顶板组成；冲击装置包括框架、落锤、以及样品上方的撞针，框架沿支撑杆滑动，落锤固定在框架下部的中间位置，落锤将冲击传至撞针，撞针使用穿孔钢板固定，撞针的下方为凿状；试样置于空心治具上，撞针置于试样的正上方，但不与试样接触；缓冲装置由穿孔钢板上方的阻尼橡胶垫与下方的弹簧组成；冷却装置里边通过酒精与液氮的混合来控制温度，酒精与液氮配比不同来实现不同的温度，空心治具置于冷却装置中。该装置非常适合小型非标样品，且在实验过程中避免了横向摆锤的伤害。
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