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公开(公告)号：CN112951915A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110108176.9
申请日：2021-01-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法，在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构；在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极；所述颈区的下方设有集成晶体管；在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层。采用本发明的技术方案，可以大大降低半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离、减少因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量；同时使器件内的电流密度大幅降低，从而降低因电流热效应而产生的热量，使器件的SEB安全工作电压得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN112951915B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110108176.9
申请日：2021-01-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种功率器件抗单粒子烧毁加固结构极及其制备方法，在半导体功率器件的漏电极区域设置一个N型多缓冲层区结构；在源电极与颈区电极处形成一沟槽并形成金属电极；所述颈区的下方设有集成晶体管；在P型体区与漂移区之间设置N型场截止层。采用本发明的技术方案，可以大大降低半导体功率器件漂移区和衬底同质结处的电场峰值和碰撞电离、减少因碰撞电离导致雪崩倍增而产生的载流子的数量；同时使器件内的电流密度大幅降低，从而降低因电流热效应而产生的热量，使器件的SEB安全工作电压得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN117650056A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311611164.3
申请日：2023-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种高可靠特种陶瓷直插器件的封装工艺，所述封装工艺是将芯片通过真空烧结工艺烧结在直插器件的导电区，再通过深腔键合工艺将键合丝的两端键合在芯片和直插器件的引出端上，最后再将管壳进行封焊，完成器件封装。其目的在于，通过采用深腔真空烧结工艺和深腔键合工艺，使其封装的器件漏电小、烧结空洞率低、可靠性高。
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公开(公告)号：CN117777650A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311720393.9
申请日：2023-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 重庆吉芯科技有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及辐射防护材料技术领域，公开了一种辐射防护用聚醚醚酮复合材料、制备方法及应用，复合材料的原料按质量分数碳化硼为10％～30％，氧化钨为5％～20％，聚醚醚酮为50％～85％；制备时，取碳化硼、氧化钨和聚醚醚酮粉末，混合均匀，得到混合粉末；将混合粉末以压力一压制成胚体，所述压力一为5～20Mpa，得到预制胚体；将预制胚体在350～450℃下保温10～60min，以压力二压制成薄膜，所述压力二为0.5～2Mpa，获得辐射防护聚醚醚酮复合材料。本发明以碳化硼和氧化钨作为功能粒子，以聚醚醚酮为基体，采用球磨混合和热压的方法制备出具有辐射防护作用的聚醚醚酮耐高温薄膜，工艺流程简单，易于进行工业化生产。
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公开(公告)号：CN117747439A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311603344.7
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及集成电路封装技术领域，公开了一种双列直插型金属陶瓷小规模集成电路器件封装工艺，原材料包括器件管壳、带金锡焊料环的盖板、合金焊料片、芯片和键合丝，器件管壳为金属陶瓷材料，器件管壳的芯腔及两侧均设置有导电区，器件管壳的两侧设置有引出端，合金焊料片为金锡或铅锡银焊料片，芯片的背面为金或银；封装工艺包括以下步骤：采用深腔合金焊料片回流焊接工艺将芯片焊接至器件管壳的芯腔处的导电区；采用深腔键合工艺将键合丝的两端键合至芯片和器件管壳两端的导电区；采用金锡熔封工艺将盖板与器件管壳密封，完成器件封装。本发明使封装的金属陶瓷小规模集成电路器件焊接空洞率低、热阻低、气密性好、可靠性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117766409A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311603272.6
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件封装技术领域，公开了一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺，步骤包括：取器件管壳、金锡焊料片和待用芯片，制备烧结结构；将烧结结构置于真空回流炉的腔体内，腔体内温度由室温升到T0，升温过程中并抽真空；腔体内温度达到T0后，保持TO不变，进行腔体清洗，过程中间断充入保护性气体；将腔体内温度由T0升至T1，进行腔体预热；保持腔体内温度在T1，并抽真空；将腔体内温度从T1升到T2，并抽真空；保持腔体内温度在T2，并抽真空四，金锡焊料片充分融化，并于待用芯片的背面金属、器件管壳的导电区表面金属完成共晶反应。本发明不但能降低使用金锡焊料烧结元器件时的空洞率，还能提高产品质量和可靠性。
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公开(公告)号：CN117747438A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311603311.2
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件封焊技术领域，公开了一种降低金锡熔封元器件空洞率和提高气密性的封焊工艺，包括以下步骤：叠装封焊结构、清洗熔封腔、将封焊结构放入熔封腔并去除熔封腔水氧含量、对熔封腔加热并抽真空、向熔封腔加热填充还原性气体、封焊结构保温还原、向熔封腔充保护气体并充分加热、熔封腔保温抽真空、熔封腔快速升温、保温使得熔封环充分熔化反应、熔封腔内通入保护气体对熔封腔快速冷却。本发明在降低金锡熔封器件熔封空洞率，提高气密性的同时，可适用于多种封装形式，保证产品高质量并兼顾了生产效率。
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公开(公告)号：CN117650055A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311611163.9
申请日：2023-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种高可靠特种陶瓷表面贴器件的封装工艺，包括以下步骤：S1选材，选取贴器件、焊料片、芯片和键合丝，其中，所述贴器件包括管壳、设置在管壳内的导电区和设置在管壳底部的引出端；S2.采用深腔真空回流炉烧结工艺将芯片烧结至管壳管芯处的导电区；S3.采用深腔键合工艺将键合丝的两端键合至芯片和管壳端部的导电区上；S4.将管壳与盖板进行平行封焊密封，完成器件封装。其目的在于，通过采用深腔焊料片烧结工艺和深腔键合工艺，使特种陶瓷表面封装的器件体积小、重量轻、热阻小、效率高、可靠性高。
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公开(公告)号：CN115186468B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210770273.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种空间综合环境实时量化表征方法、装置及系统，涉及航天航空技术领域。本发明所述的空间综合环境实时量化表征方法，包括：设置仿真参数，其中，所述仿真参数包括仿真开始时刻、仿真结束时刻和仿真步长时间；从所述仿真开始时刻开始到所述仿真结束时刻为止，根据所述仿真步长时间依次累加仿真步长，逐一确定每个仿真时刻的飞行器的空间综合环境；根据所述空间综合环境选取对应的量化表征模型，以确定不同仿真时刻对应的空间综合环境实时量化表征数据。本发明所述的技术方案，可以解决空间综合环境实时量化表征问题，保障飞行安全。
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公开(公告)号：CN115186463B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210762700.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , G06F111/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种基于器件辐射缺陷演化全过程的跨尺度仿真方法和系统，所述方法包括：定义粒子参数和材料参数，并将其输入模拟系统；根据分子动力学基本原理，建立基于空间入射粒子的分子动力学模型，进行基于分子动力学的空间入射粒子的运动数值模拟，并获取不同时刻空间入射粒子的运动轨迹、速度、能量和在空间器件中的分布信息；采用统计物理学方法统计不同状态下空间入射粒子的运动规律，将空间入射粒子的微观状态和材料的宏观性质相关联，进行跨尺度计算仿真。本发明以单个入射粒子和材料参数为研究对象，对入射粒子在空间器件中产生的跨尺度缺陷演化效应进行模拟仿真，为半导体器件的材料选取提供重要依据和思路。
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