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公开(公告)号：CN100364103C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510051365.8
申请日：2005-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1462
Abstract: 本发明是一种具有孔洞的影像感测装置及其制造方法，本发明的影像感测装置包括：具有感测器的一半导体基底，其上形成有至少一第一绝缘层。多个孔洞形成于第一绝缘层中。一第二绝缘层，覆盖第一绝缘层与孔洞，其中第二绝缘层并未填满孔洞。上述孔洞在位于感测器上方的第一绝缘层中形成了中空区，导致更多的光和能量穿越第一绝缘层而到达感测器，因而提升感测器的感测度。
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公开(公告)号：CN1877796A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610071550.8
申请日：2006-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L21/265 , H01L21/8234 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14601 , H01L27/14643 , H01L29/66659 , H01L29/7834
Abstract: 本发明涉及深结结构的形成方法。公开了一种用于形成深结结构的自对准高能注入工艺。通过一掩模结构露出一半导体基底的一既定区，该掩模结构包括一栅极层、一位于栅极层上的硬掩模层、及局部覆盖半导体基底、栅极层及硬掩模层的一光阻层。硬掩模层的厚度大于350埃的范围。利用掩模结构进行离子注入，以在具有第一导电性的半导体基底的既定区中形成一具有第二导电性的掺杂区，该离子注入能量大于70keV。
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公开(公告)号：CN1667831A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510051365.8
申请日：2005-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1462
Abstract: 本发明是一种具有孔洞的影像感测装置及其制造方法，本发明的影像感测装置包括：具有感测器的一半导体基底，其上形成有至少一第一绝缘层。多个孔洞形成于第一绝缘层中。一第二绝缘层，覆盖第一绝缘层与孔洞，其中第二绝缘层并未填满孔洞。上述孔洞在位于感测器上方的第一绝缘层中形成了中空区，导致更多的光和能量穿越第一绝缘层而到达感测器，因而提升感测器的感测度。
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公开(公告)号：CN220693264U
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202321568375.9
申请日：2023-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N25/70 , H01L27/146 , H04N25/62
Abstract: 本实用新型提供一种光学结构。在一些实施例中，光学结构包括：衬底，具有前侧及与前侧相对的后侧；多个影像感测组件，布置于衬底内；以及深沟渠隔离(DTI)结构，设置于相邻的影像感测组件之间。DTI结构自衬底的后侧在衬底内延伸至第一深度且在侧向上环绕所述多个影像感测组件。光学结构还包括形成于衬底的后侧之上的光透射层。所述光透射层包括第一侧及与衬底的后侧相邻的第二侧。光学结构还包括位于光透射层中的隐埋栅格结构，所述隐埋栅格结构自光透射层的第一侧在光透射层内延伸至第二深度。
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公开(公告)号：CN2775844Y
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200520005546.2
申请日：2005-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1462
Abstract: 本实用新型是一种具有孔洞的影像感测装置，所述影像感测装置包括：具有感测器的一半导体基底，其上形成有至少一第一绝缘层。多个孔洞形成于第一绝缘层中。一第二绝缘层，覆盖第一绝缘层与孔洞，其中第二绝缘层并未填满孔洞。上述孔洞在位于感测器上方的第一绝缘层中形成了中空区，导致更多的光和能量穿越第一绝缘层而到达感测器，因而提升感测器的感测度。
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公开(公告)号：CN220692027U
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202321684952.0
申请日：2023-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/69 , H04N25/63
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体装置。所述装置包括后侧深沟渠隔离结构，所述后侧深沟渠隔离结构包括延伸穿过多个层的隔离区以及对所述隔离区进行填充的金属结构。所述装置包括偏置接垫结构。所述装置包括对所述金属结构与所述偏置接垫结构进行电性连接的栅格结构。后侧深沟渠隔离结构阵列、栅格结构及偏置接垫结构可降低后侧照明式影像感测器的光电二极管之间的电性串扰及/或斜光串扰的可能性。以此种方式，可改善后侧照明式影像感测器的效能。此种改善可包括抑制后侧照明式影像感测器内的暗电流、减少白色像素的数目以及减少后侧照明式影像感测器内的串扰。
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公开(公告)号：CN220510035U
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202321869505.2
申请日：2023-07-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型提供一种图像传感器器件。图像传感器器件包括排列于器件衬底内的多个图像感测元件。图像传感器器件还包括隔离栅格结构，隔离栅格结构延伸到器件衬底中并且由围绕所述多个图像感测元件的外周边的多个隔离栅格段组成。隔离栅格结构包括钝化衬垫和与钝化衬垫接触的导电层。导电层可以是氧化铟锡层。本实用新型可在不牺牲QE的情况下进一步减少串扰，同时还改善暗性能。
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公开(公告)号：CN221201182U
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202322728418.1
申请日：2023-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L23/48
Abstract: 本实用新型提供了具有无掺杂连接的结构及制造方法。示例性的结构包括：基底；形成在基底中且具有第一导电类型的第一区；位于基底之上的上覆层；形成在上覆层中且具有第二导电类型的井区；横向相邻于井区且延伸穿过上覆层而与第一区电接触的导电插塞；以及位于导电插塞与井区之间的钝化层。
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公开(公告)号：CN220021113U
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202321148704.4
申请日：2023-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种三芯片互补金属氧化物半导体影像传感器及用于形成影像传感器的方法。影像传感器包括第一芯片，第一芯片包括多个影像感测组件；转移晶体管及扩散阱对应于多个影像感测组件；接地节点由多个影像感测组件共享；以及深沟渠隔离结构自被共享的接地节点延伸且位于多个影像感测组件中相邻的影像感测组件之间。影像传感器更包括结合至第一芯片且包括源极随耦器、重设晶体管、列选择晶体管及像素内电路的第二芯片，源极随耦器电性耦合至扩散阱。影像传感器更包括结合至第二芯片且包括专用电路的第三芯片，专用电路电性耦合至像素内电路。
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