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公开(公告)号：CN1897251A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610003394.1
申请日：2006-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632
Abstract: 本发明是有关于一种半导体装置至少包括具有光感测元件形成在其上的半导体基材；设置在在基材上的第一材料层，其中此第一材料层包括一部分，此部分具有形成在基材上做为负型微透镜的大体为凹型的表面；以及设置在第一材料层上的第二材料层，其中此第二材料层包括大体为凸型的部分，此大体为凸型的部分是与前述的大体为凹型的表面相互垂直地对齐并紧密配合，此大体为凸型的部分被建构与配置来定义一微透镜，此微透镜被定位来使穿透微透镜的平行光会合并照射在光感测元件上。
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公开(公告)号：CN100379010C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510002838.5
申请日：2005-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14643
Abstract: 一种具有垂直结合薄膜光二极管的影像传感器。包括一包埋于一介电层中的薄膜光二极管的下掺杂层，其中该下掺杂层的下表面是完全接触于与其相对应的像素电极。PIN光二极管的下掺杂层是由一自我对准与一镶嵌制程制作，遂薄膜光二极管下方的像素电极不会露出I型非晶硅层。此外，透明电极是连接PIN光二极管与一通过一底垫的外部底电压，而该底垫为一上金属层的一部分。
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公开(公告)号：CN1738064A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510095806.4
申请日：2005-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1463 , H01L27/14672
Abstract: 本发明是提供一种光感测器及其制造方法，所述光感测器具有与沟渠式绝缘结构整合的夹止式感光二极管结构，该光感测器包括一第一导电型的基板、至少一位于该基板内的沟渠、至少一该第一导电型的掺杂区以及至少一第二导电型的掺杂区，每一第一导电型的掺杂区位于一对应的沟渠下，每一第二导电型的掺杂区位于对应的第一导电型掺杂区与基板之间，第一导电型或第二导电型的掺杂区皆未延伸到沟渠的角落。本发明提供的夹止式感光二极管结构是与一沟渠绝缘结构整合，该夹止式感光二极管结构的位置可避开高缺陷密度的沟渠角落，而改善暗电流特性，因此，短波长的响应可通过使用此夹止式感光二极管结构而加以改善。
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公开(公告)号：CN100428499C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510095806.4
申请日：2005-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1463 , H01L27/14672
Abstract: 本发明是提供一种光感测器及其制造方法，所述光感测器具有与沟渠式绝缘结构整合的夹止式感光二极管结构，该光感测器包括一第一导电型的基板、至少一位于该基板内的沟渠、至少一该第一导电型的掺杂区以及至少一第二导电型的掺杂区，每一第一导电型的掺杂区位于一对应的沟渠下，每一第二导电型的掺杂区位于对应的第一导电型掺杂区与基板之间，第一导电型或第二导电型的掺杂区皆未延伸到沟渠的角落。本发明提供的夹止式感光二极管结构是与一沟渠绝缘结构整合，该夹止式感光二极管结构的位置可避开高缺陷密度的沟渠角落，而改善暗电流特性，因此，短波长的响应可通过使用此夹止式感光二极管结构而加以改善。
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公开(公告)号：CN1812111A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510109274.5
申请日：2005-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L21/82 , H01L21/336 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/3559 , H04N5/374 , H04N5/37452
Abstract: 本发明是关于一种影像感测像素单元、影像感测装置及其制造方法，该影像感测装置包括：一光学感测元件；一晶体管，电性耦接于该光学感测元件，该晶体管具有位于一栅介电层上的一栅电极以及位于该栅电极两侧的多个间隔物，该些间隔物包括位于一缓冲氧化物上的一氮化物；以及一电容，电性耦接于该晶体管与该光学感测元件。本发明所述影像感测像素单元、影像感测装置及其制造方法可有效较低噪声比与较少不明信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1607674A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410078352.5
申请日：2004-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N5/335
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L31/02161
Abstract: 本发明提供一种高量子效率的影像传感器的制造方法，其是于利用无边界接触窗制程与互补式金氧半晶体管制程结合的制程进行影像传感器的制造时，于进行自动对准金属硅化物制程之后，且于形成氮化硅或氮氧化硅停止层之前，进行一道微影蚀刻制程，此微影蚀刻制程是用于移除感光区的浅沟槽隔离结构，使感光二极管上方的迭层结构的折射系数由上而下依序递增。此外，本发明并提供一种高量子效率的影像传感器的结构。
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公开(公告)号：CN100369260C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410078352.5
申请日：2004-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N5/335
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L31/02161
Abstract: 本发明提供一种高量子效率的影像传感器的制造方法，其是于利用无边界接触窗工艺与互补式金属氧化物半导体晶体管工艺结合的工艺进行影像传感器的制造时，于进行自动对准金属硅化物工艺之后，且于形成氮化硅或氮氧化硅停止层之前，进行一道微影蚀刻工艺，此微影蚀刻工艺是用于移除感光区的浅沟槽隔离结构，使感光二极管上方的迭层结构的折射系数由上而下依序递增。此外，本发明并提供一种高量子效率的影像传感器的结构。
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公开(公告)号：CN100364104C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510073300.3
申请日：2005-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636
Abstract: 本发明提供一影像感测器装置及微电子元件装置。该影像感测器包括一主动式光感测像素阵列于一基底上，各像素的至少一边宽度小于或等于3微米。至少一介电层设置于基底上，覆盖该光感测像素阵列。一彩色滤光层设置于该至少一介电层上。其中，所有该至少一介电层与该彩色滤光层的厚度总和除以该像素的任意一边宽度小于或等于1.87。本发明所述互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器，可避免感测影像的失真、提升感测像素的分辨率，以及致使增加感测像素对应色彩的饱和度。
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公开(公告)号：CN1750266A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510073300.3
申请日：2005-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636
Abstract: 本发明提供一互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器。该影像感测器包括一主动式光感测像素阵列于一基底上，各像素的至少一边宽度小于或等于3微米。至少一介电层设置于基底上，覆盖该光感测像素阵列。一彩色滤光层设置于该至少一介电层上。其中，所有该至少一介电层与该彩色滤光层的厚度总和除以该像素的任意一边宽度小于或等于1.87。本发明所述互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器，可避免感测影像的失真、提升感测像素的分辨率，以及致使增加感测像素对应色彩的饱和度。
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公开(公告)号：CN1658395A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510002838.5
申请日：2005-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14643
Abstract: 一种具有垂直结合薄膜光二极管的影像传感器。包括一包埋于一介电层中的薄膜光二极管的下掺杂层，其中该下掺杂层的下表面是完全接触于与其相对应的像素电极。PIN光二极管的下掺杂层是由一自我对准与一镶嵌制程制作，遂薄膜光二极管下方的像素电极不会露出I型非晶硅层。此外，透明电极是连接PIN光二极管与一通过一底垫的外部底电压，而该底垫为一上金属层的一部分。
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