公开(公告)号：CN112585305B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201980052719.0

申请日：2019-08-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  永田和寿

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

Abstract: 将偏角0.5～5度的C面蓝宝石薄膜(1t)转印至由800K下的热膨胀率比硅大、比C面蓝宝石小的陶瓷材料构成的操作基板上，从而制作GaN外延生长用基板(11)；进行GaN外延生长用基板(11)的高温氮化处理而将C面蓝宝石薄膜(1t)表面用由AlN构成的表面处理层(11a)被覆；使GaN在该表面处理层(11a)上外延生长，制作表面由N极性面构成的GaN膜负载体；对GaN膜(13)进行离子注入；将经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支撑基板(12)贴合以接合；在GaN膜(13)中的离子注入区域(13ion)进行剥离而将GaN薄膜(13a)转印至支撑基板(12)上，得到在支撑基板(12)上具有表面由Ga极性面构成的结晶性和平坦性良好的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)。

公开(公告)号：CN115461502A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180034073.0

申请日：2021-05-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  永田和寿

IPC: C30B25/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/42 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/31 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的III‑V族化合物晶体用基底基板(1)具备：陶瓷芯层(2)、封入陶瓷芯层(2)的杂质封入层(3)、杂质封入层上的接合层(4)和接合层上的加工层(5)，杂质封入层(3)是以SiOxNy(这里，x=0～2、y=0～1.5、x+y>0)的组成式表示的组合物的层，接合层(4)是以SiOx’Ny’(这里，x’=1～2、y’=0～2)的组成式表示的组合物的层，加工层(5)是籽晶层。根据本发明，可提供用于得到大口径和高品质的III‑V族化合物晶体的III‑V族化合物晶体用基底基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN114144864A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080053287.8

申请日：2020-06-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明的III族化合物基板的制造方法包括以下工序：基底基板形成工序，通过气相合成法形成III族氮化物的基底基板；种基板形成工序，在基底基板上形成种基板；以及III族化合物晶体形成工序，通过氢化物气相生长法在种基板上形成III族化合物晶体。本发明的III族化合物基板的特征在于：其是通过本发明的III族化合物基板的制造方法制造的。根据本发明，在发挥氢化物气相生长法的特长、即高成膜速度的特长的同时，以低成本得到更大型且高品质的III族化合物基板。

公开(公告)号：CN111403265A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010233868.1

申请日：2015-12-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  小西繁 ,  茂木弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  C01B32/188

Abstract: 本发明涉及复合基板、纳米碳膜的制作方法和纳米碳膜。本发明提供一种纳米碳膜形成用复合基板的制造方法，其中，从单晶碳化硅基板的表面注入离子以形成离子注入区域，在该单晶碳化硅基板的离子注入面、以及操作基板的与单晶碳化硅基板贴合的表面分别形成薄膜，使得这些薄膜的合计膜厚为2nm以上且1μm以下，接着，将所述单晶碳化硅基板的离子注入面上的薄膜与操作基板上的薄膜贴合后，在所述离子注入区域剥离单晶碳化硅基板，使单晶碳化硅薄膜转印到操作基板上，进而对该单晶碳化硅薄膜进行研磨，从而获得的纳米碳膜形成用复合基板。

公开(公告)号：CN105190835B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201480024384.9

申请日：2014-04-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。

公开(公告)号：CN104272432B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201380024083.1

申请日：2013-05-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/3735 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及放热基板，其特征在于，是由2层组成的复合基板，表层(第一层)1由单晶硅构成，处理基板(第二层)2由热导率比第一层高的材料构成，本发明涉及的放热基板给予高的放热性。

公开(公告)号：CN104488080B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201380039179.5

申请日：2013-07-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及能够投入半导体生产线的混合基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子而形成离子注入区域3，使上述硅基板的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅薄膜(半导体层)6的混合基板8的混合基板的制造方法，其特征在于，预先在还原性气氛中将上述蓝宝石基板4进行热处理后，与硅基板1贴合。

公开(公告)号：CN104736477A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380053732.0

申请日：2013-08-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/184 ,  C01B32/188 ,  C30B29/02 ,  C30B29/36 ,  C30B31/22 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/324

Abstract: 涉及可便宜地制造无缺陷的纳米碳膜的、使用混合基板的纳米碳膜的制造方法，其特征在于，自单晶的碳化硅基板的表面注入离子而形成离子注入区域，将上述碳化硅基板的经离子注入的表面与基底基板的表面贴合，随后在上述离子注入区域使碳化硅基板剥离而制造在基底基板上转印有包含单晶的碳化硅的薄膜的混合基板，接着加热该混合基板使硅原子从上述包含单晶的碳化硅的薄膜升华，得到纳米碳膜。

公开(公告)号：CN102822744B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201180017361.1

申请日：2011-03-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明提供了一种适宜于使用EUV曝光技术，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的光刻用光掩模，以提供能确实地防止光掩模的平坦度发生恶化的光掩模单元为目的。本发明的光掩模单元1为：防尘薄膜6、在其一个表面粘贴有防尘薄膜6的侧部近旁区域的防尘薄膜组件框架7、光掩模2、其一个表面固定有光掩模2及防尘薄膜组件框架7的台子3，防尘薄膜组件框架7在比固定有光掩模2的台子3的范围还要靠外的侧被固定于台子3上。

公开(公告)号：CN104272432A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380024083.1

申请日：2013-05-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/3735 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及放热基板，其特征在于，是由2层组成的复合基板，表层(第一层)1由单晶硅构成，处理基板(第二层)2由热导率比第一层高的材料构成，本发明涉及的放热基板给予高的放热性。