公开(公告)号：CN114318493A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111169628.0

申请日：2021-10-08

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 干川圭吾 ,  小林拓实 ,  大塚美雄 ,  太子敏则

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/16

Abstract: 提供一种氧化镓晶体的制造装置，其是使用了电阻加热发热体的晶体制造装置，具备低成本且能够抑制热所致的变形及破损的发热体。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)具备由耐热材料(14a)构成的炉主体(14)、配置于上述炉主体(14)内的坩埚(22)、和配设在上述坩埚(22)的周围的发热体(34)，上述发热体(34)是发热部(34a)和直径大于该发热部(34a)的导电部(34b)连结而成的电阻加热发热体，上述发热部(34a)由具有1850[℃]的耐热性的材质构成，上述导电部(34b)由具有1800[℃]的耐热性的材质构成。

公开(公告)号：CN113930841A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111202574.3

申请日：2017-04-19

Applicant: 国立大学法人信州大学 ,  不二越机械工业株式会社

Inventor： 干川圭吾 ,  小林拓实 ,  大叶悦子 ,  柳泽润

IPC: C30B29/16 ,  C30B11/00 ,  C22C5/04

Abstract: 本发明的课题在于提供能够实现氧化镓晶体的大型化、高品质化的氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)由具备基体(12)、炉主体(14)、盖体(18)、发热体(20)、坩埚支承轴(24)和坩埚(30)的垂直布里奇曼炉构成，本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)的特征在于，坩埚(30)为Pt系合金制的坩埚，炉主体(14)的内壁形成为由两个以上具有所需高度的环状的耐热部件(32b)层叠而成的耐热壁(32)，并且，环状的耐热部件(32b)通过将两个以上的分割片(32a)接合而形成为环状。

公开(公告)号：CN113664714A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202111026678.3

申请日：2021-09-02

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 桥诘健二 ,  宫岛佐辅

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供一种工件研磨装置和工件研磨装置中的加压盘用树脂垫体，其中，树脂垫对顶环(加压盘)的接合良好、能够获得适当的对载盘的压力分布。本发明的工件研磨装置具备：定盘；和顶环，其配置于定盘的上方，在与定盘之间夹着在下表面保持有工件的载盘，并将工件向定盘面按压。顶环具备：加压盘，其按压载盘的上表面；按压机构，其利用空气压按压加压盘；顶环主体，其具备围绕加压盘并按压载盘的周边部的环状部。加压盘形成为除了载盘的周边部以外对载盘的上表面整面进行按压的尺寸；按压机构具有对加压盘的上表面中央部进行局部按压的活塞；在加压盘的下表面整面粘贴有厚度为1～4mm、压缩率为1～8％、具有弹性的树脂垫。

公开(公告)号：CN113661030A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202080026268.6

申请日：2020-02-27

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  不二越机械工业株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  丸田将史

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/08 ,  B24B37/12 ,  B24B37/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的双面研磨装置，具备：下平台，其设置为能够以旋转轴为中心进行旋转，且上表面贴附有研磨垫；上平台，其设置为能够在所述下平台的上方进行上下移动，并能够以所述旋转轴为中心进行旋转，且下表面贴附有研磨垫；以及，悬挂顶板，其设置在所述上平台的上方，其的特征在于，具备：连结部，其连结所述悬挂顶板和所述上平台；以及，致动器，其被设置在所述悬挂顶板与所述上平台之间且与所述连结部的位置不同，并能够使上平台形状改变。由此，提供一种平台的移动机构，其在悬挂形态的双面研磨装置中不促进平台的热变形，且能够使平台形状改变为各种形状。

公开(公告)号：CN113471109A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110763537.3

申请日：2021-07-06

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 小布施敦史 ,  杉浦敬二

IPC: H01L21/67 ,  B08B1/00 ,  B08B1/02 ,  B08B3/02

Abstract: 提供工件清洗装置，能够缩短进行例示为晶片的平板状工件的清洗以及除水的工序中的处理时间，实现制造效率的提高。本发明的工件清洗装置(100)具备：载置部(60)，收纳有工件(W)的多个料盒(62)呈圆弧状载置于载置部；第一手部(64)，其配设于多个料盒(62)的中心位置，从多个料盒(62)依次取出工件(W)并交替载置于第一臂(10A)上、第二臂(10B)上；以及清洗机构(20)，清洗机构(20)具有洒水部(21)和接触清洗部(22)，接触清洗部(22)构成为，在被旋转驱动或振幅驱动的状态下，在相对于工件(W)的搬运方向以90度或规定角度相交的方向上往复移动，并行地进行工件(W)的搬运及清洗。

公开(公告)号：CN108340281B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201810058829.5

申请日：2018-01-22

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  学校法人金泽工业大学

Inventor： 澁谷和孝 ,  中村由夫 ,  畝田道雄 ,  石川宪一

IPC: B24B53/017 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供工件研磨方法和工件研磨装置，其能够自动制定研磨条件。工件研磨装置具有：修整部，其修整研磨垫的表面；表面性状计测部，其计测研磨垫的表面性状；研磨结果计测部，其计测工件的研磨结果；存储部，其存储通过人工智能来学习如下的相关关系所得到的相关数据，该相关关系为修整条件数据、通过表面性状计测部计测出的研磨垫的表面性状数据、以及对工件进行研磨的情况下的研磨结果数据的相关关系；以及输入部，其输入作为目标的研磨结果，所述人工智能进行如下处理：第1运算处理，根据所述相关数据逆向推断出与作为目标的研磨结果对应的研磨垫的表面性状；和第2运算处理，根据逆向推断出的研磨垫的表面性状导出对应的修整条件。

公开(公告)号：CN106335004B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201610531125.6

申请日：2016-07-07

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 原光广 ,  依田辽介

IPC: B24B53/12 ,  B24B53/017

Abstract: 本发明涉及供双面研磨装置的研磨垫用的修整装置和修整方法，以便提供能够均匀修整研磨垫的修整装置的修整方法。修整装置包括第一修整磨石(51)和第二修整磨石(52)，它们通过在抵靠在对应的研磨垫(17)和(18)上的同时沿上研磨板(12)和下研磨板(14)的径向移动来磨削研磨垫(17)和(18)，其中，第一修整磨石(51)和第二修整磨石(52)被设置为具有：内侧区域部(P)；外侧区域部(Q)；以及中间区域部(R)，其中，内侧区域部(P)和外侧区域部(Q)中的每一个沿研磨板(12)和(14)的周向延伸的长度比中间区域部(R)沿研磨板的周向延伸的长度长。

公开(公告)号：CN108573896A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810067533.X

申请日：2018-01-24

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 户谷哲朗

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/67253

Abstract: 提供能够实现成本降低的对晶片涂布粘接剂的方法。本发明包含如下的工序：从喷嘴(16)向晶片(14)表面上滴落粘接剂(18)的工序；第一摄影工序，使用照相机(22)来拍摄延展后的粘接剂(18)的平面形状，取得图像数据；第一图像处理工序，根据图像数据来判定延展形状是否在设定形状的范围内；旋涂工序，旋涂粘接剂(18)；第二摄影工序，使用照相机(22)来拍摄被旋涂的粘接剂(18)的平面形状；第二图像处理工序，根据图像数据来判定是否存在晶片(14)表面上的粘接剂的漏涂部分；以及烘烤处理工序，对在第一图像处理工序中判定为粘接剂(18)的延展形状在设定形状的范围内并且在第二图像处理工序中判定为不存在晶片(14)上的粘接剂的漏涂部分的晶片(14)进行烘烤。

公开(公告)号：CN108531990A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810132067.9

申请日：2018-02-09

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  国立大学法人信州大学

Inventor： 干川圭吾 ,  藤原靖幸 ,  小浜惠一 ,  中西真二 ,  小林拓实 ,  大叶悦子

IPC: C30B29/16 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明提供实现发热体的长寿命化、实现成本的降低化的单晶制造装置。本发明的单晶制造装置(10)是在氧化气氛中制造金属氧化物的单晶的单晶制造装置(10)，其具备：基体(12)；配设在该基体(12)上的具有耐热性的筒状的炉主体(14)；将该炉主体(14)封闭的盖体(16)；配设于炉主体(14)内的发热体(20)；利用高频感应加热对该发热体(20)进行加热的高频线圈(22)；以及由发热体(20)进行加热的坩埚(28)，单晶制造装置(10)的特征在于，发热体(20)由Pt系合金构成，在整个面上施有氧化锆涂层。

公开(公告)号：CN107858753A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710831003.3

申请日：2017-09-15

Applicant: 国立大学法人信州大学 ,  不二越机械工业株式会社

Inventor： 干川圭吾 ,  小林拓实 ,  大叶悦子

IPC: C30B29/30 ,  C30B11/02

CPC classification number: C30B29/30 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/02

Abstract: 本发明提供钽酸锂晶体的制造装置和钽酸锂晶体的制造方法，该制造装置能够使用铂制坩埚制造高品质的钽酸锂晶体。本发明的钽酸锂晶体的制造装置(10)由垂直布里奇曼炉或垂直梯度凝固炉构成，该垂直布里奇曼炉或垂直梯度凝固炉具备：基体(12)；配设于基体(12)上的具有耐热性的筒状的炉主体(14)；将炉主体(14)封闭的盖体(18)；配设于炉主体(14)内的发热体(20)；贯通基体(12)并以上下自由移动的方式设置的坩埚支承轴(24)；和配设于坩埚支承轴(24)上并由发热体(20)进行加热的坩埚(30)，所述钽酸锂晶体的制造装置(10)的特征在于，坩埚(30)为铂制的坩埚(30)。