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1.

发明公开
单晶制造装置无效

公开(公告)号：CN108531990A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810132067.9

申请日：2018-02-09

Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 国立大学法人信州大学

Inventor： 干川圭吾 , 藤原靖幸 , 小浜惠一 , 中西真二 , 小林拓实 , 大叶悦子

IPC: C30B29/16 , C30B11/00

Abstract: 本发明提供实现发热体的长寿命化、实现成本的降低化的单晶制造装置。本发明的单晶制造装置(10)是在氧化气氛中制造金属氧化物的单晶的单晶制造装置(10)，其具备：基体(12)；配设在该基体(12)上的具有耐热性的筒状的炉主体(14)；将该炉主体(14)封闭的盖体(16)；配设于炉主体(14)内的发热体(20)；利用高频感应加热对该发热体(20)进行加热的高频线圈(22)；以及由发热体(20)进行加热的坩埚(28)，单晶制造装置(10)的特征在于，发热体(20)由Pt系合金构成，在整个面上施有氧化锆涂层。

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