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公开(公告)号：CN102540041B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201110403014.4
申请日：2011-12-07
CPC classification number: G11B5/3166 , G11B5/314 , G11B5/3173 , G11B5/3189 , G11B2005/0021 , H01L2924/0002 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及热辅助头的老化测试方法。测试条带状态的多个激光二极管单元，每个激光二极管单元中的激光二极管包括形成在彼此面对表面上的第一电极和第二电极，且安装在子底座的安装表面上，使第一电极面对安装表面。方法包括：准备条带，条带中安装区域和切分边沿沿纵向交替排列，每个安装区域包括其上形成的激光二极管单元，切分边沿用于将条带分成分立的激光二极管单元，在每个安装区域的安装表面上设置与第一电极电连接的第一焊盘，在每个切分边沿的安装表面上设置同与之相邻的安装区域中的第一焊盘电连接的第二焊盘；使片状探针相对于第二电极和第二焊盘成倾斜角而与之相接触，并按压探针使探针变形；以及通过探针在第二电极和第二焊盘之间提供电势差，使激光二极管发射激光。
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公开(公告)号：CN106033674A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510122148.7
申请日：2015-03-19
CPC classification number: G11B5/4866 , G01J1/4257 , G01J1/44 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
Abstract: 一种光源单元、使用该光源单元的热辅助磁记录头、以及用于光源单元的光源。一种光源单元，包括基板、安装在基板上的光源。所述光源包括：发射前向光的第一发射部，所述前向光在振荡状态下为激光；位于与所述第一发射部相反的一侧且发射后向光的第二发射部，所述后向光在振荡状态下为激光；以及与所述第一发射部和所述第二发射部位于不同位置的漏光部。光源还包括设置于所述基板上的光检测器，其中所述光检测器具有用于检测从所述漏光部泄漏的漏出光的光接收表面。
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公开(公告)号：CN102565570B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110392791.3
申请日：2011-12-01
CPC classification number: G11B5/455 , G01R31/2635 , G01R31/2642 , G11B5/105 , G11B5/3166 , G11B5/3173 , G11B2005/0021 , H01S5/0021 , H01S5/0042
Abstract: 提供了一种用于对受验对象执行老化测试的方法，其中多个电极被设置在不同高度的位置。该方法包括如下步骤：制备受验对象，其中在所述多个电极中处于较高位置的电极具有较高的表面粗糙度；使多个片式探针分别与所述多个电极接触；以及，通过所述多个片式探针向所述多个电极供应电流。通过实施该方法，所述片式探针可以与所述电极保持稳定接触，因为处于较高位置的电极比处于较低位置的电极具有更高的表面粗糙度Ra。因此，可执行稳定和可靠的老化测试。
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公开(公告)号：CN102565570A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110392791.3
申请日：2011-12-01
CPC classification number: G11B5/455 , G01R31/2635 , G01R31/2642 , G11B5/105 , G11B5/3166 , G11B5/3173 , G11B2005/0021 , H01S5/0021 , H01S5/0042
Abstract: 提供了一种用于对受验对象执行老化测试的方法，其中多个电极被设置在不同高度的位置。该方法包括如下步骤：制备受验对象，其中在所述多个电极中处于较高位置的电极具有较高的表面粗糙度；使多个片式探针分别与所述多个电极接触；以及，通过所述多个片式探针向所述多个电极供应电流。通过实施该方法，所述片式探针可以与所述电极保持稳定接触，因为处于较高位置的电极比处于较低位置的电极具有更高的表面粗糙度Ra。因此，可执行稳定和可靠的老化测试。
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公开(公告)号：CN102540041A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110403014.4
申请日：2011-12-07
CPC classification number: G11B5/3166 , G11B5/314 , G11B5/3173 , G11B5/3189 , G11B2005/0021 , H01L2924/0002 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及热辅助头的老化测试方法。测试条带状态的多个激光二极管单元，每个激光二极管单元中的激光二极管包括形成在彼此面对表面上的第一电极和第二电极，且安装在子底座的安装表面上，使第一电极面对安装表面。方法包括：准备条带，条带中安装区域和切分边沿沿纵向交替排列，每个安装区域包括其上形成的激光二极管单元，切分边沿用于将条带分成分立的激光二极管单元，在每个安装区域的安装表面上设置与第一电极电连接的第一焊盘，在每个切分边沿的安装表面上设置同与之相邻的安装区域中的第一焊盘电连接的第二焊盘；使片状探针相对于第二电极和第二焊盘成倾斜角而与之相接触，并按压探针使探针变形；以及通过探针在第二电极和第二焊盘之间提供电势差，使激光二极管发射激光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101889374B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200880119749.0
申请日：2008-10-17
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01S5/223 , H01S5/221 , H01S5/2219 , H01S5/2227 , H01S5/2231 , H01S5/34326
Abstract: 本发明的提供一种半导体激光器，其工作电流低且即便在高温输出时也稳定地振荡。该半导体激光器具有：基板(10)；n型包覆层(12)，其设于基板(10)上；有源层(13)，其设于n型包覆层(12)上；p型包覆层(14)，其为设于有源层(13)上的含有Al的化合物，且具有成为电流通路的条状脊结构；电流阻挡层(16)，其为在除脊结构的上表面之外的p型包覆层(14)表面设置的含有Al的化合物，且Al的组成比在p型包覆层(14)的Al的组成比以下；光吸收层(17)，其设于电流阻挡层(16)上，吸收激光器振荡波长的光。
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公开(公告)号：CN101292402B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680038915.5
申请日：2006-10-16
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 野间亚树
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种半导体激光发光装置(1)，该半导体激光发光装置(1)具有：在基板(2)的上表面，叠层有第一下层包层(11)、第一活性层(12)以及第一上层包层(13)的红外激光发光元件(3)，和叠层有第二下层包层(21)、第二活性层(22)以及第二上层包层(23)的红色激光发光元件(4)。第一下层包层(11)由在基板(2)的整个上表面形成的第三下层包层(17)、在第三下层包层(17)的整个上表面形成的蚀刻阻挡层(18)、和在位于蚀刻阻挡层(18)的上表面且形成红外激光发光元件(3)的区域形成的第四下层包层(19)构成。第二下层包层(21)，形成于位于蚀刻阻挡层(18)的上表面且形成红外激光发光元件(3)的区域以外的区域。
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公开(公告)号：CN102545057B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110424175.1
申请日：2011-12-09
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3404 , H01S5/3436 , H01S2301/145 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种适于高输出化的半导体激光元件。半导体激光二极管(70)包括：基板(1)；及半导体叠层结构体(2)，其通过结晶成长而形成在基板(1)上。半导体叠层结构体(2)包括：n型(Alx1Ga(1?x1))0.51In0.49P包覆层14及p型(AIx1Ga(1?x1))0.51In0.49P包覆层(17)；n侧Alx2Ga(1?x2)As导引层(15)及(p)侧Alx2Ga(1?x2)As导引层(16)，其等夹在这些包覆层(14)、(17)之间；以及活性层(10)，其夹在这些导引层(15)、(16)之间。活性层(10)由包含AlyGa(1?y)As(1?x3)Px3层的量子井层(221)与包含Alx4Ga(1?x4)As层的阻障层(222)交替重复叠层复数个周期而构成。
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公开(公告)号：CN101292402A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200680038915.5
申请日：2006-10-16
Applicant: 罗姆股份有限公司
Inventor： 野间亚树
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种半导体激光发光装置(1)，该半导体激光发光装置(1)具有：在基板(2)的上表面，叠层有第一下层包层(11)、第一活性层(12)以及第一上层包层(13)的红外激光发光元件(3)，和叠层有第二下层包层(21)、第二活性层(22)以及第二上层包层(23)的红色激光发光元件(4)。第一下层包层(11)由在基板(2)的整个上表面形成的第三下层包层(17)、在第三下层包层(17)的整个上表面形成的蚀刻阻挡层(18)、和在位于蚀刻阻挡层(18)的上表面且形成红外激光发光元件(3)的区域形成的第四下层包层(19)构成。第二下层包层(21)，形成于位于蚀刻阻挡层(18)的上表面且形成红外激光发光元件(3)的区域以外的区域。
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公开(公告)号：CN102545057A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110424175.1
申请日：2011-12-09
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3404 , H01S5/3436 , H01S2301/145 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种适于高输出化的半导体激光元件。半导体激光二极管(70)包括：基板(1)；及半导体叠层结构体(2)，其通过结晶成长而形成在基板(1)上。半导体叠层结构体(2)包括：n型(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层14及p型(AIx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层(17)；n侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(15)及(p)侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(16)，其等夹在这些包覆层(14)、(17)之间；以及活性层(10)，其夹在这些导引层(15)、(16)之间。活性层(10)由包含AlyGa(1-y)As(1-x3)Px3层的量子井层(221)与包含Alx4Ga(1-x4)As层的阻障层(222)交替重复叠层复数个周期而构成。
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