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公开(公告)号：CN102565570B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110392791.3
申请日：2011-12-01
CPC classification number: G11B5/455 , G01R31/2635 , G01R31/2642 , G11B5/105 , G11B5/3166 , G11B5/3173 , G11B2005/0021 , H01S5/0021 , H01S5/0042
Abstract: 提供了一种用于对受验对象执行老化测试的方法，其中多个电极被设置在不同高度的位置。该方法包括如下步骤：制备受验对象，其中在所述多个电极中处于较高位置的电极具有较高的表面粗糙度；使多个片式探针分别与所述多个电极接触；以及，通过所述多个片式探针向所述多个电极供应电流。通过实施该方法，所述片式探针可以与所述电极保持稳定接触，因为处于较高位置的电极比处于较低位置的电极具有更高的表面粗糙度Ra。因此，可执行稳定和可靠的老化测试。
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公开(公告)号：CN102565570A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110392791.3
申请日：2011-12-01
CPC classification number: G11B5/455 , G01R31/2635 , G01R31/2642 , G11B5/105 , G11B5/3166 , G11B5/3173 , G11B2005/0021 , H01S5/0021 , H01S5/0042
Abstract: 提供了一种用于对受验对象执行老化测试的方法，其中多个电极被设置在不同高度的位置。该方法包括如下步骤：制备受验对象，其中在所述多个电极中处于较高位置的电极具有较高的表面粗糙度；使多个片式探针分别与所述多个电极接触；以及，通过所述多个片式探针向所述多个电极供应电流。通过实施该方法，所述片式探针可以与所述电极保持稳定接触，因为处于较高位置的电极比处于较低位置的电极具有更高的表面粗糙度Ra。因此，可执行稳定和可靠的老化测试。
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公开(公告)号：CN102545057B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110424175.1
申请日：2011-12-09
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3404 , H01S5/3436 , H01S2301/145 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种适于高输出化的半导体激光元件。半导体激光二极管(70)包括：基板(1)；及半导体叠层结构体(2)，其通过结晶成长而形成在基板(1)上。半导体叠层结构体(2)包括：n型(Alx1Ga(1?x1))0.51In0.49P包覆层14及p型(AIx1Ga(1?x1))0.51In0.49P包覆层(17)；n侧Alx2Ga(1?x2)As导引层(15)及(p)侧Alx2Ga(1?x2)As导引层(16)，其等夹在这些包覆层(14)、(17)之间；以及活性层(10)，其夹在这些导引层(15)、(16)之间。活性层(10)由包含AlyGa(1?y)As(1?x3)Px3层的量子井层(221)与包含Alx4Ga(1?x4)As层的阻障层(222)交替重复叠层复数个周期而构成。
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公开(公告)号：CN102545057A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110424175.1
申请日：2011-12-09
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3404 , H01S5/3436 , H01S2301/145 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种适于高输出化的半导体激光元件。半导体激光二极管(70)包括：基板(1)；及半导体叠层结构体(2)，其通过结晶成长而形成在基板(1)上。半导体叠层结构体(2)包括：n型(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层14及p型(AIx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层(17)；n侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(15)及(p)侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(16)，其等夹在这些包覆层(14)、(17)之间；以及活性层(10)，其夹在这些导引层(15)、(16)之间。活性层(10)由包含AlyGa(1-y)As(1-x3)Px3层的量子井层(221)与包含Alx4Ga(1-x4)As层的阻障层(222)交替重复叠层复数个周期而构成。
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