半导体激光器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101889374B

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN200880119749.0

    申请日:2008-10-17

    Abstract: 本发明的提供一种半导体激光器,其工作电流低且即便在高温输出时也稳定地振荡。该半导体激光器具有:基板(10);n型包覆层(12),其设于基板(10)上;有源层(13),其设于n型包覆层(12)上;p型包覆层(14),其为设于有源层(13)上的含有Al的化合物,且具有成为电流通路的条状脊结构;电流阻挡层(16),其为在除脊结构的上表面之外的p型包覆层(14)表面设置的含有Al的化合物,且Al的组成比在p型包覆层(14)的Al的组成比以下;光吸收层(17),其设于电流阻挡层(16)上,吸收激光器振荡波长的光。

    面发射半导体激光器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111133642A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201880062247.2

    申请日:2018-10-29

    Abstract: 本发明提供面发射半导体激光器包括:半导体层叠构造,其包含第1导电型层、有源层和第2导电型层,在所述有源层产生的光沿着这些层的层叠方向谐振而作为激光从所述第2导电型层侧被输出;经由开口使所述有源层与所述第2导电型层电连接的电流缩窄层;对于所述有源层的发光波长具有透光性的绝缘层;与所述第1导电型层电连接的第1电极;和与所述第2导电型层电连接的第2电极,所述绝缘层的一部分从所述第2电极露出,该露出的所述绝缘层包括具有第1厚度的第1部分和具有第2厚度的包围所述第1部分的第2部分,所述第2厚度是与所述第1厚度相比能够使从所述有源层发出的光的输出比所述第1部分减少的厚度。

    半导体激光器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101889374A

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:CN200880119749.0

    申请日:2008-10-17

    Abstract: 本发明的提供一种半导体激光器,其工作电流低且即便在高温输出时也稳定地振荡。该半导体激光器具有:基板(10);n型包覆层(12),其设于基板(10)上;有源层(13),其设于n型包覆层(12)上;p型包覆层(14),其为设于有源层(13)上的含有Al的化合物,且具有成为电流通路的条状脊结构;电流阻挡层(16),其为在除脊结构的上表面之外的p型包覆层(14)表面设置的含有Al的化合物,且Al的组成比在p型包覆层(14)的Al的组成比以下;光吸收层(17),其设于电流阻挡层(16)上,吸收激光器振荡波长的光。

    面发射半导体激光器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111133642B

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN201880062247.2

    申请日:2018-10-29

    Abstract: 本发明提供面发射半导体激光器包括:半导体层叠构造,其包含第1导电型层、有源层和第2导电型层,在所述有源层产生的光沿着这些层的层叠方向谐振而作为激光从所述第2导电型层侧被输出;经由开口使所述有源层与所述第2导电型层电连接的电流缩窄层;对于所述有源层的发光波长具有透光性的绝缘层;与所述第1导电型层电连接的第1电极;和与所述第2导电型层电连接的第2电极,所述绝缘层的一部分从所述第2电极露出,该露出的所述绝缘层包括具有第1厚度的第1部分和具有第2厚度的包围所述第1部分的第2部分,所述第2厚度是与所述第1厚度相比能够使从所述有源层发出的光的输出比所述第1部分减少的厚度。

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