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公开(公告)号：CN108054634B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810000258.X
申请日：2018-01-03
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种窄线宽半导体激光器及这种激光器的制备方法。该方法公开一种半导体激光器结构，这种激光器结构制备在衬底上，由衬底往上依次为N型缓冲层、N型下限制层、N型下波导层、激光器有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型盖层。采用PECVD方法在该激光器结构外延片上制备掩膜，利用诱导耦合等离子体刻蚀技术制作激光器的脊形波导。采用诱导耦合等离子体刻蚀在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元。
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公开(公告)号：CN108364850A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810032745.4
申请日：2018-01-17
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种直立GaAs纳米线的制备方法。根据Young氏公式得到Ga液滴催化剂与Si衬底表面接触角与衬底表面氧化层厚度的关系，本发明采用HF酸对Si衬底表面进行处理，使Si衬底表面变粗糙，并且Si衬底表面的氧化层被部分去除，该方法通过利用HF酸对Si衬底表面处理实现对表面氧化层厚度的控制，通过调节氧化层厚度及粗糙的表面形貌调控Ga催化剂液滴与衬底表面的接触角，使Ga催化剂液滴与衬底表面有合适的接触夹角，实现抑制多重孪晶生长，使GaAs纳米线能够直立生长，解决现有自催化外延生长GaAs纳米线时存在多重孪晶，纳米线的生长方向难以控制，出现大量倾斜纳米线，限制GaAs纳米线在器件中应用的难题，为实现高质量、高性能GaAs纳米线器件奠定材料基础。
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公开(公告)号：CN108054634A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810000258.X
申请日：2018-01-03
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种2μm窄线宽锑化物半导体激光器及这种激光器的制备方法。该方法公开一种2μm锑化物半导体激光器结构，这种激光器结构制备在GaSb衬底上，由衬底往上依次为N型GaSb缓冲层、N型Al0.8Ga0.2As0.08Sb0.92下限制层、N型Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98下波导层、In0.15Ga0.85As0.02Sb0.98/Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98激光器有源区、P型Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98上波导层、P型Al0.8Ga0.2As0.08Sb0.92上限制层、P型GaSb盖层。采用PECVD方法在该激光器结构外延片上制备SiNx掩膜，利用诱导耦合等离子体刻蚀技术制作激光器的脊形波导。采用诱导耦合等离子体刻蚀在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元，采用电子束光刻在脊形波导两侧制作二阶光栅结构。通过在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元、在脊波导两侧制备二阶光栅结构，实现有效压窄激光线宽，提高激光器频率稳定性。
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公开(公告)号：CN112420861A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011298767.9
申请日：2020-11-18
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件，涉及半导体技术领域，二维材料异质结结构包括：生长于衬底的单原子层或多原子层X‑Y烯异质结薄膜，每层所述X‑Y烯异质结薄膜中X和Y相拼接形成共价键异质结结构；其中，X和Y独立地选自VA族元素且不相同。本发明的二维材料异质结结构在二维材料内部形成稳定的共价键异质结结构，解决了传统二维材料无法形成真正单原子层的二维异质结，并且所形成的异质结是由范德瓦尔斯力所维系的，材料的稳定性不佳的问题。同时，层内异质结的构成也使得器件制备更加灵活，可以构建层内‑层间异质结复合结构，使得器件性质控制更加多样化。
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公开(公告)号：CN106410605A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611091156.0
申请日：2016-12-01
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明公开了一种发光效率增强的半导体激光器。该激光器是在传统半导体激光器制备工艺基础上，采用高真空设备在超高真空环境中对激光器外延片进行解理并进行腔面金属纳米颗粒及腔面膜制备。本发明公开的这种激光器在激光器谐振腔面制备均匀分布的金属纳米颗粒，利用金属纳米颗粒的自由电子与入射电磁波耦合，引起自由电子集体震荡，产生增强的局域电场，提供强大的近场增强效应，增强激光器有源区载流子的辐射复合，实现半导体激光器器件发光效率的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115588703B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202211326005.4
申请日：2022-10-20
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料及其制备方法和SAM‑APD。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，包括层叠设置的Si接触层、Si倍增层、Si电荷层、CQD吸收层和CQD接触层。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料的制备方法：制备Si接触层、Si倍增层和Si电荷层；然后在Si电荷层的表面依次设置胶体量子点，得到CQD吸收层和CQD接触层。本申请提供的基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，胶体量子点展现出了Si的兼容性，而且胶体量子点的生长降低了材料生长的复杂性与成本，结合Si能够实现具有高增益、低噪声、低成本等优点。
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公开(公告)号：CN108183391B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810006341.8
申请日：2018-01-04
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/323
Abstract: 本发明公开了一种提高n型GaSb基半导体激光器材料载流子掺杂浓度的方法。该方法通过在掺杂源源炉上设置高温裂解装置实现多聚体掺杂源裂解为单原子分子，使掺杂源以单原子分子的形式掺杂到材料内部，所涉及的高温裂解装置上设有针阀，所述针阀可以控制合适强度的多聚体掺杂源进入高温裂解装置，使多聚体形式的掺杂源在裂解装置中充分裂解为单原子分子形式。本发明公开的这种方法利用特殊设计的掺杂源高温裂解装置获得单原子分子的Te分子束流，解决传统Te源以多聚体形式掺杂所导致的掺杂浓度低、材料外延质量差的问题，以Te单原子分子形式可实现掺杂浓度达到1×1019cm‑3及以上，满足2μm波段GaSb基半导体激光器器件制作要求。
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公开(公告)号：CN104638517B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510111618.X
申请日：2015-03-13
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/343
Abstract: Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有InAs/GaInSb W型锑基半导体激光器很难实现室温发光，低温(73K)发光的输出功率也很小。本发明自下而上依次为GaSb衬底、GaSb缓冲层、P型GaSb接触层、P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱和N型InAs接触层，所述P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱具有多周期结构，所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱夹GaInSb空穴量子阱的三明治结构，外层是一对AlSb合金限制层；其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱由3～9层Ga1‑xInxSb层构成，x＝0.05～0.35，中间的Ga1‑xInxSb层的x的值最大，两边的Ga1‑xInxSb层自中间向两边呈1～4级分布，同级的两个Ga1‑xInxSb层的x的值相同，自中间向两边各级Ga1‑xInxSb层的x的值逐渐减小。
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公开(公告)号：CN112420861B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011298767.9
申请日：2020-11-18
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件，涉及半导体技术领域，二维材料异质结结构包括：生长于衬底的单原子层或多原子层X‑Y烯异质结薄膜，每层所述X‑Y烯异质结薄膜中X和Y相拼接形成共价键异质结结构；其中，X和Y独立地选自VA族元素且不相同。本发明的二维材料异质结结构在二维材料内部形成稳定的共价键异质结结构，解决了传统二维材料无法形成真正单原子层的二维异质结，并且所形成的异质结是由范德瓦尔斯力所维系的，材料的稳定性不佳的问题。同时，层内异质结的构成也使得器件制备更加灵活，可以构建层内‑层间异质结复合结构，使得器件性质控制更加多样化。
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公开(公告)号：CN112421375A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011298766.4
申请日：2020-11-18
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提供了一种中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件，涉及半导体器件技术领域，包括依次设置于衬底上的过滤缓冲层、n型波导层、n型限制层、有源区、p型限制层、p型波导层和p型覆盖层；过滤缓冲层包括InxGa1‑xAsySb1‑y，其中，0
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