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公开(公告)号：CN119997671A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510476310.9
申请日：2025-04-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，具体地说，是涉及一种电子钝化接触结构、制备方法及太阳能电池。该电子钝化接触结构包括依次层叠设置的硅衬底、隧穿层和二氧化钛层，所述二氧化钛层包括沿厚度方向设置的第一二氧化钛子层和第二二氧化钛子层；所述二氧化钛层通过原子层沉积工艺连续沉积形成第一二氧化钛子层和第二二氧化钛子层，其中，所述第一二氧化钛子层为非晶结构，所述第二二氧化钛子层为晶态结构。
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公开(公告)号：CN109449221B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201811629271.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 苏州大学 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶硅太阳电池，包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线，所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅；还包括石墨烯透明导电层，所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本发明相较于现有技术，在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层，石墨烯具备透过率高，导电性好的优点，石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触，从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点，部分载流子通过石墨烯传输给主栅，减小副栅的载流子传输损耗；同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量，增加受光面积，提高电池短路电流和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115433217B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210969389.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于有机合成领域，具体涉及一种咔唑稠合的硼氮衍生物及其制备方法和应用。本发明提出了一种新型咔唑稠合的硼氮衍生物的制备方法及其在高效有机电致发光器件中的应用。通过巧妙的路线设计，可以高效合成具有DABNA‑1咔唑的稠合结构的硼氮衍生物TCZ‑F‑DABNA，不仅可以有效地实现光谱的较大红移，且能在一定程度上增强分子的扭曲，有利于制备高效，高色纯度且具有抗浓度淬灭的光电器件。该体系扩展了MR‑TADF材料分子库，推动了具有高效率、高色纯度以及具有抑制浓度淬灭效应的有机发光二极管的应用，为日后能设计更接近商业化需求的热活化延迟荧光OLED材料提供了一定的基础。
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公开(公告)号：CN113278018B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202010105516.8
申请日：2020-02-20
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D417/04 , C07D413/14 , C07F5/02 , C07D417/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种基于吡啶的热活化延迟荧光材料，其包括式(I)所示的化合物：其中，D为给电子基团，A为吸电子基团。上述基于吡啶的热活化延迟荧光材料可用于制备在有机电致发光器件，尤其是非掺杂有机电致发光器件，解决了当前非掺杂热活化延迟荧光材料设计复杂以及存在的激子猝灭问题。
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公开(公告)号：CN115433217A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210969389.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于有机合成领域，具体涉及一种羰基稠合的硼氮衍生物及其制备方法和应用。本发明提出了一种新型咔唑稠合的硼氮衍生物的制备方法及其在高效有机电致发光器件中的应用。通过巧妙的路线设计，可以高效合成具有DABNA‑1咔唑的稠合结构的硼氮衍生物TCZ‑F‑DABNA，不仅可以有效地实现光谱的较大红移，且能在一定程度上增强分子的扭曲，有利于制备高效，高色纯度且具有抗浓度淬灭的光电器件。该体系扩展了MR‑TADF材料分子库，推动了具有高效率、高色纯度以及具有抑制浓度淬灭效应的有机发光二极管的应用，为日后能设计更接近商业化需求的热活化延迟荧光OLED材料提供了一定的基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111303150B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010144536.6
申请日：2020-03-04
Applicant: 苏州大学 , 国立大学法人九州大学
IPC: C07D471/16 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开了一类新型高效窄半峰宽的聚集态发光材料——氮杂三角烯衍生物，其制备方法以及在电子器件中的用途，本发明还涉及所述电子器件本身。特别是，本发明所涉及的氮杂三角烯衍生物在稀溶液中表现出弱的单体荧光发射，而其在聚集态下表现出不同于单体荧光特征的明显红移的发光光谱，且具有极高的荧光量子产率及高效的热激活延迟荧光的性质。因此以该类氮杂三角烯作为荧光染料制备成的电子器件具有高效率以及高色纯度的优点。
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公开(公告)号：CN112490115A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011387246.0
申请日：2020-12-01
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种透明柔性单晶硅材料及其制备方法。本发明的透明柔性单晶硅材料包括呈片状的单晶硅片，单晶硅片上具有多个镂空孔，镂空孔组成阵列化镂空图案，单晶硅片上的孔占比为99％以下，单晶硅片的厚度为微米级。本发明得到了一种具有微观镂空孔状结构的透明柔性单晶硅材料，将推动单晶硅材料在新兴的透明、柔性电子领域的应用。
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公开(公告)号：CN111682109A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010501247.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种基于双刮刀技术的二维分子晶体的图案化制备方法，包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置疏水绝缘层，以获得具有亲疏水性分布的图案化基底；提供两枚氧化硅片作为双刮刀，并进行双刮刀的重组；其中一枚刮刀进行疏水性修饰以形成疏水性刮刀，另一枚刮刀进行亲水性修饰以形成亲水性刮刀；分别配置小分子溶液和PS溶液，并将配置的小分子溶液和PS溶液混合搅拌均匀，以形成混合溶液；利用双刮刀技术，将去离子水和混合溶液分别注入亲水性刮刀和疏水性刮刀，并进行刮涂以在图案化基底上，制备出二维分子晶体。本发明制备的二维分子晶体表现出较好的单晶特性和具有原子级别的光滑度，无需晶体的转移过程。
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公开(公告)号：CN111653643A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010568218.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0745 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/18
Abstract: 本发明揭示了一种异质结电池、制备方法及异质结电池组件，所述异质结电池包括：硅片；非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；透明导电层；电极。本发明中的异质结电池两侧均设有第一电极和第二电极，互联时可实现两个电极的交替排列；焊带焊接于电池同侧，可减少组件中电池间距，增加组件的有效发电面积，从而提高组件的输出功率；焊带无需上下绕行，减小了焊带长度，进而减小了焊带上的焦耳损耗。
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公开(公告)号：CN111044184A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911395678.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于硅微/纳米线的微型化大量程应变传感器及其制备方法。该应变传感器包括柔性高分子基底层，功能层和封装层；功能层位于柔性高分子基底层上，封装层将功能层封装于柔性高分子基底层上；功能层包括波浪结构的硅微/纳米线以及设置在其两端的金属电极和引线。本发明还公开了其制备方法，首先利用预拉伸的高分子基底使硅微/纳米线形成波浪形可拉伸结构，然后用波浪结构的硅微/纳米线作为功能层制备微型化大量程应变传感器。本发明传感器具有较大的应变检测范围，良好的稳定性和可逆性，高耐用性，且体积小，轻便，其制备方法操作简单，成本低，对于人体行为监测传感器的应用具有重要意义。
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