公开(公告)号：CN1150865A

公开(公告)日：1997-05-28

申请号：CN96190348.1

申请日：1996-04-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 唐泽纯一 ,  渡边邦雄

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  Y10S257/903

Abstract: 本发明包括：AL(10)、薄膜的PLYD(14)、连接AL与PLYD的CNT、在CNT区域的成为防止穿通用的蚀刻阻挡层的PLYD(18)、及连接PLYC与PLYD的THLC。将P型杂质导入PLYD里，并且使CNT区域的PLYC成为非掺杂区域。通过热处理工序，将PLYD的P型杂质再扩散到PLYC。使存储单元区域的PLYC变成了N型。在CNT0区域，将绝缘层(20)形成为凹状，使CNT区域的PLYD高度较低是所希望的。

公开(公告)号：CN1095203C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN96190348.1

申请日：1996-04-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 唐泽纯一 ,  渡边邦雄

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  Y10S257/903

Abstract: 本发明包括：AL(10)、薄膜的PLYD(14)、连接AL与PLYD的CNT、在CNT区域的成为防止穿通用的蚀刻阻挡层的PLYD(18)、及连接PLYC与PLYD的THLC。将P型杂质导入PLYD里，并且使CNT区域的PLYC成为非掺杂区域。通过热处理工序，将PLYD的P型杂质再扩散到PLYC。使存储单元区域的PLYC变成了N型。在CNT0区域，将绝缘层(20)形成为凹状，使CNT区域的PLYD高度较低是所希望的。

公开(公告)号：CN107527821B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201710303451.6

申请日：2017-05-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 吉泽隆彦 ,  渡边邦雄 ,  白泽立基 ,  作田孝

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法能够使焊盘的机械强度比以往提高而抑制裂纹的产生。该半导体装置的制造方法具有如下工序：形成由第1金属层构成的第1焊盘；在第1焊盘上形成绝缘层；通过去除第1焊盘的至少一部分区域上的绝缘层，在绝缘层设置开口部；以使第2焊盘具有比绝缘层的膜厚小的膜厚的方式，在绝缘层的开口部形成由第2金属层构成的第2焊盘；以及在第2焊盘上形成由第3金属层构成的第3焊盘。

公开(公告)号：CN107527821A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710303451.6

申请日：2017-05-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 吉泽隆彦 ,  渡边邦雄 ,  白泽立基 ,  作田孝

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/48463 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法能够使焊盘的机械强度比以往提高而抑制裂纹的产生。该半导体装置的制造方法具有如下工序：形成由第1金属层构成的第1焊盘；在第1焊盘上形成绝缘层；通过去除第1焊盘的至少一部分区域上的绝缘层，在绝缘层设置开口部；以使第2焊盘具有比绝缘层的膜厚小的膜厚的方式，在绝缘层的开口部形成由第2金属层构成的第2焊盘；以及在第2焊盘上形成由第3金属层构成的第3焊盘。