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公开(公告)号：CN119433691A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411631370.5
申请日：2024-11-15
Applicant: 福州大学 , 福建致卓光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种采用导模提拉‑顶部籽晶法生长掺铋稀土铁石榴石BRIG晶体的方法和应用。为解决目前液相外延法生长BRIG晶体中存在的内应力大、缺陷多、单晶厚膜难制备；以及顶部籽晶法存在的生长周期长、籽晶难获取等问题，本发明将导模提拉法晶体的快速生长和顶部籽晶法的高品质单晶生长相结合，发明导模提拉‑顶部籽晶法以实现高品质BRIG单晶的快速生长。首先采用导模提拉法快速生长与BRIG晶格适配度高、成分较接近的大尺寸掺杂稀土铁石榴石晶体，将其切割成厘米级以上籽晶，采用TSSG法快速生长高品质BRIG块状单晶。该方法生长的晶体具有内应力小、开裂少、均匀性好、晶体生长快等优点，在高性能磁光隔离器中有明显优势。
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公开(公告)号：CN117127262A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311104215.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 福州大学 , 福建致卓光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有高透过、低温度系数和低波长系数的镍掺杂铋稀土铁石榴石磁光晶体。晶体的分子式为Bi0.4Ho1.2Eu0.8Gd0.6Fe4.20Ni0.25Ga0.55O12，该材料属于立方相晶系，Iad空间群。采用顶部籽晶法，通过掺杂Ni2+，减少晶体中Fe2+、低价氧和氧空位缺陷以减少光吸收，降低插入损耗。Ni2+的引入增强了磁有序结构，从而降低晶体的温度系数和波长系数。该磁光晶体的透过率、温度系数和波长系数均优于商用Bi:(HoEu)IG和Bi:TIG，该晶体可用于新型高性能、宽带磁光隔离器中，有望在波分复用光纤通信领域实现运用。
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公开(公告)号：CN113862774B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202111148753.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的铌钪酸镨锂磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Li(5+2x)Pr3Nb(2‑x)ScxO12，其中x＝0.5～1.0。该晶体属立方晶系，空间群为#imgabs0#。本发明制得的磁光晶体具有立方高对称性，可有效消除双折射效应对磁光应用的限制。同时，该晶体还具有磁性稀土离子含量高，电子交换作用大，晶体场作用强，磁性稀土离子在晶体中的电子有效跃迁波长较大等结构特点，有利于产生较强的磁光效应。此外，本发明磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1300～1550℃，可采用中频感应提拉法生长，其生长工艺简单、周期短，晶体完整性高，能够实现大规模低成本的批量生产。
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公开(公告)号：CN112095149B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010953656.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用。采用导模提拉法生长了化学式为Gd3‑x‑yCexCaySczFe5‑z‑wVwO12,(x=0.33‑0.54,y=0.02‑0.06,z=0.45‑0.96,w=0.01)磁光晶体。该方法可简化晶体后加工工艺，降低晶体制备的成本，且晶体生长速率快，光学均匀性好，可制备厘米级尺寸单晶。通过适量掺杂Sc有助于稳定RIG石榴石结构，并使晶胞膨胀，利于提高Ce在晶体中的掺杂量，并且增强了晶体磁性，获得透过性能好、磁性强、磁光性能优异的高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体。该晶体材料有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光调制器等器件中获得实际应用。
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公开(公告)号：CN110172734B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910462762.6
申请日：2019-05-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用。所述的磁光材料的化学式为Ce1‑xSrxFe1‑xVxO3，x=0.3~0.7。该材料属立方晶系，空间群为。该材料具有结构新颖，光学、磁学性能优良，磁光效应显著的优点，而且该化合物晶格常数与硅相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。该材料采用射频磁控溅射法制备，因此还具有工艺简单、周期短、重现性好的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112095149A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010953656.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用。采用导模提拉法生长了化学式为Gd3‑x‑yCexCaySczFe5‑z‑wVwO12,(x=0.33‑0.54,y=0.02‑0.06,z=0.45‑0.96,w=0.01)磁光晶体。该方法可简化晶体后加工工艺，降低晶体制备的成本，且晶体生长速率快，光学均匀性好，可制备厘米级尺寸单晶。通过适量掺杂Sc有助于稳定RIG石榴石结构，并使晶胞膨胀，利于提高Ce在晶体中的掺杂量，并且增强了晶体磁性，获得透过性能好、磁性强、磁光性能优异的高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体。该晶体材料有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光调制器等器件中获得实际应用。
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公开(公告)号：CN110750002A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911040227.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料及其制备方法和应用。所述磁光材料的化学式为Bi1-xSrxFe1-xTixO3，x=0.2~0.5，其属于立方晶系，空间群为 ，并可采用射频磁控溅射法制备，具有工艺简单，周期短，重现性好等优点。本发明所得磁光材料具有结构新颖、光学和磁学性能良好、磁光效应显著等优点，且其与硅的晶格相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。
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公开(公告)号：CN110412104A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910753194.5
申请日：2019-08-15
Applicant: 福州大学
IPC: G01N27/447 , G01N21/76
Abstract: 本发明公开了一种温度控制毛细管电泳-化学发光联用的接口及其制作方法，接口包括加热保温装置模块和流通池模块，加热保温装置模块包括内置加热片的加热保温套、加热片盖和流通池盖；流通池模块包括分离毛细管、反应毛细管、高压电极、发光试剂室；分离毛细管从流通池的左端插入，反应毛细管从流通池的右端插入；发光试剂室留有两个发光试剂入口，高压电极与发光试剂入口相邻；流通池内的分离毛细管横向穿过发光试剂室插入到反应毛细管中，两毛细管之间留有间隙；反应毛细管插入始端与发光试剂室相通；分离毛细管末端出口处的位置是检测区。本发明组装方便，操作简单，实现精准、实时控制接口温度，提高了实验的灵敏度、重现性和稳定性。
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公开(公告)号：CN107699950A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710902484.2
申请日：2017-09-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种掺钪铽铝石榴石磁光晶体及其制备方法，该晶体的化学式为Tb3ScxAl5-xO12(x=1.0~1.5)，属立方晶系， 空间群。晶体可采用近生长界面处具有高轴向温度梯度的提拉法或导模提拉法进行生长，具有可操作性强，工艺简单、周期短，能够实现大尺寸单晶的大规模、低成本的批量生产。制备的晶体具有尺寸大，光学均匀性好、物化性能优良、菲尔德常数大且在可见-近红外光区域透过性能高的优点。该晶体在可见-近红外光区具有强磁光效应，其费尔德常数较商用的TGG晶体高出约20～30%。晶体按照加工要求经定向、切割、粗磨、抛光、镀膜后可得到各种磁光光学器件，可在各种磁光学领域获得广泛应用，具有显著的经济效益和社会效益。
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公开(公告)号：CN103866388A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410121418.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见-近红外光区的立方相萤石型铌酸铽钙磁光晶体及其制备方法。该晶体采用熔体提拉法生长，分子式为Tb3xCa2-2xNb2-xO7，其中x＝0～1，属立方晶系，空间群为Fm-3m。本发明磁光晶体在可见近红外光区具有较高的透过率，晶体中磁性稀土离子含量高，电子交换作用大，有利于产生较好的磁光性能。同时，其立方晶系各向同性的特点，可有效避免晶体双折射对磁光效应的影响。此外，本发明磁光晶体为一致熔融化合物，可采用中频感应提拉法生长，其生长工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产。
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