公开(公告)号：CN101601118A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200780051063.8

申请日：2007-12-20

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  史帝文·R·沃特 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  贾斯汀·托可 ,  玄盛焕 ,  提摩太·J·米勒 ,  杰·T·舒尔 ,  阿塔尔·古普塔 ,  维克拉姆·辛 ,  戴文·洛吉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32706 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68735

Abstract: 一种用于在等离子处理应用期间对半导体晶片提供改良的电性接触的方法与装置。在一实施例中，本装置(100)包括用以支撑晶片的晶片平台(106)以及多个电性接触元件(120)，将多个电性接触元件(120)中的每个配置为提供通道，此通道用于将来自偏压源的偏置电压供应至位于晶片平台(106)上的晶片(102)。并且将多个电性接触元件(120)作几何排列，使得至少一个电性接触元件接触内部表面区域(114)(举例来说，此区域在晶片的中心与约晶片的半径的一半的距离之间)以及至少一个电性接触元件接触外部环形表面区域(116)(举例来说，此区域在晶片的外边缘与约晶片的半径的一半的距离之间)。