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公开(公告)号：CN106133208A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580014648.7
申请日：2015-03-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 阿拉·莫瑞迪亚 , 南帝斯·德塞
Abstract: 一种用于控制熔体内的热流的装置。装置可包括坩埚，用以容纳熔体，而熔体具有暴露面。装置也可包括加热器与散热屏障总成。加热器配置于坩埚的第一侧的下方，用以提供热以穿过熔体而至暴露面。散热屏障总成包括至少一散热屏障，配置于坩埚内，并在熔体中定义隔离区与外围区。
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公开(公告)号：CN107075715B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201580055969.1
申请日：2015-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 布莱恩·梅克英特许 , 南帝斯·德塞
Abstract: 本发明提供一种控制在熔体成长的结晶片的厚度的装置、方法及系统。该装置可包括坩埚用以容纳熔体，所述熔体具有与所述坩埚的底面相隔第一距离的暴露表面，壳体包含不对所述熔体造成污染的材料，所述壳体包括多个侧壁并包括顶部，所述多个侧壁及所述顶部用以接触所述熔体，以及多个加热元件，与所述熔体隔绝并沿与所述结晶片的拉动方向垂直的横向方向安置，所述多个加热元件被各别地供电，其中所述多个加热元件相对于所述熔体的所述暴露表面安置于第二组距离处，所述第二组距离小于所述第一距离，且其中所述多个加热元件用以在所述多个加热元件被各别地供应电力时改变沿所述横向方向的热通量轮廓。
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公开(公告)号：CN106458687A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024930.3
申请日：2015-05-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 菲德梨克·M·卡尔森 , 彼德·L·凯勒曼 , 大卫·莫雷尔 , 布莱恩·梅克英特许 , 南帝斯·德塞
IPC: C03B27/012 , C03B23/00
Abstract: 一种用于处理熔体的设备可包含经配置以容纳所述熔体的坩埚，其中所述熔体具有与所述坩埚的底部分开第一距离的暴露表面。所述设备可进一步包含浸没式加热器，所述浸没式加热器包括加热元件以及安置于所述加热元件与所述熔体之间的壳体，其中所述加热元件不接触所述熔体。所述加热元件可安置在相对于所述熔体的所述暴露表面的第二距离处，所述第二距离小于所述第一距离。
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公开(公告)号：CN107815728B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201711069158.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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公开(公告)号：CN106165110B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201580016307.3
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/0248 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: C30B15/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块交互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107075715A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055969.1
申请日：2015-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 布莱恩·梅克英特许 , 南帝斯·德塞
Abstract: 一种装置可包括坩埚用以容纳熔体，所述熔体具有与所述坩埚的底面相隔第一距离的暴露表面，壳体包含不对所述熔体造成污染的材料，所述壳体包括多个侧壁并包括顶部，所述多个侧壁及所述顶部用以接触所述熔体，以及多个加热元件，与所述熔体隔绝并沿与所述结晶片的拉动方向垂直的横向方向安置，所述多个加热元件被各别地供电，其中所述多个加热元件相对于所述熔体的所述暴露表面安置于第二组距离处，所述第二组距离小于所述第一距离，且其中所述多个加热元件用以在所述多个加热元件被各别地供应电力时改变沿所述横向方向的热通量轮廓。
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公开(公告)号：CN104011270B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280064149.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 菲德梨克·M·卡尔森 , 布莱恩·T·海伦布鲁克
CPC classification number: C30B15/06 , C30B15/007 , C30B15/14 , C30B15/206 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B29/06 , Y10T117/1024
Abstract: 揭示一种使硅晶体衬底生长的装置，其包括热源、异向性热负载平衡构件、坩埚以及冷却板构件。异向性热负载平衡构件具有高导热性，可位于热源上方且经运作以便平衡从热源散发的温度及热通量变化。坩埚可经运作以容纳熔融硅，其中熔融硅的上表面可界定为生长界面。坩埚可被异向性热负载平衡构件实质上围绕着。冷却板构件可位于坩埚上方，与异向性热负载平衡构件及热源一同运作以便使熔融硅的生长表面处保持热通量均匀。
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公开(公告)号：CN106165110A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580016307.3
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/0248 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: C30B15/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种用以使熔体成长为结晶片的结晶器，其可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述系统还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块交互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。
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公开(公告)号：CN104011270A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280064149.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 菲德梨克·M·卡尔森 , 布莱恩·T·海伦布鲁克
CPC classification number: C30B15/06 , C30B15/007 , C30B15/14 , C30B15/206 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B29/06 , Y10T117/1024
Abstract: 揭示一种使硅晶体衬底生长的装置，其包括热源、异向性热负载平衡构件、坩埚以及冷却板构件。异向性热负载平衡构件具有高导热性，可位于热源上方且经运作以便平衡从热源散发的温度及热通量变化。坩埚可经运作以容纳熔融硅，其中熔融硅的上表面可界定为生长界面。坩埚可被异向性热负载平衡构件实质上围绕着。冷却板构件可位于坩埚上方，与异向性热负载平衡构件及热源一同运作以便使熔融硅的生长表面处保持热通量均匀。
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公开(公告)号：CN109923246B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201780068754.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 布莱恩·D·柯南 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 孙大伟 , 大卫·莫雷尔
Abstract: 一种形成结晶片的设备及方法。所述设备可包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面。所述第一气体通道可比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置。第一气体源可耦合到所述第一气体通道，其中所述第一气体源包含氦气或氢气，且第二气体源可耦合到所述第二气体通道，其中所述第二气体源不含有氢气或氦气。
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