公开(公告)号：CN109923246B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201780068754.2

申请日：2017-08-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  布莱恩·D·柯南 ,  菲德梨克·M·卡尔森 ,  孙大伟 ,  大卫·莫雷尔

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 一种形成结晶片的设备及方法。所述设备可包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面。所述第一气体通道可比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置。第一气体源可耦合到所述第一气体通道，其中所述第一气体源包含氦气或氢气，且第二气体源可耦合到所述第二气体通道，其中所述第二气体源不含有氢气或氦气。

公开(公告)号：CN109923246A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780068754.2

申请日：2017-08-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼德·L·凯勒曼 ,  布莱恩·D·柯南 ,  菲德梨克·M·卡尔森 ,  孙大伟 ,  大卫·莫雷尔

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 一种形成结晶片的设备。所述设备可包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面。所述第一气体通道可比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置。第一气体源可耦合到所述第一气体通道，其中所述第一气体源包含氦气或氢气，且第二气体源可耦合到所述第二气体通道，其中所述第二气体源不含有氢气或氦气。