-
公开(公告)号：CN107924805A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049111.9
申请日：2016-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种离子束装置的气体喷射系统，所述气体喷射系统包括：提取板；提取孔，形成于提取板中以使离子束能够通过；第一气体分配器，可移除地固定至提取孔的第一侧上的提取板，第一气体分配器中形成有气体孔口；第二气体分配器，可移除地固定至提取孔的与第一侧相对的第二侧上的提取板，第二气体分配器中形成有气体孔口；第一气体导管，在第一气体分配器与安装至提取板的气体歧管之间延伸贯穿提取板；及第二气体导管，在第二气体分配器气体歧管之间延伸贯穿提取板；以及被连接至气体歧管的残留物移除气体源。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924805B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201680049111.9
申请日：2016-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种离子束装置的气体喷射系统，所述气体喷射系统包括：提取板；提取孔，形成于提取板中以使离子束能够通过；第一气体分配器，可移除地固定至提取孔的第一侧上的提取板，第一气体分配器中形成有气体孔口；第二气体分配器，可移除地固定至提取孔的与第一侧相对的第二侧上的提取板，第二气体分配器中形成有气体孔口；第一气体导管，在第一气体分配器与安装至提取板的气体歧管之间延伸贯穿提取板；及第二气体导管，在第二气体分配器与气体歧管之间延伸贯穿提取板；以及被连接至气体歧管的残留物移除气体源。本发明也提供一种对衬底施加残留物移除气体的方法。
-
公开(公告)号：CN107924838A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680046221.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 梁树荣 , 科斯特尔·拜洛 , 葛兰·F·R·吉尔克里斯特 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 理查德·赫尔特 , 艾立克斯恩德·刚特司 , 皮耶罗·斯佛拉佐 , 陈宗良
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC classification number: H05H1/24 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J2237/327 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 一种处理衬底的装置。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。
-
公开(公告)号：CN107924838B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680046221.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 梁树荣 , 科斯特尔·拜洛 , 葛兰·F·R·吉尔克里斯特 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 理查德·赫尔特 , 艾立克斯恩德·刚特司 , 皮耶罗·斯佛拉佐 , 陈宗良
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/02
Abstract: 一种处理衬底的装置、处理衬底的系统以及蚀刻衬底的方法。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。本发明的处理衬底的装置提供较高产出率工艺的能力。
-
公开(公告)号：CN107851576B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种处理衬底的设备，可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。本发明还提供一种处理衬底的系统及方法。本发明的处理衬底的设备能够实行对非挥发性金属的蚀刻以形成经图案化特征，同时避免或减少经蚀刻材料在经图案化特征上的再沉积。
-
公开(公告)号：CN107851576A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042951.2
申请日：2016-07-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/3053 , C23F4/00 , H01J37/08 , H01J37/1471
Abstract: 在一个实施例中，一种处理衬底的设备可包括：提取板，自等离子体室提取等离子体束并将所述等离子体束引导至所述衬底，所述等离子体束可包含相对于所述衬底的平面的垂线而形成非零入射角的离子；以及气体出口系统，安置于所述等离子体室外部，所述气体出口系统耦合至气体源且被配置成将自所述气体源接收的反应气体递送至所述衬底，其中所述反应气体不通过所述等离子体室。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.02 seconds)
