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公开(公告)号：CN112234000B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202011109040.1
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 孙大伟 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂芬·M·恩尔拉 , 岱尔·K·史东 , 留德米拉·史东
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请揭露一种工件固持加热设备，其可用于在处理期间增进工件的温度均匀性。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。
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公开(公告)号：CN112234000A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011109040.1
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 孙大伟 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂芬·M·恩尔拉 , 岱尔·K·史东 , 留德米拉·史东
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请揭露一种工件固持加热设备，其可用于在处理期间增进工件的温度均匀性。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。
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公开(公告)号：CN103025924B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180022324.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明揭示关于片材生产的实施例。冷却材料的熔化物以在所述熔化物上形成所述材料的片材。以第一片材高度在第一区域中形成所述片材。将所述片材平移至第二区域，使得所述片材具有高于所述第一片材高度的第二片材高度。接着将所述片材与所述熔化物分离。可使用晶种晶圆来形成所述片材。
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公开(公告)号：CN109923246B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201780068754.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 布莱恩·D·柯南 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 孙大伟 , 大卫·莫雷尔
Abstract: 一种形成结晶片的设备及方法。所述设备可包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面。所述第一气体通道可比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置。第一气体源可耦合到所述第一气体通道，其中所述第一气体源包含氦气或氢气，且第二气体源可耦合到所述第二气体通道，其中所述第二气体源不含有氢气或氦气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109923246A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780068754.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 布莱恩·D·柯南 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 孙大伟 , 大卫·莫雷尔
Abstract: 一种形成结晶片的设备。所述设备可包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面。所述第一气体通道可比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置。第一气体源可耦合到所述第一气体通道，其中所述第一气体源包含氦气或氢气，且第二气体源可耦合到所述第二气体通道，其中所述第二气体源不含有氢气或氦气。
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公开(公告)号：CN107533997A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680014843.4
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 孙大伟 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂芬·M·恩尔拉 , 岱尔·K·史东 , 留德米拉·史东
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67103
Abstract: 本申请揭露一种用于在处理期间增进工件的温度均匀性的设备。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。
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公开(公告)号：CN107533997B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201680014843.4
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 孙大伟 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂芬·M·恩尔拉 , 岱尔·K·史东 , 留德米拉·史东
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请揭露一种工件固持加热设备，其可用于在处理期间增进工件的温度均匀性。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。
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公开(公告)号：CN103025924A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180022324.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明揭示关于片材生产的实施例。冷却材料的熔化物以在所述熔化物上形成所述材料的片材。以第一片材高度在第一区域中形成所述片材。将所述片材平移至第二区域，使得所述片材具有高于所述第一片材高度的第二片材高度。接着将所述片材与所述熔化物分离。可使用晶种晶圆来形成所述片材。
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公开(公告)号：CN107923063A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048202.0
申请日：2016-08-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 一种从熔体拉制结晶片的装置。所述装置可包括：坩埚，用以容纳所述熔体并具有挡坝结构，其中所述熔体包括暴露表面，所述暴露表面具有由所述挡坝结构的顶部界定的水平高度。所述装置可进一步包括支撑装置，所述支撑装置安置于所述坩埚内并具有上表面，其中当在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时，所述结晶片保持与所述熔体的所述暴露表面齐平，且所述装置可包括回熔加热器，所述回熔加热器经由所述支撑装置的所述上表面引导热量，以在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时使所述结晶片部分地熔融。
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