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公开(公告)号：CN112385014A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980045110.0
申请日：2019-07-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/67 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种方法。所述方法可包括提供衬底，衬底包括衬底表面，衬底表面具有三维形状。所述方法还可包括将沉积物种从沉积源引导到衬底表面，其中层沉积在衬底表面的沉积区上。所述方法可包括在进行引导期间或在进行引导之后实行衬底扫描，以将衬底从第一位置输送到第二位置。所述方法还可包括：在存在层的情况下将角度化离子引导到衬底表面，其中从沉积区的第一部分溅射蚀刻层，且其中所述层保留在沉积区的第二部分中。
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公开(公告)号：CN101401191A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008848.7
申请日：2007-01-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/02 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , H01J27/02 , H01J37/3171
Abstract: 本发明揭露一种离子布植方法，其包含自C2B10H12产生C2B10HX离子以及将C2B10HX离子布植进材料中。在一些实施例中，C2B10HX离子的分子量大于100amu。在其他实施例中，C2B10HX离子的分子量为约132至144amu或约136至138amu。亦揭露一种离子源，其包含界定腔室的腔室外壳以及经组态以将C2B10H12引入腔室中的源进料气体供应件，其中离子源经组态以将腔室中的源进料气体离子化为C2B10Hx离子。
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公开(公告)号：CN117524823A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311476800.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 , 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 约瑟·C·欧尔森 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开一种离子植入及沉积材料及刻蚀及处理工件的方法，所述方法使用的处理系统具有辅助等离子源，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
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公开(公告)号：CN107004584A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065761.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/263 , H01L27/11524
Abstract: 一种制作多层式结构的方法包括：在安置于基板上的元件堆叠上提供掩模，所述元件堆叠包括由第一层类型及第二层类型构成的第一多个层；沿第一方向射出第一离子，所述第一方向相对于所述基板的平面的法线形成第一非零入射角度，其中形成具有侧壁角度的第一侧壁，所述侧壁角度相对于所述法线形成第一非零倾斜角度，所述第一侧壁包括第二多个层，所述第二多个层来自于所述第一多个层的至少一部分且由所述第一层类型及所述第二层类型构成；以及使用第一选择性蚀刻来蚀刻所述第二多个层，其中相对于所述第二层类型而选择性地蚀刻所述第一层类型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101427350A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780006744.2
申请日：2007-01-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/02 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , H01J27/02 , H01J37/3171
Abstract: 本发明提供离子布植方法以及该方法使用的离子源。该方法包含：自包含多种元素的源进料气体产生离子。举例而言，源进料气体可包含硼以及至少两种其它元素(例如，XaBbYc)。使用此等源进料气体较某些公知过程而言可产生若干优点，包含能够在形成具有超浅接合深度的布植区域时使用较高布植能量以及离子束电流。又，在某些实施例中，源进料气体的成分可经选择以在相对高温(例如，大于350℃)下为热稳定的，此允许在使用期间产生此等温度的许多公知离子源中(例如，间接加热阴极(IHC)，Bernas)使用此等气体。
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公开(公告)号：CN112335012B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201980041813.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 , 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 约瑟·C·欧尔森 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明公开一种处理系统与离子植入及沉积材料及刻蚀及处理工件的方法，所述系统具有辅助等离子源，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
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公开(公告)号：CN112385014B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201980045110.0
申请日：2019-07-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/67 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种使用角度化离子来选择性地沉积层的方法、系统及装置。所述方法可包括提供衬底，衬底包括衬底表面，衬底表面具有三维形状。所述方法还可包括将沉积物种从沉积源引导到衬底表面，其中层沉积在衬底表面的沉积区上。所述方法可包括在进行引导期间或在进行引导之后实行衬底扫描，以将衬底从第一位置输送到第二位置。所述方法还可包括：在存在层的情况下将角度化离子引导到衬底表面，其中从沉积区的第一部分溅射蚀刻层，且其中所述层保留在沉积区的第二部分中。
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公开(公告)号：CN112335012A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980041813.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 , 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 约瑟·C·欧尔森 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明公开一种具有辅助等离子源的系统，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
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公开(公告)号：CN107004584B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201580065761.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/263 , H01L27/11524
Abstract: 本发明提供一种制作多层式结构的方法包括：在安置于基板上的元件堆叠上提供掩模，所述元件堆叠包括由第一层类型及第二层类型构成的第一多个层；沿第一方向射出第一离子，所述第一方向相对于所述基板的平面的法线形成第一非零入射角度，其中形成具有侧壁角度的第一侧壁，所述侧壁角度相对于所述法线形成第一非零倾斜角度，所述第一侧壁包括第二多个层，所述第二多个层来自于所述第一多个层的至少一部分且由所述第一层类型及所述第二层类型构成；以及使用第一选择性蚀刻来蚀刻所述第二多个层，其中相对于所述第二层类型而选择性地蚀刻所述第一层类型。本发明另提供一种多层式元件。
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